量子点材料的改性方法及改性的量子点材料、发光器件技术

本申请属于显示设备技术领域，尤其涉及一种量子点材料的改性方法及改性的量子点材料，以及一种发光器件。其中，量子点材料的改性方法包括步骤：获取杂环类硼酸化合物，在氨气氛围下对所述进行氨改性处理，得到氨改性的杂环类硼酸化合物；获取量子点材料，将所述量子点材料与所述氨改性的杂环类硼酸化合物溶解于溶剂中进行混合处理，得到改性的量子点材料。本申请量子点材料的改性方法，制得的表面结合有氨改性的杂环类硼酸配体的改性的量子点材料，对电子有更好的捕获和注入效果，且稳定性好，使其在量子点发光器件中有更好的应用前景。景。景。

【技术实现步骤摘要】
量子点材料的改性方法及改性的量子点材料、发光器件


[0001]本申请属于显示设备
，尤其涉及一种量子点材料的改性方法及改性的量子点材料，以及一种发光器件。

技术介绍

[0002]量子点是半径小于或者接近波尔激子半径的纳米晶颗粒，其尺寸粒径一般介于一之间。量子点具有量子限域效应，受激发后可以发射荧光。而且量子点具有激发峰宽、发射峰窄、发光光谱可调等独特的发光特性，使得量子点材料在光电发光领域具有广阔的应用前景。量子点发光二极管(QLED)是近年来迅速兴起的一种新型显示技术，量子点发光二极管是将胶体量子点作为发光层的器件，在不同的导电材料之间引入量子点发光层从而得到所需要波长的光。量子点发光二极管具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快等优点。与有机电致发光二极管(OLED)相比，量子点发光二极管具有发光光谱窄、色域广、稳定性好、寿命长、制作成本低等优势。
[0003]量子点由于其尺寸小、比表面积大，且表面缺陷、悬挂键较多等原因，在合成和应用时需要在其表面添加配体来提高材料的应用性能。常用的油性量子点表面往往在合成时附有长链的表面配本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点材料的改性方法，其特征在于，包括以下步骤：获取杂环类硼酸化合物，在氨气氛围下对所述杂环类硼酸化合物进行氨改性处理，得到氨改性的杂环类硼酸化合物；获取量子点材料，将所述量子点材料与所述氨改性的杂环类硼酸化合物溶解于溶剂中进行混合处理，得到改性的量子点材料。2.如权利要求1所述的量子点材料的改性方法，其特征在于，所述杂环类硼酸化合物的结构式选自：中的至少一种，其中，R1、R2分别独立的选自含N杂环取代基或者羟基；R3、R4分别独立的选自含N杂环取代基或者氢；R5选自含N杂环取代基。3.如权利要求2所述的量子点材料的改性方法，其特征在于，所述含N杂环取代基选自：咪唑基、吡啶基、喹啉基、吲哚基中的至少一种；和/或，所述杂环类硼酸化合物选自：5
‑
吲哚硼酸、3
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喹啉硼酸、2
‑
吡啶硼酸中的至少一种。4.如权利要求1～3任一所述的量子点材料的改性方法，其特征在于，所述氨改性处理的步骤包括：在温度为40℃～60℃，氨气与惰性气氛的体积比为(5～10)：(90～95)的混合气氛中，对所述杂环类硼酸化合物改性处理20～60分钟。5.如权利要求4所述的量子点材料的改性方法，其特征在于，所述混合处理的步骤包括：按所述量子点材料与所述氨改性的杂环类硼酸化合物的质量比为(90～95)：(5～10)，将所述量子点材料与所述氨改性的杂环类硼酸化合物溶解于有机溶剂中，混合得到改性的量子点材料溶液。6.如权利要求5所述的量子点材料的改性方法，其特征在于，所述有机溶剂选自：烷烃类溶剂、卤代芳香烃类溶剂、醇醚类溶剂、醇类有机溶剂中的至少一种；和/或，所述量子点材料选自：元素周期表II
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IV族、II
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VI族、II
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V族、III
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V族、III
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VI族、IV
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VI族、I
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III
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VI族、II
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IV
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VI...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，吴龙佳，何斯纳，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：