一种晶体硅太阳能电池光电交替激励方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池光电交替激励方法：首先、使用直接照射光源对晶体硅太阳能电池进行光浸润；其次、使用直流电流对晶体硅太阳能电池进行电激励；重复循环上述步骤N次，其中，N≥1。其中，可以先进行光激励润，也可以先进行电激励，将电激励和光激励两种激励方式相结合，通过交替处理来进一步提高太阳电池的抗衰减性能，相比单一方式的电激励或光激励，交替激励方式可以进一步提高太阳能电池的抗衰减性能。本发明专利技术通过采用一组满足IEC61215指标、可实现实时调节的光源直接对晶体硅太阳能电池进行光浸润，同时交替的电激励辅助，在较长时间内提供一种光电耦合的浸润氛围，从而实现控制晶体硅太阳能电池光照衰减的作用。作用。作用。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体硅太阳能电池光电交替激励方法


[0001]本专利技术涉及一种晶体硅太阳能电池光电交替激励方法。

技术介绍

[0002]众所周知，产业化的硅基太阳能电池等不仅具有高的转化效率、高的开路电压，而且还具有低的温度系数、低的制备工艺温度等优势。在现有制备技术中，由硅基太阳能电池制成的光伏组件的发电效率存在使用初期显著下降后趋于稳定的特性，这是因为太阳能电池发生了光致衰减及光热衰减现象，从而影响了组件效率，无法达到使用寿命超过25年的要求。
[0003]为了提高太阳能电池的抗衰减性能，现有技术主要是对太阳能电池进行光注入来降低衰减，或者对太阳能电池通电来注入载流子，第一种方式通常是在产业化光伏组件封装前需要对太阳能电池进行光处理，主要手段包括：光诱导衰减（LID）、光热衰减（LeTID）、光浸润（lightsoaking）、光退火（lightcuring）等，对不同结构的太阳能电池，其衰减的现象并不一致，存在光致增强或光致衰减两种截然相反的结构；第二种方式则是因为电激励也会对太阳电池的光电性能产生影响，通过电激励注入载流子，也会对太阳电池本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池光电交替激励方法，其特征在于，包括如下步骤：首先、使用直接照射光源对晶体硅太阳能电池进行光浸润；其次、使用直流电流对晶体硅太阳能电池进行电激励；重复循环上述步骤N次，其中，N≥1。2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池光电交替激励方法，其特征在于，所述直接照射光源为碘钨灯或LED灯，直接照射光源的辐照强度介于0
‑
50000 W/m2。3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池光电交替激励方法，其特征在于，每个光浸润的过程中，晶体硅太阳能电池的温度在0
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200℃之间，光浸润时间在0
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2000 h之间。4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池光电交替激励方法，其特征在于，每个电激励的过程中，激励电流强度在0.5
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12安培之间，晶体硅太阳能电池的温度在0
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200℃之间，电激励时间在0
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1 h之间，每个电激励的过程在暗态下进行。5.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池光电交替激励方法，其特征在于，20≥N≥1。6.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞健，唐宁，
申请(专利权)人：苏州莱德新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：