【技术实现步骤摘要】
一种低信号泄露的高频连接器
[0001]本专利技术涉及电连接器
,尤其涉及一种低信号泄露的高频连接器。
技术介绍
[0002]常规的高频连接器,例如,现有技术1(公开号为CN110416839),包括外部端子120、绝缘本体140和内部端子160,外部端子120和同轴电缆的外导体201固定地电性连接,内部端子160与同轴电缆的内导体203的前端部固定地电性连接。但此技术方案中,所述外部端子120和同轴电缆的外导体201没有完全覆盖内部端子160和内导体203形成的信号通路,存在诸如以下的电气间隙,导致信号屏蔽效果不理想,而且,频率越高,对外辐射的抑制效果越差,尤其对5G毫米波应用来说,这种弊病越专利技术显:
[0003]1)壳体(或称外部端子)120的卡合固定到绝缘本体140上的扣合部124与卡合到外导体201的线夹部125之间的区域外露、无屏蔽;
[0004]2)壳体(或称外部端子)120的卡合固定到绝缘本体140上的扣合部124与接合部121之间的区域外露、无屏蔽;
[0005]3)壳体(或 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低信号泄露的高频连接器,可与对方连接器配合连接,其特征在于,包括:同轴电缆,其具有内导体和在所述内导体周围同轴地配置的外导体;外部端子,其与所述同轴电缆的外导体电性连接;绝缘本体,其固定于所述外部端子;内部端子,与所述内导体电性连接并固定于所述绝缘本体;导电构件,其以一定的绝缘间隔包覆于所述内导体的外部并可电性连接于所述外部端子上;所述外部端子具备沿着所述同轴电缆与所述绝缘本体延伸并对上述两者进行支承地保持的支承部、从所述支承部的一端垂直地折弯延伸形成的圆筒部以及从所述支承部朝向所述同轴电缆铆接的铆接卡合部;所述铆接卡合部具有在所述内导体与所述内部端子连接部分的周围朝着所述绝缘本体和导电构件进行卡合的第一接合部和与所述外导体卡合形成电性连接的第二接合部;所述导电构件的一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖所述外导体的位置,其另一端至少延伸至在所述同轴电缆的轴向上可被所述第一接合部卡合形成电性连接的位置。2.如权利要求1所述的一种低信号泄露的高频连接器,其特征在于:所述导电构件的位于与所述内导体所在侧的方向相反的另一端在所述同轴电缆的轴向上延伸至与所述圆筒部形成重叠的位置。3.如权利要求1或2所述的一种低信号泄露的高频连接器,其特征在于:所述导电构件与所述绝缘本体通过镶嵌成型工艺形成为一体。4.如权利要求3所述的一种低信号泄露的高频连接器,其特征在于:所述绝缘本体具有基体部、从所述基体部延伸形成的凸伸部、由所述凸伸部的端面突出的台阶部;所述导电构件具有包围所述内导体与所述内部端子的连接部分周围且其一端延伸至在所述同轴电缆的轴向上覆盖...
【专利技术属性】
技术研发人员:赖小林,彭哲,尹绪引,
申请(专利权)人:电连技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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