太阳能电池及光伏组件制造技术

本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，包括基底、依次设置在基底上表面的发射极、正面钝化膜以及穿透正面钝化膜与发射极形成接触的正面电极；其中，基底包括第一掺杂元素，第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素；激活的第一掺杂元素在基底上表面的掺杂浓度为5

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及光伏组件


[0001]本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]光伏组件常规的化石燃料日益消耗殆尽，在所有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳电池中，晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能，因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。
[0003]太阳能电池具有较好的光电转换能力，太阳能电池在制备过程中需要在硅片表面进行扩散工艺以制备P
‑
N结，从而产生内建电场并分离光生载流子。因此掺杂工艺是太阳能电池制备中重要的一环，会影响P
‑
N结质量以及电池光电转换效率。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种太阳能电池及光伏组件，提高太阳能电池的转换效率。
[0005]为解决上述问题，本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底、依次设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底（10）；依次设置在所述基底（10）上表面的发射极（111）、正面钝化膜（112）以及穿透所述正面钝化膜（112）与所述发射极（111）形成接触的正面电极（114）；其中，所述基底（10）包括第一掺杂元素，所述第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素；所述激活的第一掺杂元素在所述基底（10）上表面的掺杂浓度为5
×
10
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atom/cm3~1.5
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atom/cm3；且所述激活的第一掺杂元素在所述基底（10）上表面的激活概率为20%~40%；所述激活概率为所述激活的第一掺杂元素的掺杂浓度与总注入的所述第一掺杂元素的浓度的比值。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述激活的第一掺杂元素在所述基底（10）中的掺杂浓度随掺杂深度的增加呈先升高再降低的变化趋势。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述总注入的第一掺杂元素的浓度在所述基底（10）中随掺杂深度的增加的变化趋势与所述激活的第一掺杂元素在所述基底（10）中的掺杂浓度随掺杂深度的变化趋势相同。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，在所述基底（10）上表面指向所述基底（10）背表面的方向上，所述基底（10）包括第一区、第二区和第三区；其中，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间；所述第一区相对于所述第二区靠近所述基底（10）的上表面，所述第三区相对于所述第二区靠近所述基底（10）的背表面；所述第一掺杂元素在所述第二区的掺杂浓度以及所述第一掺杂元素在所述第三区的掺杂浓度均小于所述第一掺杂元素在所述第一区的掺杂浓度。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一区的界面深度为所述基底（10）厚度的1.8%~2.4%；所述第一区的界面深度为所述第一区远离所述基底（10）上表面的一侧与所述基底（10）上表面之间的垂直距离。6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一区的界面深度为350nm~450nm。7.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二区的界面深度为所述基底（10）厚度的5.3%~6.3%，所述第二区的界面深度为1000nm~1200nm；所述第三区的界面深度为所述基底（10）厚度的6.3%~8.4%，所述第三区的界面深度为1200nm~1600nm。8.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述激活的第一掺杂元素的激活概率随着掺杂深度的增加呈先升高再降低的变化趋势；所述第一掺杂元素在所述第二区的激活概率为60%~90%；所述第一掺杂元素在所述第三区的激活概率为5%~90%。9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：依次设置在所述基底（10）背表面的隧穿层（121）、场钝化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛杰，徐孟雷，郑霈霆，杨洁，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科能源海宁有限公司，
类型：发明
国别省市：