一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺制造技术

本发明专利技术属于摄像模组技术领域，尤其涉及一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺，至少包括如下步骤：蚀刻，将经过涂膜、曝光、显影处理的基材置于蚀刻液中进行蚀刻处理，得到具有通光孔的基板，且通光孔的内侧边缘形成有倒角结构；镀膜，在基板上采用等离子溅射镀膜工艺镀吸收膜层，镀膜过程中，使用治具遮蔽不镀膜区域，使得镀膜区域和倒角结构上均附着有吸收膜层；折弯，对镀膜后的基板进行冲压折弯操作，得到外壳框架；对第三步得到的外壳框架进行激光焊接，得到所需外壳。相对于现有技术，本发明专利技术可以在减少反射面积和降低反射率的双重作用下，使通光孔最大程度减少反光，从而抑制杂光的产生，而且膜层厚度小且可控，从而提高摄像头的画质和清晰度。画质和清晰度。画质和清晰度。

【技术实现步骤摘要】
一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺


[0001]本专利技术属于摄像模组
，尤其涉及一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺。

技术介绍

[0002]目前，带有摄像功能的终端设备已经成为人们工作和生活中不可或缺的电子产品，如智能手机、平板电脑等。智能手机、平板电脑等对摄像头越来越高的需求使得摄像头成为智能手机、平板电脑重要的核心部件之一。
[0003]潜望式摄像头是一种用于拍摄远距离物体而设计的特殊结构的摄像头，其主要特性是焦距长、视角小，对于远距离的目标可实现清楚的拍摄，其通常包括摄像组件和反射镜，外界自然光经过反射镜反射后在摄像组件上成像。其中的摄像组件中需要用到外壳组件，其包含一个大的通光孔。为了减少通光孔及内部黑化反射率，现有技术一般通过丝印工艺印黑，但是现有技术中的外壳在400
‑
800nm光波段的反射率较高，一般只能达到小于或等于2％，而且会有较多的杂光，从而使得摄像头的画质、清晰度无法满足人们越来越高的要求，影响用户体验。
[0004]有鉴于此，本专利技术旨在提供一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其先通过在通光孔的边缘蚀刻出倒角，同时采用镀膜工艺进行镀膜，再经过冲压弯折、焊接，得到潜望式摄像模组外壳，其在减少反射面积和降低反射率的双重作用下，使通光孔最大程度减少反光，从而抑制杂光的产生，而且膜层厚度小且可控，从而提高摄像头的画质和清晰度。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于：针对现有技术的不足，而提供一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其先通过在通光孔的边缘蚀刻出倒角，同时采用镀膜工艺进行镀膜，再经过冲压弯折、焊接，得到潜望式摄像模组外壳，其在减少反射面积和降低反射率的双重作用下，使通光孔最大程度减少反光，从而抑制杂光的产生，而且膜层厚度小且可控，从而提高摄像头的画质和清晰度。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0007]一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺，至少包括如下步骤：
[0008]第一步，蚀刻，将经过涂膜、曝光、显影处理的基材置于蚀刻液中进行蚀刻处理，得到具有通光孔的基板，且所述通光孔的内侧边缘形成有倒角结构；
[0009]第二步，镀膜，在第一步得到的基板上采用等离子溅射镀膜工艺镀吸收膜层，镀膜过程中，使用治具遮蔽不镀膜区域，使得镀膜区域和倒角结构上均附着有吸收膜层；
[0010]第三步，折弯，对镀膜后的基板进行冲压折弯操作，得到外壳框架；
[0011]第四步，对第三步得到的外壳框架进行激光焊接，得到所需外壳。
[0012]作为本专利技术潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，第一步所述蚀刻液为三氯化铁和盐酸的混合溶液，其中，三氯化铁的浓度为40％
‑
60％；盐酸的浓度10％
‑
20％。
[0013]作为本专利技术潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，第一步中蚀刻处理的温
度为40℃
‑
50℃，所述蚀刻液的波美度为40
‑
42，基材的运动速度为1.5米/分钟
‑
2米/分钟。
[0014]作为本专利技术潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，所述基材的材质为不锈钢或铜合金，且所述基材的厚度为0.02
‑
0.3mm。
[0015]作为本专利技术潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，所述倒角结构呈弧形倾斜状，且所述倒角结构的内侧边缘呈尖角形。
[0016]作为本专利技术潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，尖角形的角度小于30
°
。
[0017]作为本专利技术潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，所述通光孔的内侧表面呈锯齿形。
[0018]作为本专利技术潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，从内向外，所述吸收膜层为交替设置的Ti层和二氧化硅层。
[0019]作为本专利技术潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，所述等离子溅射镀膜工艺的具体条件为：温度为70℃
‑
80℃，真空度为2.0e
‑
3torr至3.0e
‑
3torr，Ti的溅射速率为0.1nm/s
‑
0.2nm/s，二氧化硅的溅射速率为0.3nm/s
‑
0.7nm/s。吸收膜层是在高真空环境下通过等离子溅射镀膜形成的，由Ti和SiO2交替生成，由于Ti和SiO2采用等离子溅射镀膜形成的膜层具有较好的密度和硬度，从而使得镀膜后的外壳抗划伤性增强，反射率降低。由于等离子溅射镀膜是材料以分子的方式进行沉积，镀膜厚度较薄(总厚度小于1μm)，所以不会对零件的面形精度形成破坏。通过各层厚度优化组合形成，膜层结构具有较强的表面硬度，同时具备较好的减反射效果。
[0020]作为本专利技术潜望式摄像模组外壳的制造工艺的一种改进，所述吸收膜层的总厚度小于500nm，在400
‑
800nm波长范围内，反射率小于或等于0.3％，所述吸收膜层的总厚度小于500nm，在400
‑
800nm波长范围内，反射率小于或等于0.3％；Ti层和二氧化硅层的厚度比为(0.5
‑
5)：1。
[0021]相对于现有技术，本专利技术先通过蚀刻工艺得到具有通光孔的基板，且通光孔的内侧边缘形成有倒角结构，且通过镀膜在倒角结构处设置吸收膜层，可以在减少反射面积和降低反射率的双重作用下，使通光孔最大程度减少反光，从而抑制杂光的产生，而且膜层厚度小且可控，从而提高摄像头的画质和清晰度。而且采用等离子溅射镀膜工艺镀制成的吸收膜层取代现有的丝印印黑工艺，能够得到反射率低、膜层Lab值稳定的吸收膜层。在镀膜过程中使用治具遮蔽不镀膜区域可以保障镀膜区域位置精确，冲压折弯则能够形成良好的折弯形状，采用激光无焊料焊接则能够保证焊接处不漏光，且结构可靠、美观。
附图说明
[0022]图1是本专利技术第一步处理后的基板结构示意图(多个基板相连)。
[0023]图2为本专利技术第一步处理后的单个基板的正视结构示意图。
[0024]图3为本专利技术中焊接后的外壳结构的正视结构示意图。
[0025]图4为本专利技术中焊接后的外壳结构的侧视结构示意图。
[0026]图5为图4中A部分的放大图。
[0027]图6为本专利技术中焊接后的外壳结构的立体图之一。
[0028]图7为本专利技术中焊接后的外壳结构的立体图之二。
[0029]图8为本专利技术中焊接后的外壳结构的后视结构示意图。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]需要说明，本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其特征在于，至少包括如下步骤：第一步，蚀刻，将经过涂膜、曝光、显影处理的基材置于蚀刻液中进行蚀刻处理，得到具有通光孔的基板，且所述通光孔的内侧边缘形成有倒角结构；第二步，镀膜，在第一步得到的基板上采用等离子溅射镀膜工艺镀吸收膜层，镀膜过程中，使用治具遮蔽不镀膜区域，使得镀膜区域和倒角结构上均附着有吸收膜层；第三步，折弯，对镀膜后的基板进行冲压折弯操作，得到外壳框架；第四步，对第三步得到的外壳框架进行激光焊接，得到所需外壳。2.根据权利要求1所述的潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其特征在于：第一步所述蚀刻液为三氯化铁和盐酸的混合溶液，其中，三氯化铁的浓度为40％
‑
60％；盐酸的浓度10％
‑
20％。3.根据权利要求2所述的潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其特征在于：第一步中蚀刻处理的温度为40℃
‑
50℃，所述蚀刻液的波美度为40
‑
42，基材的运动速度为1.5米/分钟
‑
2米/分钟。4.根据权利要求1所述的潜望式摄像模组外壳的制造工艺，其特征在于：所述基材的材质为不锈钢或铜合金，且所述基材的厚度为0.02
‑
0.3mm。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：席龙龙，席冬冬，
申请(专利权)人：广东誉品实业有限公司，
类型：发明
国别省市：