一种全新型架构的高压贴片式PPTC自恢复保险丝制造技术

本实用新型专利技术提供了一种全新型架构的高压贴片式PPTC自恢复保险丝，包括高压PPTC芯片、PCB板、第一导电膜、绝缘层，PCB板中间设有内开孔，PCB板两端头分别设有半圆缺口，高压PPTC芯片嵌入内开孔内共同构成内嵌芯片板，内嵌芯片板上下外表面分别覆盖有绝缘层，绝缘层外表面设有导电膜，内嵌芯片板上外表面上的第一导电膜在靠近半圆缺口并垂直于两条边线的位置，蚀刻有第一断裂槽口，内嵌芯片板下外表面上的第一导电膜在靠近半圆缺口并垂直于两条边线的位置，蚀刻有第二断裂槽口。本实用新型专利技术的有益效果是：本实用新型专利技术的高压贴片式PPTC自恢复保险丝耐长时间的仓库存储、不会被盐、潮、湿空气氧化、腐蚀而变性。腐蚀而变性。腐蚀而变性。

A new type of high voltage patch type PPTC self recovery fuse

【技术实现步骤摘要】
一种全新型架构的高压贴片式PPTC自恢复保险丝


[0001]本技术涉及保险丝领域，尤其涉及全新型架构的高压贴片式PPTC 自恢复保险丝。

技术介绍

[0002]随着电子技术的飞速发展，电子产品设备的装连工艺的不断进步，其自动化、规模化、高效率生产的要求，原来的插件器件逐步减小，贴片器件的需求迅速扩大，而到目前为止，贴片式PPTC的生产厂家众多，而且 PPTC的应用也非常广泛，其应用已经渗透到各行各业、方方面面的电子产品，完成短路保护、过流保护功能。但自贴片式PPTC的技术、诞生、到广泛应用以来，只能生产低压的PPTC产品，一直没有高压的PPTC 生产，但市场上对高压贴片式PPTC自恢复保险丝的需求有非常多，目前的设备生产厂家都是无奈的选用插件产品以实现电路保护功能，不仅要增加一道工序，而且效率低下。事实上到目前为止，其低压的贴片式PPTC，一直是以纯芯片方式直接载板应用的方式，就是用贴片式PPTC芯片直接焊装到PCB电路板上应用的，其贴片式PPTC芯片本身是扁平片状结构，并在其两个面压合铜膜组成，在贴片式PPTC芯片两端需的半圆缺口以镀锡工艺而连通两个铜膜面作为装联电极，为了让两个铜膜面分别连接到一个端头的半圆缺口，需要在两个铜膜面靠近半圆口位置蚀刻掉一条让铜膜断裂的缺口槽，只有这样才能使芯片的面铜膜与端头的半圆镀锡口形成电气连通，而确保两个面的铜膜不会短路，再在两个铜膜面外涂上黑油漆后丝印LOGO，在加工工艺上，首先是较大面积的核心芯片上覆铜膜、钻孔、蚀刻、后印(或喷涂)黑油漆、丝印LOGO、对已钻孔后镀锡，上述工艺完成后再从所钻孔的中间通过切割成为小片，这个小片就是贴片式PPTC 的成品直接出货给电子设备生产厂家，应用到设计的指定位置，使用时是将贴片式PPTC芯片放到PCB板上，并在两个端头的半圆缺口处焊锡而连接到设备的电路上以发挥其功能。上述的贴片式PPTC就是一直以来的生产、制作、应用的传统工艺。然而这种工艺的贴片式PPTC产品在生产、应用的实践中已暴露出很多难于处理的问题：1、从产品结构而言，两面的铜膜必须蚀刻缺口，致使两面的铜膜对称覆盖的重叠面的有效面积减少了 30％
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50％左右，这使PPTC可应用于正常工作的工作电流同等减小30％
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50％的情况，致使规定尺寸的贴片式PPTC的工作电流无法做大、电压也无法做高。所以使用的环境大大受到限制；2、这种传统工艺的贴片式 PPTC的四周均暴露于空气中，容易被氧化、容易吸收潮湿气体、容易被腐蚀(有腐蚀气体时)而致PPTC变坏、报废、不耐存储，所以存储3个月以上都必须从新检验其可适用性和可靠性；3、这种贴片式PPTC是通过热胀冷缩完成其功能的，但这种结构使得其在两端头的半圆缺口在焊接时会受到高温冲击，使这种贴片式PPTC在焊接后因高温冲击而受损、电阻值变大50％
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150％，使其电性能劣化、电损耗增加、易于误动作的出现，这种情况同样无法通过生产工艺得到解决；3、因这种贴片式PPTC是通过大片切割而成小片的产品，又是平面紧贴于PCB上的安装工艺，在电烙铁焊接或在波峰焊通过波峰锡面时，容易使焊锡通过PPTC侧面裸露的铜而产生锡尖拉锡而短路(装贴于焊接面时)，使其丧失功能，这种情况同样无法通过生产工艺改变而得到解决；4、因这种贴片式PPTC是通过大
片切割而成的产品，在电烙铁焊的过程中，在高温电烙铁头触碰到两侧面时，很容易让其边缘变形、或直接报废，这种情况同样无法通过生产工艺得到解决；5、这种贴片式PPTC在应用中，会因突发大电流、或突发高电压下起火、燃烧，很不安全、或具有安全隐患，所以具有不安全、不可靠性、安全隐患，这种情况同样无法通过生产工艺修改而得到解决；上述的5大弊病是贴片式PPTC的致命缺陷，也是在这个行业中一直都在攻克的难题，但一直没有过突破的先例。

技术实现思路

[0003]本技术提供了一种全新型架构的高压贴片式PPTC自恢复保险丝，包括高压PPTC芯片、PCB板、第一导电膜、绝缘层，所述PCB板中间设有内开孔，所述PCB板两端头分别设有半圆缺口，所述高压PPTC芯片嵌入所述内开孔内共同构成内嵌芯片板，所述内嵌芯片板上下外表面分别覆盖有所述绝缘层，所述绝缘层外表面设有所述导电膜，所述内嵌芯片板上外表面上的所述第一导电膜在靠近所述半圆缺口并垂直于两条边线的位置，蚀刻有第一断裂槽口，所述内嵌芯片板下外表面上的所述第一导电膜在靠近所述半圆缺口并垂直于两条边线的位置，蚀刻有第二断裂槽口，所述第一导电膜在安装有所述高压PPTC芯片位置上设有阵列式小孔，所述第一导电膜通过所述阵列式小孔与所述高压PPTC芯片相连接。
[0004]作为本技术的进一步改进，所述阵列式小孔内壁电镀第二导电膜，所述高压PPTC芯片外表面设有内部芯片导电膜，所述内部芯片导电膜上设有多个连接点，所述第二导电膜一端与所述连接点相连，所述第二导电膜另一端与所述第一导电膜相连。
[0005]作为本技术的进一步改进，所述内嵌芯片板上下外表面上的所述第一导电膜分别在靠近所述半圆缺口凹面底部0.5mm、并垂直于两条边线的位置，各蚀刻有所述第一断裂槽口、所述第二断裂槽口；所述第一断裂槽口、所述第二断裂槽口宽度分别为0.3
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0.5mm。
[0006]作为本技术的进一步改进，所述半圆缺口凹面电镀有第三导电膜，且所述第三导电膜分别与所述内嵌芯片板上下外表面上的所述第一导电膜相连，所述第三导电膜外表面、以及靠近所述半圆缺口位置的所述第一导电膜外表面分别覆盖有焊锡层。
[0007]作为本技术的进一步改进，所述阵列式小孔距离所述高压PPTC 芯片的四个边1.5mm左右；所述阵列式小孔的钻孔密度和数量视所述高压 PPTC芯片大小不同而确定。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述阵列式小孔的排列包括4
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6孔、 2
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4孔、3
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9孔，各小孔孔间距为0.8
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1.0mm，各小孔孔内径为φ0.15
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0.2mm。
[0009]作为本技术的进一步改进，该高压贴片式PPTC自恢复保险丝还包括绝缘黑漆，所述绝缘黑漆涂覆在安装有所述高压PPTC芯片位置的所述第一导电膜上，且所述绝缘黑漆覆盖所述第一断裂槽口、所述第二断裂槽口；所述绝缘黑漆外表面可丝印LOGO。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述绝缘层为防火绝缘树脂层，所述绝缘层厚度为0.15
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0.20mm；所述高压PPTC芯片由高分子聚合树脂与纳米半导体晶粒制作而成；所述高压PPTC芯片的厚度与所述PCB板厚度相同。
[0011]作为本技术的进一步改进，所述第一导电膜、所述第二导电膜、所述第三导电膜为单面粗糙铜膜。
[0012]作为本技术的进一步改进，所述内部芯片导电膜为双面粗糙铜膜；所述PCB板为环氧树脂材料制成。
[0013]本技术的有益效果是：1.本技术的全新本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全新型架构的高压贴片式PPTC自恢复保险丝，其特征在于：包括高压PPTC芯片(1)、PCB板(2)、第一导电膜(3)、绝缘层(6)，所述PCB板(2)中间设有内开孔(20)，所述PCB板(2)两端头分别设有半圆缺口(21)，所述高压PPTC芯片(1)嵌入所述内开孔(20)内共同构成内嵌芯片板(4)，所述内嵌芯片板(4)上下外表面分别覆盖有所述绝缘层(6)，所述绝缘层(6)外表面设有所述导电膜(3)，所述内嵌芯片板(4)上外表面上的所述第一导电膜(3)在靠近所述半圆缺口(21)并垂直于两条边线的位置，蚀刻有第一断裂槽口(31)，所述内嵌芯片板(4)下外表面上的所述第一导电膜(3)在靠近所述半圆缺口(21)并垂直于两条边线的位置，蚀刻有第二断裂槽口，所述第一导电膜(3)在安装有所述高压PPTC芯片(1)位置上设有阵列式小孔(30)，所述第一导电膜(3)通过所述阵列式小孔(30)与所述高压PPTC芯片(1)相连接。2.根据权利要求1所述的高压贴片式PPTC自恢复保险丝，其特征在于：所述高压PPTC芯片(1)外表面设有内部芯片导电膜(8)，所述阵列式小孔(30)内壁电镀第二导电膜，所述内部芯片导电膜(8)上设有多个连接点(9)，所述第二导电膜一端与所述连接点(9)相连，所述第二导电膜另一端与所述第一导电膜(3)相连。3.根据权利要求1所述的高压贴片式PPTC自恢复保险丝，其特征在于：所述内嵌芯片板(4)上下外表面上的所述第一导电膜(3)分别在靠近所述半圆缺口(21)凹面底部0.5mm、并垂直于两条边线的位置，各蚀刻有所述第一断裂槽口(31)、所述第二断裂槽口；所述第一断裂槽口(31)、所述第二断裂槽口宽度分别为0.3
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0.5mm。4.根据权利要求2所述的高压贴片式PPTC自恢复保险丝，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖亚林，国凤飞，蒲润昌，尹晓军，
申请(专利权)人：深圳市万瑞和电子有限公司，
类型：新型
国别省市：