一种直流输入的浪涌电流抑制电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种直流输入的浪涌电流抑制电路，包括缓启动电路、MOS开关电路和预充电电路；所述缓启动电路的输出端分别与所述MOS开关电路的栅极和预充电电路的输入端连接；所述缓启动电路的输入端和所述MOS开关电路的源极分别与电源连接；所述MOS开关电路的漏极和所述预充电电路的输出端分别与负载连接；通过设置缓启动电路、MOS开关电路和预充电电路构成直流输入的浪涌电流抑制电路，当直流电源输入后先通过缓启动电路将上电动作延时，使浪涌电流减少，而后预充电电路进行充电，保证MOS开关电路在预充电电路完成充电后才导通，进一步抑制浪涌电流，从而达到降低并抑制电源上电时产生的浪涌电流，避免安全隐患以及设备损坏。设备损坏。设备损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种直流输入的浪涌电流抑制电路


[0001]本技术涉及电子电路领域，特别是涉及一种直流输入的浪涌电流抑制电路。

技术介绍

[0002]目前，大多数开关电源的输入电路大都采用电容滤波型整流电路。在进线电源合闸瞬间，由于电容器上的初始电压为零，电容器充电瞬间会形成很大的浪涌电流即浪涌电流。因此，电源端在上电瞬间会产生比较大的上电电流。
[0003]而在基站天线应用中由于3GPP协议要求，电源输入的浪涌电流要小于400mA。当电源输入的浪涌电流大于400mA或接近400mA时，均会对基站其他设备产生不良的影响，从而容易出现安全隐患以及设备损坏的情况发生。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是：提供一种直流输入的浪涌电流抑制电路，降低电源上电时产生的浪涌电流。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：
[0006]一种直流输入的浪涌电流抑制电路，包括缓启动电路、MOS开关电路和预充电电路；
[0007]所述缓启动电路的输出端分别与所述MOS开关电路的栅极和预充电电路的输入端连接；
[0008]所述缓启动电路的输入端和所述MOS开关电路的源极分别与电源连接；
[0009]所述MOS开关电路的漏极和所述预充电电路的输出端分别与负载连接。
[0010]进一步地，所述缓启动电路包括第一电阻、第二电阻、第一电容和三极管；
[0011]所述第一电阻的一端分别与所述第二电阻的一端、第三电阻的一端以及第一电容的一端连接；所述第一电阻的另一端分别与所述MOS开关电路的源极及电源连接；
[0012]所述第二电阻的另一端分别与所述第一电容的另一端及电源连接；
[0013]所述第一电容的所述另一端接地；
[0014]所述第三电阻的另一端与所述三极管的基极连接；
[0015]所述三极管的集电极分别与所述MOS开关电路的栅极和预充电电路的输入端连接；所述三极管的发射极接地。
[0016]进一步地，所述预充电电路包括第四电阻和第二电容；
[0017]所述第二电容的一端与所述MOS开关电路的栅极连接；
[0018]所述第二电容的另一端与所述第四电阻的一端连接；
[0019]所述第四电阻的另一端与所述MOS开关电路的漏极连接。
[0020]进一步地，所述MOS开关电路包括MOS管和第三电容；
[0021]所述MOS管的源极与所述第三电容的一端连接；
[0022]所述MOS管的栅极与所述第三电容的另一端连接。
[0023]进一步地，还包括第五电阻和第六电阻；
[0024]所述第五电阻的一端与所述MOS开关电路的源极连接，另一端与所述MOS开关电路的栅极连接；
[0025]所述第六电阻的一端与所述MOS开关电路的栅极连接，另一端接地。
[0026]进一步地，还包括第七电阻和第八电阻；
[0027]所述第七电阻的一端与所述MOS开关电路的源极连接；
[0028]所述第七电阻的另一端分别与所述第八电阻以及所述MOS开关电路的栅极连接；
[0029]所述第八电阻的另一端与所述缓启动电路的输出端连接。
[0030]本技术的有益效果在于：通过设置缓启动电路、MOS开关电路和预充电电路构成直流输入的浪涌电流抑制电路，当直流电源输入后先通过缓启动电路将上电动作延时，使浪涌电流减少，而后预充电电路进行充电，保证MOS开关电路在预充电电路完成充电后才导通，进一步抑制浪涌电流，从而达到降低并抑制电源上电时产生的浪涌电流，避免安全隐患以及设备损坏。
附图说明
[0031]图1为本技术实施例中的一种直流输入的浪涌电流抑制电路的电路结构示意图；
[0032]图2为本技术实施例中的一种直流输入的浪涌电流抑制电路的电路结构示意图标号说明：
[0033]R1、第一电阻；R2、第二电阻；R3、第三电阻；R4、第四电阻；R5、第五电阻；R6、第六电阻；R7、第七电阻；R8、第八电阻；C1、第一电容；C2、第三电容；C3、第二电容；Q1、MOS管；Q2、三极管。
具体实施方式
[0034]为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0035]请参照图2，一种直流输入的浪涌电流抑制电路，包括缓启动电路、MOS开关电路和预充电电路；
[0036]所述缓启动电路的输出端分别与所述MOS开关电路的栅极和预充电电路的输入端连接；
[0037]所述缓启动电路的输入端和所述MOS开关电路的源极分别与电源连接；
[0038]所述MOS开关电路的漏极和所述预充电电路的输出端分别与负载连接。
[0039]由上述描述可知，本技术的有益效果在于：通过设置缓启动电路、MOS开关电路和预充电电路构成直流输入的浪涌电流抑制电路，当直流电源输入后先通过缓启动电路将上电动作延时，使浪涌电流减少，而后预充电电路进行充电，保证MOS开关电路在预充电电路完成充电后才导通，进一步抑制浪涌电流，从而达到降低并抑制电源上电时产生的浪涌电流，避免安全隐患以及设备损坏。
[0040]进一步地，所述缓启动电路包括第一电阻、第二电阻、第一电容和三极管；
[0041]所述第一电阻的一端分别与所述第二电阻的一端、第三电阻的一端以及第一电容
的一端连接；所述第一电阻的另一端分别与所述MOS开关电路的源极及电源连接；
[0042]所述第二电阻的另一端分别与所述第一电容的另一端及电源连接；
[0043]所述第一电容的所述另一端接地；
[0044]所述三极管的集电极分别与所述MOS开关电路的栅极和预充电电路的输入端连接；所述三极管的发射极接地。
[0045]由上述描述可知，通过上述连接关系使得当直流电源输入后，通过第一电阻和第二电阻的分压提供三极管导通电压，由于第二电阻与第一电容并联，因此第三电阻前端的电压会随着第一电容的充电缓慢上升，使得三极管基极的电压也需要从零开始缓慢上升，只有当第一电容的充电电压达到三极管的导通电压后三极管才能够导通，从而起到缓启动的效果，降低浪涌电流。
[0046]进一步地，还包括第三电阻；
[0047]所述第一电阻的所述一端与所述第三电阻的一端连接；
[0048]所述第三电阻的另一端与所述三极管的基极连接；
[0049]由上述描述可知，通过设置第三电阻为三极管的基极提供合适的偏置电压，并在三极管导通提供适合的基极电流。
[0050]进一步地，所述预充电电路包括第四电阻和第二电容；
[0051]所述第二电容的一端与所述MOS开关电路的栅极连接；
[0052]所述第二电容的另一端与所述第四电阻的一端连接；
[0053]所述第四电阻的另一端与所述MOS开关电路的漏极连接。
[0054]由上述描述可知，通过第四电阻和第二电容构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直流输入的浪涌电流抑制电路，其特征在于，包括缓启动电路、MOS开关电路和预充电电路；所述缓启动电路的输出端分别与所述MOS开关电路的栅极和预充电电路的输入端连接；所述缓启动电路的输入端和所述MOS开关电路的源极分别与电源连接；所述MOS开关电路的漏极和所述预充电电路的输出端分别与负载连接。2.根据权利要求1所述的一种直流输入的浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述缓启动电路包括第一电阻、第二电阻、第一电容和三极管；所述第一电阻的一端分别与所述第二电阻的一端、第三电阻的一端以及第一电容的一端连接；所述第一电阻的另一端分别与所述MOS开关电路的源极及电源连接；所述第二电阻的另一端分别与所述第一电容的另一端及电源连接；所述第一电容的所述另一端接地；所述三极管的集电极分别与所述MOS开关电路的栅极和预充电电路的输入端连接；所述三极管的发射极接地。3.根据权利要求2所述的一种直流输入的浪涌电流抑制电路，其特征在于，还包括第三电阻；所述第一电阻的所述一端与所述第三电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端与所述三极管的基极连接。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林勇，
申请(专利权)人：深圳市众恒世讯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：