太阳能电池及光伏组件制造技术

本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，包括基底、依次设置在基底背表面的隧穿层、场钝化层、第一钝化膜以及穿透第一钝化膜与场钝化层形成接触的第一电极；第一掺杂元素在隧穿层中的掺杂浓度小于第一掺杂元素在场钝化层中的掺杂浓度，第一掺杂元素在隧穿层中的掺杂浓度大于第一掺杂元素在基底中的掺杂浓度；场钝化层包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区的掺杂曲线斜率大于第二掺杂区的掺杂曲线斜率。本申请实施例第一掺杂元素在场钝化层中的掺杂浓度高于在隧穿层、基底中的掺杂浓度，且第一掺杂元素在场钝化层表层中实现了较高的激活率，有利于提升太阳能电池的钝化效果，提高太阳能电池的转换效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及光伏组件


[0001]本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]光伏组件常规的化石燃料日益消耗殆尽，在所有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳电池中，晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能，因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。
[0003]随着太阳能电池技术的不断发展，金属接触区域的复合损失成为制约太阳能电池转换效率进一步提高的重要因素之一。为了提高太阳能电池的转换速率，常通过钝化接触来对太阳能电池进行钝化，以降低太阳能电池体内和表面的复合。常用的钝化接触电池有异质结（Heterojunction with Intrinsic Thin
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layer，HIT）电池和隧穿氧化层钝化接触（Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon）电池。然而，现有钝化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底（10）；依次设置在所述基底（10）背表面的隧穿层（121）、场钝化层（122）、第一钝化膜（123）以及穿透所述第一钝化膜（123）与所述场钝化层（122）形成接触的第一电极（124）；其中，所述基底（10）、所述隧穿层（121）和所述场钝化层（122）均包括相同的第一掺杂元素，且所述第一掺杂元素在所述隧穿层（121）中的掺杂浓度小于所述第一掺杂元素在所述场钝化层（122）中的掺杂浓度，所述第一掺杂元素在所述隧穿层（121）中的掺杂浓度大于所述第一掺杂元素在所述基底（10）中的掺杂浓度；所述场钝化层（122）包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区相对于所述第一掺杂区靠近所述隧穿层（121）；其中，所述第一掺杂区的掺杂曲线斜率大于所述第二掺杂区的掺杂曲线斜率；所述第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素；所述掺杂曲线斜率为激活的第一掺杂元素的掺杂浓度随掺杂深度变化的曲线的斜率；在所述隧穿层（121）朝向所述基底（10）的方向上，所述隧穿层（121）中的掺杂曲线斜率逐渐减小。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述基底（10）背表面朝向所述基底（10）内部的过程中，所述基底（10）的掺杂曲线斜率逐渐增大并趋于稳定。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底（10）的掺杂曲线斜率的小于或等于所述第二掺杂区的掺杂曲线斜率的平均值。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述激活的第一掺杂元素在所述场钝化层（122）中的掺杂浓度为1
×
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atom/cm3~5
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atom/cm3；所述第一掺杂元素在所述场钝化层（122）中的激活率为50%~70%；所述激活率为所述激活的第一掺杂元素的掺杂浓度与总注入的所述第一掺杂元素的浓度的比值。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂曲线斜率为5
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~1
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；所述第二掺杂区的掺杂曲线斜率为
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~5
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。6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层（121）的掺杂曲线斜率为
‑
2.5
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~
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2.5
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；所述基底（10）的掺杂曲线斜率为
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2.5
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~0。7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在垂直于所述基底（10）的表面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛杰，徐孟雷，郑霈霆，杨洁，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科能源海宁有限公司，
类型：发明
国别省市：