具有自调节反馈的振荡电路制造技术

技术编号:3399370 阅读:178 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一个具有一个通过外部线路(14,18,20)去阻尼的振荡回路(12)的、用于产生具有确定频率的振荡的电路(54)。该电路(54)的特征在于:外部线路(14,18,20)借助一个整流电路(60,62)使振荡回路(12)去阻尼,其中外部线路(14,18,20)具有由场效应晶体管(22,24,26,28)组成的一个CMOS桥式电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有一个通过外部线路去阻尼的振荡回路的、用于产生具有确定频率的振荡的电路。
技术介绍
这样的电路其本身是公知的,普通的振荡器及专门的高频振荡器通常被这样地构成,即一个受阻尼的振荡回路通过外部线路去阻尼,以使得在理想情况下出现具有确定的频率、即振荡回路的固有频率的无阻尼的振荡。对于工作点所需的准确去阻尼基于由环境影响及电路容差引起的电路参数的波动在技术上不能充分精确地被调节。因此,在实践中在考虑适当的裕度(Reserven)的情况下抑制去阻尼或反馈的影响。为了保证振荡器的可靠起振这也是需要的。振幅增大,直到饱和或限幅作用阻止进一步地增大及由此使幅值保持在一定值上。但是,属于自限幅振荡器原理之上位概念的方案对相位噪声起到不利作用,尤其当振荡回路的空载品质因数低时。当输入振荡回路的能量与其固有损耗所消耗的能量精确相同时,则达到相位噪声的最佳值。如果振荡回路的损耗高,则尤其应输入更多的能量,及相应地预保持的裕度很高。通常占第二位的、但仍然重要的是振荡器的电流损耗。在限幅振荡器中原理上电流损耗较高,因为在限幅作用时也必需提供能量。此外在CMOS振荡器上在每两个互补晶体管短本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有一个通过一个外部线路(14,18,20)去阻尼的振荡回路(12)的、用于产生具有确定频率的振荡的电路(54),其特征在于:该外部线路(14,18,20)借助至少一个整流电路(60,62)使该振荡回路(12)去阻尼,其中该外部线路(14,18,20)具有一个由场效应晶体管(22,24,26,28)组成的桥式电路。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:H于尔根舒尔茨
申请(专利权)人:ATMEL德国有限公司
类型:发明
国别省市:DE[德国]

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