一种臭氧发生装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种臭氧发生装置，包括放电室、高电压电极、低电压电极；所述放电室为绝缘容器，包括第一入口、第一出口及相对的第一侧壁、第二侧壁；所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的空间用于充满反应气体；所述第一入口用于通入所述反应气体；所述第一出口用于通出所述反应气体；所述高电压电极为导电金属电极，设置在所述第一侧壁上，位于所述放电室的外侧；所述低电压电极为导电金属电极，设置在所述第二侧壁上，位于所述放电室的外侧。本实用新型专利技术将高、低电压金属电极设置在放电室的外侧，使放电室内的反应气体不接触金属电极，从而避免反应气体中由于放电反应混入金属离子，提高反应气体的洁净度，进而提高半导体产品生产的成品率。产的成品率。产的成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种臭氧发生装置


[0001]本技术属于臭氧发生设备
，具体地说，是涉及一种臭氧发生装置。

技术介绍

[0002]随着半导体制程技术的飞速发展，芯片线宽已经进入纳米级。相应的，对半导体产品生产设备、工艺材料、生产环境的要求也越来越高。杂质对半导体的特性有着改变或破坏其性能的作用，而杂质各式各样，如金属离子会破坏半导体器件的导电性能，尘埃粒子破坏半导体器件的表面结构等，所以在半导体器件生产过程中对杂质必须严格控制。
[0003]半导体生产需要在洁净厂房进行，据统计，在无洁净级别的要求的环境下生产MOS电路管芯的合格率10%~15%，64位储存器的合格率仅2%。目前在精密机械、半导体、宇航、原子能等工业中应用洁净室已相当普遍，洁净室系统为整条生产线提供洁净的环境，是硅芯片赖以生产加工基本的条件。
[0004]除了洁净厂房外，水的使用也限用为去离子水 (DI water, de
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ionized water)。一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半 (MOS) 晶体管结构之带电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种臭氧发生装置，其特征在于，包括：放电室，其为绝缘容器，包括第一入口、第一出口及相对的第一侧壁、第二侧壁；所述第一侧壁与所述第二侧壁固定连接，其之间的空间用于充满反应气体；所述第一入口用于通入所述反应气体；所述第一出口用于通出所述反应气体；高电压电极，其为导电金属电极，设置在所述第一侧壁上，位于所述放电室的外侧；低电压电极，其为导电金属电极，设置在所述第二侧壁上，位于所述放电室的外侧。2.根据权利要求1所述的臭氧发生装置，其特征在于，所述放电室为环形；所述第一侧壁为圆筒；所述高电压电极设置在所述第一侧壁的内侧；所述第二侧壁为直径大于所述第一侧壁的直径的圆筒，其套装于所述第一侧壁的外侧；所述低电压电极设置在所述第二侧壁的外侧。3.根据权利要求2所述的臭氧发生装置，其特征在于，所述第一入口、第一出口设置在所述第二侧壁的两端的侧部，且位于所述第二侧壁相对的两侧。4.根据权利要求3所述的臭氧发生装置，其特征在于，所述高电压电极为电镀在所述第一侧壁的内侧的第一金...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁香鹏，仉佃仪，
申请(专利权)人：青岛国林环保科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：