一种低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法技术

本发明专利技术公开了本发明专利技术提供一种低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：形成两个大气压磁旋转电弧等离子体，分别为上游等离子体和下游等离子体；在上游等离子体引入含硅的有机前驱体，在下游等离子体引入气态烃，在等离子体引发下反应获得低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒。其中，所述大气压磁旋转电弧等离子体具有非平衡特性，等离子体电子能量为2.0

【技术实现步骤摘要】
一种低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷材料
，具体是一种低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法。

技术介绍

[0002]碳化硅是一种重要的半导体陶瓷材料，具有优异的热、力、光、电等特性，可用于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。碳化硅根据其结构的有序性可分为晶体碳化硅和非晶体碳化硅，相比于晶体碳化硅纳米材料，非晶碳化硅纳米材料中Si和C的化学计量比可调，导致微观结构的改变，影响其电子结构，从而使其具有一系列独特的光电性能。目前研究较多的是非晶碳化硅薄膜，人们利用低温化学或物理气相沉积、中子轰击、离子束合成等方法制备了非晶态碳化硅薄膜，并研究了其结构，形貌与性能等。然而，迄今为止对超细非晶碳化硅纳米颗粒(粒子平均粒径小于10nm)的制备的研究非常少。Zhu等人(Luminescent amorphous silicon carbide ultrafine nanoparticles fabricated by pulsed
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laser ablation.Applied Physic本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一大气压非平衡等离子体，所述大气压非平衡等离子体包括上游等离子体和下游等离子体；在所述上游等离子体中引入含硅的有机前驱体，在所述下游等离子体引入气态烃；在上游等离子体和下游等离子体的引发下，获得低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述非平衡大气压等离子体为大气压磁旋转电弧等离子体。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述非平衡大气压等离子体分别工作在一对同轴电极之间，等离子体电子能量为2.0
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10.0eV，重粒子温度为500
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1500K。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述上游等离子体放电电流为0.05
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0.15A，轴向磁场为0.01
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1T，放电气压为1.0bar。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王城，杨成鹏，周加文，
申请(专利权)人：合肥碳艺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：