一种真空内准直器装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种真空内准直器装置，其特征在于，包括真空腔体(1)、钨合金块(2)和可调基座(3)；其中，所述钨合金块(2)安装于所述真空腔体(1)内，所述真空腔体(1)安装于所述可调基座(3)上；所述钨合金块(2)的中心加工出通光孔，所述通光孔的中心与光路中心重合。本发明专利技术适合在超高真空环境中使用，且机械加工性能好、可直接在材料上加工出各种尺寸、形状的通光孔径，孔径越小向下游传播的轫致辐射就越少，限制轫致辐射的精度也很高，很好的起到屏蔽轫致辐射的作用；限制轫致辐射材料钨合金块多块分段安装，整体组合采用台阶式无直通缝隙设计，整体设备安装方便、结构稳固。结构稳固。结构稳固。

【技术实现步骤摘要】
一种真空内准直器装置


[0001]本专利技术属于同步辐射领域，涉及一种真空内准直器装置，应用于同步辐射装置光束线上，在高真空环境下使用。

技术介绍

[0002]同步辐射是由接近光速运动的电子在磁场中作曲线运动时沿切线方向产生的电磁波，具有强度高、准直性好、能量范围广(从深紫外到硬X光)等优异特性，是研究物质结构和电子结构的高性能光源，具有宽波段、高准直、高偏振、高纯净、高亮度、窄脉冲、高稳定性、高通量、微束径、准相干等独特而优异的性能。同步辐射应用的可行性研究工作是20世纪60年代初期开始的，随着人们对同步辐射优异性能的了解，在几乎所有运行的高能电子加速器上，都建造了同步辐射光束线及各种应用同步光的实验装置。到目前已经从第一代装置发展到了第四代装置，从第三代装置开始光源亮度较第一、第二代装置有了极大的提高。目前我国正在北京怀柔建设一台高能同步辐射光源(HEPS)，此装置将成为迄今为止世界上亮度最高的第四代同步辐射光源。
[0003]但是随着高亮度同步辐射的引出，在直线节真空盒中由于电子束流与残余气体作用产生的大量气体轫致辐射，也带来一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空内准直器装置，其特征在于，包括真空腔体(1)、钨合金块(2)和可调基座(3)；其中，所述钨合金块(2)安装于所述真空腔体(1)内，所述真空腔体(1)安装于所述可调基座(3)上；所述钨合金块(2)的中心加工出通光孔，所述通光孔的中心与光路中心重合。2.根据权利要求1所述的真空内准直器装置，其特征在于，所述真空腔体(1)为不锈钢材料的腔体，包括真空腔主腔体(101)、钨合金支撑板(102)、支撑筋板(103)、主腔体焊接大法兰(104)、上游转接管(105)、下游转接管(106)、上游不锈钢真空腔体焊接法兰(107)和下游不锈钢真空腔体焊接法兰(108)；所述钨合金支撑板(102)焊接在所述真空腔主腔体(101)的内壁上，所述真空腔主腔体(101)两端分别焊接有所述主腔体焊接大法兰(104)，位于上游的所述主腔体大法兰(104)通过所述上游转接管(105)与所述上游不锈钢真空腔体焊接法兰(107)连接，位于下游的所述主腔体大法兰(104)通过所述下游转接管(106)与所述下游不锈钢真空腔体焊接法兰(108)连接；所述支撑筋板(103)位于所述真空腔体(1)的底部，用于与所述可调基座(3)连接；所述钨合金块(2)安装在所述钨合金支撑板(102)的固定槽内。3.根据权利要求2所述的真空内准直器装置，其特征在于，所述真空腔主腔体(101)为圆柱形腔体，所述上游转接管(105)、所述下游转接管(106)均为直管道。4.根据权利要求2所述的真空内准直器装置，其特征在于，所述上游不锈钢真空腔体焊接法兰(107)一端为松套型法兰，另一端为内焊型法兰；所述下游不锈钢真空腔体焊接法兰(108)一端为松套型法兰，另一端为内焊型法兰。5.根据权利要求1或2或3所述的真空内准直器装置，其特征在于，所述钨合金块(2)采用台阶式无直通缝隙设计，中心留有所述通光孔；其中台阶的宽度要求不小于3倍的莫里哀半径，台阶的厚度不小于20倍的辐射长度。6.根据权利要求5所述的真空内准直器装置，其特征在于，所述钨合金块(2)包括钨合金盖板(201)、两个第一钨合金底座(202)、第二钨合金底座(203)；其中，所述钨合金盖板(201)的顶部是一个十字型平面，底部是中间凹槽、两边凸起的台阶式结构；所述第一钨合金底座(202)是一个中间带有凹槽的台阶式结构；所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王赫影，郭庆洋，罗平，石泓，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：发明
国别省市：