一种基于电流保护的噪声限制器电路制造技术

本发明专利技术涉及一种基于电流保护的噪声限制器电路，包括：限流电路和噪声限制电路，所述限流电路包括三极管T、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、二极管D1；所述噪声限制电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、二极管D2、二极管D3、电容C1、电容C2；本发明专利技术提供的基于电流保护的噪声限制器电路包含限流电路和限制电路，可以连接在建波器输出和音频输入之间，或连接在二音频级之间的阻抗相对较高的部分上，在限流保护的同时，更是改善了电路信噪比，该电路简单有效，使用方便。使用方便。使用方便。

【技术实现步骤摘要】
一种基于电流保护的噪声限制器电路


[0001]本专利技术属声学设计
，具体涉及一种基于电流保护的噪声限制器电路。

技术介绍

[0002]在数字音频中，信号的音量是有一个最大值的，既是满刻度，也就是0dBFS。一旦输出信号超过了满刻度(0dBFS)，那么就会造成信号削波失真(在模拟世界中可能会导致设备损坏)。
[0003]限制器的核心职能是将峰值控制在阈值以下，故此，能将瞬态电平和信号峰值控制在阈值以下的处理器就可以被称为限制器。限制器与压缩器最大的区别就是，限制器能做到零启动时间和无穷大的压缩比，而压缩器则无能为力。在混音中，限制器的主要作用就是在不削波的情况下保持响度最大化。压限器的使用，避免了信号过强造成的麻烦
[0004]目前，人们通过各种办法来实现减少谐波失真，而噪声限制器使用非常普遍。现有噪声抑制器电路较为复杂，不利于集成化，且设计功能单一，成本较高。

技术实现思路

[0005]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种基于电流保护的噪声限制器电路。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
[0006]一种基于电流保护的噪声限制器电路，包括：限流电路和噪声限制电路，其中，
[0007]所述限流电路包括三极管T、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、二极管D1；
[0008]所述三极管T的集电极连接输入端in；
[0009]所述电阻R1连接在所述三极管T的基极与集电极之间；
[0010]所述电阻R2和所述电阻R3串联在所述三极管T的基极与发射极之间；
[0011]所述三极管T的发射极依次通过所述电阻R3、所述电阻R4和所述二极管D1接地，所述电阻R4连接所述二极管D1的负极；
[0012]所述电阻R4与所述二极管D1连接的节点处为所述限流电路的输出；
[0013]所述噪声限制电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、二极管D2、二极管D3、电容C1、电容C2；
[0014]所述电阻R5、所述电容C1串联在所述限流电路的输出与接地之间；
[0015]所述电阻R6、所述电容C2、所述二极管D2、所述电阻R7依次串联后，并联在所述电阻R5两端，所述R6的一端连接所述限流电路的输出，所述电容C2连接所述二极管D2的正极；
[0016]所述电阻R8与所述电阻R9串联后，并联在所述电容C2的两端，所述电容R9连接在所述二极管D2的正极；
[0017]所述电阻R8与所述电阻R9连接的节点处接地；
[0018]所述二极管D3的负极连接所述二极管D2的负极；
[0019]所述二极管D3的正极通过电阻R10接地，同时连接该基于电流保护的噪声限制器电路的输出out。
[0020]在本专利技术的一个实施例中，所二极管D1为稳压二极管。
[0021]在本专利技术的一个实施例中，所述三极管T为NPN管。
[0022]在本专利技术的一个实施例中，所述电容C1容值为0.04μF～0.08μF，所述电容C2的容值为0.022μF。
[0023]与现有技术相比，本专利技术的有益效果：
[0024]该基于电流保护的噪声限制器电路包含限流电路和限制电路，该电路可以连接在建波器输出和音频输入之间，或连接在二音频级之间的阻抗相对较高的部分上，在限流保护的同时，更是改善了电路信噪比，该电路简单有效，使用方便。
附图说明
[0025]图1为本专利技术实施例提供的一种基于电流保护的噪声限制器电路结构示意图。
具体实施方式
[0026]下面结合具体实施例对本专利技术做进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。
[0027]实施例一
[0028]请参见图1，图1为本专利技术实施例提供的一种基于电流保护的噪声限制器电路结构示意图。如图1所示，一种基于电流保护的噪声限制器电路，包括：限流电路和噪声限制电路，其中，
[0029]所述限流电路包括三极管T、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、二极管D1；
[0030]所述三极管T的集电极连接输入端in；
[0031]所述电阻R1连接在所述三极管T的基极与集电极之间；
[0032]所述电阻R2和所述电阻R3串联在所述三极管T的基极与发射极之间；
[0033]所述三极管T的发射极依次通过所述电阻R3、所述电阻R4和所述二极管D1接地，所述电阻R4连接所述二极管D1的负极；
[0034]所述电阻R4与所述二极管D1连接的节点处为所述限流电路的输出；
[0035]所述噪声限制电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、二极管D2、二极管D3、电容C1、电容C2；
[0036]所述电阻R5、所述电容C1串联在所述限流电路的输出与接地之间；
[0037]所述电阻R6、所述电容C2、所述二极管D2、所述电阻R7依次串联后，并联在所述电阻R5两端，所述R6的一端连接所述限流电路的输出，所述电容C2连接所述二极管D2的正极；
[0038]所述电阻R8与所述电阻R9串联后，并联在所述电容C2的两端，所述电容R9连接在所述二极管D2的正极；
[0039]所述电阻R8与所述电阻R9连接的节点处接地；
[0040]所述二极管D3的负极连接所述二极管D2的负极；
[0041]所述二极管D3的正极通过电阻R10接地，同时连接该基于电流保护的噪声限制器电路的输出out。
[0042]进一步地，所二极管D1为稳压二极管。
[0043]进一步地，所述三极管T为NPN管。
[0044]进一步地，所述电容C1容值为0.04μF～0.08μF，所述电容C2的容值为0.022μF。
[0045]优选地，所示电容C1的容值为0.047μF。
[0046]优选地，电阻R5的阻值为1MΩ，电阻R6的阻值为0.22MΩ，电阻R7的阻值为0.471MΩ，电阻R8的阻值为0.39MΩ，电阻R9的阻值为1MΩ，电阻R10的阻值为1MΩ。
[0047]优选地，二极管的型号为1N914。
[0048]进一步地，本专利技术D2和D3可以使用具有相对低的正向电阻和非常高的方向电阻的任意二极管，且该电路对具有2～3kHz带宽的接收机来说是非常优秀的，对具有窄频带的接收机来说，需要加大C1的值。
[0049]本专利技术提供的基于电流保护的噪声限制器电路包含限流电路和限制电路，可以连接在建波器输出和音频输入之间，或连接在二音频级之间的阻抗相对较高的部分上，在限流保护的同时，更是改善了电路信噪比，该电路简单有效，使用方便。
[0050]以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明，不能认定本专利技术的具体实施只局限于这些说明。对于本专利技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于电流保护的噪声限制器电路，其特征在于，包括：限流电路和噪声限制电路，其中，所述限流电路包括三极管T、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、二极管D1；所述三极管T的集电极连接输入端in；所述电阻R1连接在所述三极管T的基极与集电极之间；所述电阻R2和所述电阻R3串联在所述三极管T的基极与发射极之间；所述三极管T的发射极依次通过所述电阻R3、所述电阻R4和所述二极管D1接地，所述电阻R4连接所述二极管D1的负极；所述电阻R4与所述二极管D1连接的节点处为所述限流电路的输出；所述噪声限制电路包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、二极管D2、二极管D3、电容C1、电容C2；所述电阻R5、所述电容C1串联在所述限流电路的输出与接地之间；所述电阻R6、所述电容C2、所述二极管D2、所述电阻R7依...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小磊，王孟，李创波，
申请(专利权)人：西安三维通信有限责任公司，
类型：发明
国别省市：