显示面板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种显示面板及其制造方法，所述显示面板具有改进的开口率。在所述显示面板中以矩阵形式布置有多个子像素，其中所述子像素包括发光器件、向所述发光器件提供驱动电流的驱动晶体管、以及存储电容器，所述存储电容器将用于控制所述驱动电流的幅度的电压保持确定时间段，其中所述存储电容器包括下电极、设置在所述下电极上的缓冲层、覆盖所述缓冲层的一部分的中间电极、覆盖所述中间电极和所述缓冲层的栅极绝缘层、以及覆盖所述栅极绝缘层的一部分的上电极，其中在所述缓冲层中，被所述中间电极覆盖的第一区域的厚度大于与所述栅极绝缘层接触的第二区域的厚度。栅极绝缘层接触的第二区域的厚度。栅极绝缘层接触的第二区域的厚度。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月29日提交的韩国专利申请No.10
‑
2020
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0186711的优先权，为了所有目的通过引用将该专利申请的全部公开内容结合到本申请中，如同在本文全部阐述一样。


[0003]本专利技术涉及一种显示面板及其制造方法。

技术介绍

[0004]构成有机发光显示装置的有机发光器件(下文称为发光器件)自身发光，不需要单独的光源。因此，可减小显示装置的厚度和重量。此外，有机发光显示装置展示出包括低功耗、高亮度、高响应速度等的高质量特性。
[0005]一般而言，发光器件具有其中阳极、围绕阳极的边缘部分的堤部、在堤部内形成在阳极上的发光材料层以及覆盖发光材料层和堤部的阴极堆叠的结构。
[0006]有机发光显示装置具有两种发光方法，比如前侧型和后侧型。根据后侧型，在阳极面对阴极的方向上执行显示。后侧型具有其中驱动发光器件的像素电路放置在阳极(即发光部)的前方并且阻挡来自发光部的光的结构。由于这个原因，确保开口率尤其更为重要。

技术实现思路

[0007]本专利技术的一个目的是提供一种具有改进的开口率的显示面板。
[0008]本专利技术具有以下实施方式。
[0009]一个实施方式是一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括发光器件和驱动所述发光器件的像素电路，所述制造方法包括：在基板上形成所述像素电路；以及在所述像素电路上形成所述发光器件，其中形成所述像素电路包括：在所述基板上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成缓冲层；以及在所述缓冲层上形成有源层，其中形成有源层包括：沉积第一有源层并且在所述第一有源层上沉积第二有源层；第一图案化步骤，其将光刻胶材料涂覆在所述第二有源层上、通过半色调掩模形成光刻胶图案、并且第一次蚀刻所述第二有源层；半色调蚀刻步骤，其暴露第一次蚀刻后的第二有源层的一部分；以及第二图案化步骤，其蚀刻所述第一有源层。
[0010]在所述第二图案化步骤中，可执行过蚀刻以使得位于所述第一有源层下方的缓冲层的一部分一起被蚀刻。
[0011]形成有源层可进一步包括附加地蚀刻所述第二有源层的第三图案化步骤。
[0012]所述第三图案化步骤可包括湿蚀刻。
[0013]所述第一图案化步骤可包括干蚀刻。
[0014]所述第二图案化步骤可包括湿蚀刻。
[0015]所述第一有源层可由氧化铟嫁锌(InGaZnO)构成，所述第二有源层可由钼钛
(MoTi)构成
[0016]另一个实施方式是一种显示面板，在所述显示面板中以矩阵形式布置有多个子像素，其中所述子像素包括发光器件、向所述发光器件提供驱动电流的驱动晶体管、以及存储电容器，所述存储电容器将用于控制所述驱动电流的幅度的电压保持确定时间段，其中所述存储电容器包括下电极、设置在所述下电极上的缓冲层、覆盖所述缓冲层的一部分的中间电极、覆盖所述中间电极和所述缓冲层的栅极绝缘层、以及覆盖所述栅极绝缘层的一部分的上电极，其中在所述缓冲层中，被所述中间电极覆盖的第一区域的厚度大于与所述栅极绝缘层接触的第二区域的厚度。
[0017]其中所述中间电极可由双层构成。。
[0018]所述中间电极可包括：由氧化铟嫁锌(InGaZnO)构成的第一有源层；以及由钼钛(MoTi)构成的第二有源层。
[0019]所述中间电极可连接至所述驱动晶体管的栅极，其中所述下电极和所述上电极可连接至所述发光器件的阳极。
附图说明
[0020]用以提供对本专利技术的进一步理解并且并入本申请并构成本申请一部分的附图图解了本专利技术的实施方式，并与说明书一起解释本专利技术的原理。在附图中：
[0021]图1是示出根据实施方式的显示装置的配置的框图；
[0022]图2是示出图1所示的像素的实施方式的电路图；
[0023]图3A和3B示出根据实施方式的像素的平面布局；
[0024]图4是根据实施方式的像素的剖视图，具体地，图4是沿图3B的线I
‑
I
’
截取的剖视图；
[0025]图5是示出根据实施方式的显示面板的制造方法的流程图；
[0026]图6示出根据实施方式的图4的存储电容器Cst的剖面；
[0027]图7示出通过电路符号表示的存储电容器Cst；
[0028]图8至12是用于描述有源层形成步骤的具体工艺的视图；
[0029]图13示出图6的另一实施方式并且示出通过图7至12的制造工艺形成的存储电容器Cst的剖面。
具体实施方式
[0030]通过参考下文详细描述的实施方式以及附图，用于实现本专利技术的特征、优点和方法将更加明显。但是，本专利技术不限于下文公开的实施方式，而且以不同的各种形式实现。实施方式给出本专利技术的完整公开内容，并且仅被提供用以使所属领域的普通技术人员能够充分理解本专利技术的范围。本专利技术仅由所附权利要求书的范围限定。
[0031]在描述本专利技术实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比例、角度、数量等是例示性的，本专利技术不限于所示的细节。相同的参考标记通篇对应于相同的元件。此外，在本专利技术的整个说明书中，如果对本文涉及的已知技术的详细描述会使本专利技术的主题不清楚，将省略其详细描述。本申请中提及的诸如“包括”、“具有”、“包含”等之类的术语被采用时，也可添加其他部件，除非使用了术语“仅”。
[0032]在解释组件时，除非有相反的明确提及，否则其被解释为包括误差范围。
[0033]在描述位置关系时，当两个部件之间的位置关系例如被描述在“在
…
上”、“在
…
上方”、“在
…
下方”、“在
…
之后”等时，只要未采用术语“直接”或“紧接”，一个或多个其他部件可位于这两个部件之间。
[0034]尽管诸如第一和第二等之类的术语可用于描述各种组件，但是这些组件不受上述术语的限制。这些术语仅是用于在一个组件和其他组件之间进行区分。因此，下文所述的第一组件在本专利技术的精神内可以是第二组件。
[0035]相似的参考标记通篇对应于相似的元件。
[0036]在本专利技术的实施方式中，形成在显示面板的基板上的像素电路可被实现为具有n型或p型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构的薄膜晶体管(TFT)。TFT是包括栅极、源极和漏极的三电极器件。源极是向晶体管提供载流子的电极。在TFT内，载流子从源极开始流动。漏极是载流子离开TFT的电极。也就是说，在MOSFET中，载流子从源极流到漏极。在n型TFT(NMOS)的情形下，由于载流子是电子，源极电压低于漏极电压，从而电子能够从源极流到漏极。在n型TFT中，由于电子从源极流到漏极，所以电流从漏极流到源极。在p型TFT(PMOS)的情形下，由于载流子是空穴，所以源极电压高于漏极电压，使得空穴能够从源极流到漏极。在p型TFT中，由于空穴从源极流到漏极，所以电流从源极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括发光器件和驱动所述发光器件的像素电路，所述制造方法包括：在基板上形成所述像素电路；以及在所述像素电路上形成所述发光器件，其中形成所述像素电路包括：在所述基板上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成缓冲层；以及在所述缓冲层上形成有源层，其中形成有源层包括：沉积第一有源层并且在所述第一有源层上沉积第二有源层；第一图案化步骤，其将光刻胶材料涂覆在所述第二有源层上、通过半色调掩模形成光刻胶图案、并且第一次蚀刻所述第二有源层；半色调蚀刻步骤，其暴露第一次蚀刻后的第二有源层的一部分；以及第二图案化步骤，其蚀刻所述第一有源层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中在所述第二图案化步骤中，执行过蚀刻以使得位于所述第一有源层下方的缓冲层的一部分一起被蚀刻。3.根据权利要求1所述的制造方法，其中形成有源层进一步包括附加地蚀刻所述第二有源层的第三图案化步骤。4.根据权利要求3所述的制造方法，其中所述第三图案化步骤包括湿蚀刻。5.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第一图案化步骤包括干蚀刻。6.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述第二图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑汉奎，边宇中，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：