【技术实现步骤摘要】
一种应用于中功率变频器的集成模块
[0001]本专利技术涉及变频器
,特别涉及一种应用于中功率变频器的集成模块。
技术介绍
[0002]变频器(Variable
‑
frequency Drive,VFD)是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器大致可以分为几个组成单元:整流(交流变直流)、滤波、逆变(直流变交流)、刹车制动单元、驱动单元、检测单元、微处理单元等。
[0003]目前市场上的变频器仍采用的是传统工艺,将多个部分的电路单元组合拼装组成。由于这些单元的电路和元件只是直接拼装在了一起,而且需要预留散热空间,所以就会使变频器整机体型硕大且笨重。同时因为电路分散,集成度不高,所以市场现有变频器可靠性也较低。电路板大小不一,线束多而复杂,美观性不足,安全性也有待提高。
技术实现思路
[0004]为了克服现有技术中变频器电路集成度不高的问题,本专利技术提供了一种应用于中功率变频器的集成模块。
[0005]本专利技术解决 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用于中功率变频器的集成模块,其特征在于:包括功率部分和功能部分;所述功率部分包括一铜底板基板,所述铜底板基板的正面焊接陶瓷覆铜板,采用真空回流焊接方式将陶瓷覆铜板与铜底板基板焊接,并于所述陶瓷覆铜板上安装多个第一类电路模块;在所述功率部分的表面覆盖安装一塑料外壳,所述于塑料外壳中间设置凹槽,所述凹槽内设置PCB板;则所述功能部分包括设置于所述凹槽内的PCB板,并在所述PCB板上设置有多个第二类功能电路模块。2.如权利要求1所述的一种应用于中功率变频器的集成模块,其特征在于:于所述铜底板基板上焊接有两块正面蚀刻电路的所述陶瓷覆铜板;则安装在所述陶瓷覆铜板上的所述第一类电路模块包括整流二极管芯片、晶闸管芯片、MOS芯片、IGBT芯片、FRD芯片、温度电阻、功率端子、信号引出端子及电流采样金属桥。3.如权利要求2所述的一种应用于中功率变频器的集成模块,其特征在于:所述功率部分的功率端子和信号引出端子通过焊接方式从所述陶瓷覆铜板引出。4.如权利要求2所述的一种应用于中功率变频器的集成模块,其特征在于:所述功能部分中,于所述PCB板上设置的多个第二类功能电路模块分别包括:开关电源电路、多个检测电路模块、多个驱动电路模块以及控制器;所述开关电源电路的输入端接入所述功率部分的所述晶闸管芯片的对地输出端,所述开关电源电路的供电端分别连接每个所述检测电路模块、每个所述驱动电路模块以及所述控制器;所述开关电源电路的控制端连接至所述功率部分的所述MOS芯片,以供所述MOS芯片对所述开关电源电路进行控制。5.如权利要求4所述的一种应用于中功率变频器的集成模块,其特征在于:多个所述检测电路模块中包括温度保护电路模块,所述温度保护电路模块的输入端分别接入所述功率部分的所述整流二...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨日洁,车湖深,汪琳钧,毛曙屏,
申请(专利权)人:杭州泰昕微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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