基于高通量气相共蒸制备稳定CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的方法技术

本发明专利技术提供的基于高通量气相共蒸制备稳定CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的方法，属于钙钛矿材料的制备技术领域，采用溴化铯和碘化铅作为蒸发源，通过保持沉积过程中衬底位置固定，获得溴化铯和碘化铅的含量沿两个蒸发源位置方向呈梯度变化的高相稳定性的CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜；优选将衬底设置在特定位置，可获得三维CsPbI2Br钙钛矿晶界处分布有零维Cs4PbI6‑

【技术实现步骤摘要】
基于高通量气相共蒸制备稳定CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的方法


[0001]本专利技术属于钙钛矿材料的制备
，具体涉及基于高通量气相共蒸制备稳定CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的方法。

技术介绍

[0002]半导体光生伏打效应是指光照射半导体产生电动势的效应。依据光生电动势位置，主要分为两类：一类是发生在半导体体内，一类是发生在半导体界面。通常后者又称为“光伏效应”。著名物理学家William Shockley和Hans Queisser依据对光伏物理过程的细致平衡分析，提出半导体光伏电池的效率理论极限值为30％(原始计算值)。目前，单晶硅(非集成)太阳能电池的光电转换记录效率已接近肖克利
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奎伊瑟(Shockley
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Queisser)效率理论极限值。但硅作为间接带隙半导体，提炼和加工硅材料及器件均需较大消耗，这与环境友好型新能源器件发展的初衷产生冲突。因此近年来发展火热的金属卤化物钙钛矿材料被应用于光伏领域，并取得重大的突破性进展。从2009年首次引入至今，十余年间以钙钛矿作为吸光层的单节太阳能电池最本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于高通量气相共蒸制备稳定CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在蒸发腔室中放置多个矩形阵列排布于同一平面的衬底，并在矩形阵列的长度或宽度方向的两侧分别放入蒸发源溴化铯和碘化铅；步骤2、对蒸发腔室抽真空，待真空度达到2
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‑4Pa以下，设定衬底温度为120～150℃，保持衬底挡板关闭，分别调节碘化铅和溴化铯的蒸发速率至稳定；步骤3、待蒸发源速率稳定后，保持衬底位置固定，打开衬底挡板，开始高通量气相共蒸沉积薄膜，获得原始薄膜；步骤4、沉积结束后取出原始薄膜，然后将原始薄膜在空气中进行第一步退火，获得初步CsPbI2Br钙钛矿薄膜；步骤5、将初步CsPbI2Br钙钛矿薄膜放置于氮气中进行第二步退火，获得CsBr:PbI2的含量沿两个蒸发源位置方向呈梯度变化的稳定CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜。2.根据权利要求1所述基于高通量气相共蒸制备稳定CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，当蒸发源溴化铯和碘化铅间距30cm，衬底位于蒸发源溴化铯和碘化铅之间距离溴化铯10～14cm处的正上方25cm位置时...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明侦，张敬敏，弓爵，曾鹏，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：