一种MOCVD放气装置及具有其的MOCVD装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术揭示了一种MOCVD放气装置及具有其的MOCVD装置。MOCVD放气装置包括含氧气体管路及自动控制系统，所述自动控制系统控制所述含氧气体管路中通入含氧气体的通入量。本实用新型专利技术增加含氧气体管路及相关的自动控制系统，实现工艺程序自动控制及工艺Run数提升，机台稼动率很大程度的提升/工艺品质的提升。并且，通过Hydride管道放气与Alkyl管路放气的双重选择，从而有效降低Alkyl管道因Coating物造成的气体流量计MFC的损坏。进一步地，还可实现有氧退火及阻止非故意掺杂导致的晶格质量下降和缺陷增多等。降和缺陷增多等。降和缺陷增多等。

A MOCVD bleeding device and its MOCVD device

【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD放气装置及具有其的MOCVD装置


[0001]本技术涉及一种MOCVD放气装置及具有其的MOCVD装置，尤其涉及一种高效低损的MOCVD放气装置及具有其的MOCVD装置。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。近年来，LED已在日常生活中得到广泛应用，例如照明、信号显示、背光源、车灯和大屏幕显示等领域。工业上通常采用金属有机化合物化学气相沉积(简称MOCVD)设备来生长。
[0003]但是，现有MOCVD的装置无含氧气体管路设计，在新机复机时，需通过往反应腔Coating Mg，通过曝空气的方法形成MgO，来使新腔环境快速的形成LED生长环境或生长Run数提升，腔室内Mg含量增加后，会影响生长LED的晶格质量，从而影响工艺品质，通过Alkyl管路或其他管路往反应腔曝空气的方法被发掘出来，可以有效的改善腔室生长环境，如图1所示，在Alkyl管路的其中一条管路21向反应腔3注入空气，但这种模式需人为手动操作操作点22进行放气，影响机台复机效率及稼动率。并且，利用现有Alkyl管路放气会造成Alkyl管路内残留的微量Mo源与氧气反应，造成管道内Coating从而造成管道气体流量控制器MFC因管道内Coating物质损坏，无法控制流量。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于现有MOCVD低效高损的问题。
[0005]为实现上述技术目的之一，本技术提供一种MOCVD放气装置。
[0006]上述MOCVD放气装置包括含氧气体管路及自动控制系统，所述自动控制系统控制所述含氧气体管路中通入含氧气体的通入量。
[0007]作为可选的技术方案，所述自动控制系统包括质量流量控制计及控制程序，所述质量流量控制计连接所述含氧气体管路，使用者设定所述控制程序以控制所述质量流量控制计。
[0008]作为可选的技术方案，所述含氧气体为氧气、氧气与惰性气体的混合气体或者压缩空气的其中一种。
[0009]作为可选的技术方案，所述含氧气体的压力不大于120Psi。
[0010]本技术还提供一种MOCVD装置，所述MOCVD装置包括反应腔及上述任一项所述的MOCVD放气装置，所述MOCVD放气装置连接至所述反应腔。
[0011]作为可选的技术方案，所述含氧气体管路包括第一含氧气体管路及第二含氧气体管路，所述第一含氧气体管路并联设置于Hydride管路的各气体管路，所述第二含氧气体管路并联设置于Alkyl管路的各气体管路。
[0012]作为可选的技术方案，所述Hydride管路的各气体管路包括PN2、PH2及NH3气体管路，所述Alkyl管路的各气体管路包括Mo源气管路。
[0013]作为可选的技术方案，所述自动控制系统选择性地开启所述第一含氧气体管路或者所述第二含氧气体管路。
[0014]作为可选的技术方案，所述自动控制系统于PGaN生长结束后的炉内退火阶段开启所述含氧气体管路；及/或所述自动控制系统于LED垒晶层生长结束后开启所述含氧气体管路。
[0015]作为可选的技术方案，所述第二含氧气体管路分别连接至Run气路上及Vent气路上，所述Run气路连接至所述反应腔，所述Vent气路连接至废气排出管路，且所述第二含氧气体管路与所述Run气路及Vent气路之间分别具有一个气动阀。
[0016]与现有技术相比，本技术增加含氧气体管路及相关的自动控制系统，实现工艺程序自动控制及工艺Run数提升，机台稼动率很大程度的提升/工艺品质的提升。并且，通过Hydride管道放气与Alkyl管路放气的双重选择，从而有效降低Alkyl管道因Coating物造成的气体流量计MFC的损坏。进一步地，还可实现有氧退火及阻止非故意掺杂导致的晶格质量下降和缺陷增多等。
附图说明
[0017]图1是现有技术中MOCVD装置的示意图；
[0018]图2是本技术的MOCVD装置的一实施例的示意图。
具体实施方式
[0019]以下将结合附图所示的具体实施方式对本技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。
[0020]图2是本技术的MOCVD装置的一实施例的示意图，请参照图2。
[0021]MOCVD装置包括反应腔3及MOCVD放气装置，MOCVD放气装置连接至反应腔3。MOCVD放气装置包括含氧气体管路及自动控制系统，自动控制系统控制含氧气体管路中通入含氧气体的通入量，上述的含氧气体为氧气、氧气与惰性气体的混合气体或者压缩空气的其中一种，含氧气体的压力不大于120Psi,机台调压要求不大于60Psi。即本技术的MOCVD不用手动控制含氧气体的注入，通过自动控制系统进行控制，取缔原有手动Alkyl管路放气/开盖放气，实现工艺程序自动控制及工艺Run数提升，机台稼动率很大程度的提升/工艺品质的提升。
[0022]于本实施例中，含氧气体管路包括第一含氧气体管路41及第二含氧气体管路44，第一含氧气体管路41并联设置于Hydride管路1的各气体管路，第二含氧气体管路44并联设置于Alkyl管路2的各气体管路。Hydride管路1的各气体管路包括PN2气体管路11、PH2气体管路12及NH3气体管路13，Alkyl管路2的各气体管路包括Mo源气管路。自动控制系统选择性地开启第一含氧气体管路41或者第二含氧气体管路44。如此，可实现Hydride管道放气与Alkyl管路放气的双重选择，从而有效降低Alkyl管道因Coating物造成的气体流量计MFC的损坏。
[0023]具体地，自动控制系统包括质量流量控制计(MFC)及控制程序，质量流量控制计连接含氧气体管路，使用者设定控制程序以控制质量流量控制计，例如，第一含氧气体管路
41、第二含氧气体管路44上分别连接质量流量控制计42、46。例如，在程序编辑界面新增此路气体的程序编辑，可实现MFC流量的设置，实现含氧气体通入反应腔3与其他制成气体的不同浓度配比。
[0024]第二含氧气体管路44分别连接至Run气路51上及Vent气路52上，Run气路51连接至反应腔3，Vent气路52连接至废气排出管路53，且第二含氧气体管路44与Run气路51及Vent气路52之间分别具有一个气动阀45，第一含氧气体管路41于质量流量控制计42的前后两侧均设置一个气动阀43。从而通过质量流量控制计及气动阀的设计来实现管路气体的自动精确控制。
[0025]于实际使用中，自动控制系统于PGaN生长结束后的炉内退火阶段开启所述含氧气体管路，即在LED PGaN生长结束阶段，微量通入含氧气体，结合反应腔维持的温度氛围，可以针对生长完成的LED薄膜进行一次高效的有氧退火，O2参与可以大大提升Mg本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOCVD放气装置，其特征在于，所述MOCVD放气装置包括含氧气体管路及自动控制系统，所述自动控制系统控制所述含氧气体管路中通入含氧气体的通入量；所述自动控制系统包括质量流量控制计及控制程序，所述质量流量控制计连接所述含氧气体管路，使用者设定所述控制程序以控制所述质量流量控制计。2.如权利要求1所述的MOCVD放气装置，其特征在于，所述含氧气体的压力不大于120Psi。3.一种MOCVD装置，其特征在于，所述MOCVD装置包括反应腔及上述权利要求1至2中任一项所述的MOCVD放气装置，所述MOCVD放气装置连接至所述反应腔。4.如权利要求3所述的MOCVD装置，其特征在于，所述MOCVD放气装置包括含氧气体管路及自动控制系统，所述含氧气体管路包括第一含氧气体管路及第二含氧气体管路，所述第一含氧气体管路并联设置于Hydride管路的各气体管路，所述第二含氧气体管路并联...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲健，徐志军，江汉，陈军，徐干阳，李本功，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：新型
国别省市：