一种存储设备和计算机设备制造技术

本申请实施例公开了一种存储设备和计算机设备，属于计算机技术领域。所述存储设备包括第一PCM1、主存储器2和控制器3，其中：所述第一PCM1和所述控制器3封装在同一芯片中；所述第一PCM1的时延小于所述主存储器2，所述主存储器2的存储密度大于所述第一PCM1；所述控制器3，用于基于数据的读写热度，将数据存储在所述第一PCM1和所述主存储器2中，其中，所述第一PCM1为所述主存储器2的缓存。采用本申请实施例，可以提高存储设备缓存容量并减小设备成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
一种存储设备和计算机设备
[0001]本申请要求于2020年12月30日提交的申请号为202011617059.7、专利技术名称为“一种内存设备、处理器系统和PCIe设备”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。


[0002]本申请涉及计算机
，特别涉及一种存储设备和计算机设备。

技术介绍

[0003]随着计算机技术的发展，中央处理器(central processing unit，CPU)的处理能力呈现持续不断快速增长的趋势。然而，动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)作为内存受物理特性和工艺的限制，已经无法满足CPU的需求。许多针对DRAM的补充存储方案应运而生。
[0004]这些补充存储方案，一般都采用大容量的主存储器，配合静态随机存储器(static random access memory，SRAM)或DRAM缓存使用。
[0005]在实现本申请的过程中，专利技术人发现相关技术至少存在以下问题：
[0006]SRAM和DRAM虽然本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储设备，其特征在于，所述存储设备包括第一相变存储器PCM(1)、主存储器(2)和控制器(3)，其中：所述第一PCM(1)和所述控制器(3)封装在同一芯片中；所述第一PCM(1)的时延小于所述主存储器(2)，所述主存储器(2)的存储密度大于所述第一PCM(1)；所述控制器(3)，用于基于数据的读写热度，将数据存储在所述第一PCM(1)和所述主存储器(2)中，其中，所述第一PCM(1)为所述主存储器(2)的缓存。2.根据权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述封装为三维3D封装，所述第一PCM(1)和所述控制器(3)在所述芯片的不同裸晶Die中。3.根据权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述控制器(3)，用于对所述第一PCM(1)进行读写操作。4.根据权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述主存储器(2)为第二PCM或与非NAND存储器。5.根据权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述第一PCM(1)为吉字节GB级存储器，所述主存储器(2)为太字节TB级存储器；或者，所述第一PCM(1)为兆字节MB级存储器，所述主存储器(2)为GB级存储器。6.根据权利要求1
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5任一项所述的存储设备，其特征在于，所述第一PCM(1)和所述控制器(3)封装在中央处理器CPU(4)中。7.根据权利要求6所述的存储设备，其特征在于，所述存储设备还包括具有双倍数据速率DD...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓明，景蔚亮，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：