TDCR与外标准γ源结合淬灭校正方法、装置及计算机介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了TDCR与外标准γ源结合淬灭校正方法、装置及计算机介质，包括以下步骤：根据本底样品受γ源照射产生的TDCR

【技术实现步骤摘要】
TDCR与外标准
γ
源结合淬灭校正方法、装置及计算机介质


[0001]本专利技术涉及液体闪烁测量
，具体涉及一种液体闪烁计数器TDCR(Triple to Double Coincidence Ratio，即三管对两管符合计数率之比法)与外标准γ源结合淬灭校正方法、装置及计算机介质。

技术介绍

[0002]液体闪烁测量技术是从上世纪五十年代初期发展起来的一种测量低能β辐射的方法，液体闪烁计数器广泛地应用在工业、农业、生物学、化学、医学、药物学、地质、水文、考古、环境保护等各个领域。
[0003]淬灭校正是液闪测量技术的重要问题之一，所述淬灭校正的作用是：由于每个样品的淬灭程度不同导致探测效率均不同，需要通过校正使各种不同淬灭程度的样品都能够得到与它对应的探测效率；因此，淬灭校正是为了得到探测效率，再根据仪器探测到的值，进而得到样品的放射性活度。
[0004]即：只有经过淬灭校正才能得到样品的放射性活度，这对于淬灭程度不同的样品间的比较，是必不可少的；只有当起监测作用的淬灭指示参数相同时，两个样品的计数率之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.TDCR与外标准γ源结合淬灭校正方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1：根据本底样品b受γ源照射产生的TDCR
b
值以及待测样品m受γ源照射产生的TDCR
m
值计算误差值，判断所述误差值是否在预设范围内；步骤S2：若是，则在提前设定的淬灭校正曲线中，根据待测样品受γ源照射产生的TDCR
m
值匹配所述待测样品效率值E
m
％；若否，则去除所述待测样品，返回至步骤S1，对下一个待测样品进行测试；步骤S3：根据匹配到的效率值E
m
％、测量出的所述本底样品未受γ源照射产生的N
b
值以及测量出的所述待测样品未受γ源照射产生的N
m
值，计算所述待测样品的放射性活度A；步骤S4：根据计算出的所述放射性活度A对所述待测样品进行预设处理。2.根据权利要求1所述的TDCR与外标准γ源结合淬灭校正方法，其特征在于，设定所述淬灭校准曲线的方法为：S101、测量各个标准样品受γ源照射产生的TDCR
i
值与未受γ源照射产生的N
i
值，且i为正整数；S102、根据未受γ源照射产生的N
i
值计算探测效率值E
i
％；S103、根据探测效率值E
i
％与标准样品受γ源照射产生的TDCR
i
值的关系曲线制作淬灭校正曲线，且将所述曲线作为淬灭校正曲线。3.根据权利要求2所述的TDCR与外标准γ源结合淬灭校正方法，其特征在于，测量所述标准样品的TDCR
i
值的方法为：步骤S110：将γ源组件运输至测量室内；步骤S111：记录所述标准样品受γ源组件照射时，第一预设时间内产生的三管符合计数率N
t
值以及两管符合计数N
d
值；步骤S112：根据三管符合计数率N
t
值以及两管符合计数N
d
值计算TDCR
i
值，且将所述TDCR
i
值作为所述标准样品的淬灭指示参数。4.根据权利要求3所述的TDCR与外标准γ源结合淬灭校正方法，其特征在于，所述TDCR
i
＝N
t
/N

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡骏，郭勇，黄艳，
申请(专利权)人：苏州泰瑞迅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：