比较器电路及包含其的芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种比较器电路及包含其的芯片，比较器电路包括：放大电路和比较电路；放大电路包括第一输入对管、第二输入对管、第三输入对管、第四输入对管、第一放大子电路和第二放大子电路；第一输入对管、第二输入对管、第三输入对管和第四输入对管均包括栅极互相连接的一PMOS管和一NMOS管；第一输入对管和第四输入对管中NMOS管的栅极连接第一输入电压，第二输入对管和第三输入对管中NMOS管的栅极连接第二输入电压，第一放大子电路输出第一放大电压；第二放大子电路输出第二放大电压；比较电路输出比较结果。本发明专利技术通过设置输入对管，保证了无论输入电压值为多少都可以导通，提高了比较器电路的输入电压范围。了比较器电路的输入电压范围。了比较器电路的输入电压范围。

【技术实现步骤摘要】
比较器电路及包含其的芯片


[0001]本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种比较器电路及包含其的芯片。

技术介绍

[0002]比较器电路是集成电路系统的重要模块，广泛应用在各种集成电路系统中。现有的比较器电路，比较器电路的输入电压连接一个晶体管，比较器电路的输入电压必需要大于晶体管的阈值电压比较器电路才能正常输出比较结果，所以，比较器电路的输入电压的最小值要大于晶体管的阈值电压，对于小于晶体管阈值电压的输入电压无法进行比较，导致比较器电路的输入电压范围较小。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中比较器电路连接一个晶体管导致比较器电路的输入电压范围较小的缺陷，提供一种比较器电路及包含其的芯片。
[0004]本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
[0005]一种比较器电路，包括：放大电路和比较电路；
[0006]所述放大电路包括第一输入对管、第二输入对管、第三输入对管、第四输入对管、第一放大子电路和第二放大子电路；
[0007]所述第一输入对管、所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种比较器电路，其特征在于，包括：放大电路和比较电路；所述放大电路包括第一输入对管、第二输入对管、第三输入对管、第四输入对管、第一放大子电路和第二放大子电路；所述第一输入对管、所述第二输入对管、所述第三输入对管和所述第四输入对管均包括栅极互相连接的一PMOS管和一NMOS管；所述第一输入对管和所述第四输入对管中NMOS管的栅极均用于连接第一输入电压并将所述第一输入电压分别输出至所述第一放大子电路和所述第二放大子电路，所述第二输入对管和所述第三输入对管中NMOS管的栅极均用于连接第二输入电压并将所述第二输入电压分别输出至所述第一放大子电路和所述第二放大子电路；所述第一放大子电路用于对所述第一输入电压和所述第二输入电压的差分电压进行增益放大并输出第一放大电压；所述第二放大子电路用于对所述第一输入电压和所述第二输入电压的差分电压进行增益放大并输出第二放大电压；所述比较电路用于将所述第一放大电压和所述第二放大电压进行比较得出与所述第一输入电压和所述第二输入电压相对应的比较结果。2.如权利要求1所述的比较器电路，其特征在于，所述第一输入对管包括第一PMOS管和第一NMOS管；所述第二输入对管包括第二PMOS管和第二NMOS管；所述第一放大子电路包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第一开关和第二开关；所述第一NMOS管的栅极用于连接所述第一输入电压，所述第二NMOS管的栅极用于连接所述第二输入电压，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第四PMOS管的漏极、所述第六PMOS管的源极和所述第八PMOS管的漏极连接；所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的源极连接；所述第二NMOS管的漏极与所述第七PMOS管的源极、所述第九PMOS管的漏极和所述第五PMOS管的漏极连接；所述第二PMOS管的漏极与所述第五NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的源极连接；所述第三NMOS管的源极、所述第四NMOS管的源极和所述第五NMOS管的源极均接地，所述第三NMOS管的栅极连接第二开关的固定端，所述第二开关的可动端根据选择信号选择连接外部偏置电压或地；所述第四NMOS管的栅极与所述第五NMOS管的栅极、所述第六NMOS管的漏极和所述第六PMOS管的漏极连接；所述第六NMOS管的栅极与所述第七NMOS管的栅极、所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极均接外部偏置电压；所述第七NMOS管的漏极与所述第七PMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的漏极用于输出所述第一放大电压；
所述第三PMOS管的栅极、所述第八PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极均接外部偏置电压，所述第三PMOS管的源极、所述第八PMOS管的源极和所述第九PMOS管的源极均接电源电压；所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极均与所述第一开关的固定端连接，所述第一开关的可动端基于选择信号选择连接外部偏置电压或电源电压。3.如权利要求2所述的比较器电路，其特征在于，所述第二输入对管包括：第八NMOS管和第八PMOS管；所述第三输入对管包括：第九NMOS管和第九PMOS管；所述第二放大子电路包括：第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管和第十六PMOS管；所述第八NMOS管的栅极连接所述第二输入电压，所述第九NMOS管的栅极连接所述第一输入电压，所述第八NMOS管的源极与所述第九NMOS管的源极和所述第十NMOS管的漏极连接，所述第八NMOS管的漏极与所述第十一PMOS管的漏极、所述第十三PMOS管的源极和所述第十五PMOS管的漏极连接；所述第八PMOS管的源极与所述第九PMOS管的源极和所述第十PMOS管的漏极连接，所述第八PMOS管的漏极与所述第十一NMOS管的漏极和所述第十三NMOS管的源极连接；所述第九NMOS管的漏极与所述第十四PMOS管的源极、所述第十六PMOS管的漏极和所述第十二PMOS管的漏极连接；所述第九PMOS管的漏极与所述第十二NMOS管的漏极和所述第十四NMOS管的源极连接；所述第十NMOS管的源极、所述第十一NMOS管的源极和所述第十二NMOS管的源极均接地，所述第十NMOS管的栅极连接外部偏置电压；所述第十一NMOS管的栅极与所述第十二NMOS管的栅极、所述第十三NMOS管的漏极和所述第十三PMOS管的漏极连接；所述第十三NMOS管的栅极与所述第十四NMOS管的栅极、所述第十三PMOS管的栅极和所述第十四PMOS管的栅极均接外部偏置电压；所述第十四NMOS管的漏极与所述第十四PMOS管的漏极连接，所述第十四NMOS管的漏极用于输出所述第二放大电压；所述第十PMOS管的栅极、所述第十五PMOS管的栅极和所述第十六PMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：李婧，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：