ANPC三电平逆变拓扑电路、控制方法及控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种ANPC三电平逆变拓扑电路、控制方法及控制装置，适用于电路技术领域。各开关管采用MOS管且在每个MOS管中增加一个共源极的MOS管，在各开关控制内第一MOS管较于第二MOS管先开通后关断，使得不同模式下存在一个MOS管为硬开关，其余MOS管为软开关，降低开关管的开关损耗。同时，MOS管导通作为同步整流，导通电阻小，有效减少了导通损耗。另外，仅反并联二极管对应的第一二极管、第四二极管、第五二极管和第六二极管为SIC二极管，高频开关管采用MOS管，由于对应的MOS管续流，其容量较小，采用的成本较少，避免现有搭配方式反并联二极管以及四个高频开关管使用SIC二极管导致的成本增加问题。致的成本增加问题。致的成本增加问题。

【技术实现步骤摘要】
ANPC三电平逆变拓扑电路、控制方法及控制装置


[0001]本专利技术涉及电路
，特别是涉及一种ANPC三电平逆变拓扑电路、控制方法及控制装置。

技术介绍

[0002]逆变器是把电流电能（电池、蓄电瓶等）转变成定频定压或调频调压交流电的转换器。在高压大功率场合的光伏逆变器中通常使用有源中点钳位（Active Neutral
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pointclamped，ANPC）型三电平逆变拓扑。
[0003]图1为现有的ANPC三电平逆变拓扑电路的结构图，由6个开关管T1
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T6以及各自反并联二极管D1
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D6组成，一般的控制方式为T1、T4、T5、T6开关管高频驱动，T2、T3工频驱动。通常有两种搭配方式，一种是6个开关管全部使用绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT），另一种是对于T2、T3开关管使用IGBT，T1、T4、T5、T6开关管以及反并联二极管均采用碳化硅（SIC）二极管。第一种的搭配方式的6个开关管全部采用IGBT，由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ANPC三电平逆变拓扑电路，其特征在于，包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、开关单元、第一开关管和第二开关管；所述第二二极管的阴极与所述第一开关管的集电极连接，所述第二二极管的阳极与所述第一开关管的发射极连接，所述第三二极管的阴极与所述第二开关管的集电极连接，所述第三二极管的阳极与所述第二开关管的发射极连接；所述第一二极管、所述第四二极管、所述第五二极管和所述第六二极管均为SIC二极管，且各自均并联一个所述开关单元，其中所述开关单元包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接，用于在所述第一二极管、所述第四二极管、所述第五二极管和所述第六二极管开关控制内，所述第一MOS管相较于所述第二MOS管先开通，后关断。2.根据权利要求1所述的ANPC三电平逆变拓扑电路，其特征在于，所述第一开关管和所述第二开关管均为IGBT开关管。3.根据权利要求2所述的ANPC三电平逆变拓扑电路，其特征在于，还包括第一电容、第二电容和第一电感；所述第一电容的第一端与所述第一二极管的阴极连接，所述第一电容的第二端、所述第五二极管的阳极、所述第六二极管的阴极与所述第二电容的第一端连接，所述第二电容的第二端与所述第四二极管的阳极连接，所述第一电感的第一端、所述第二二极管的阳极与所述第三二极管的阴极连接。4.一种ANPC三电平逆变拓扑电路的控制方法，其特征在于，应用于权利要求1所述的ANPC三电平逆变拓扑电路，包括：获取所述ANPC三电平逆变拓扑电路的当前运行模式；当所述当前运行模式为有功功率模式时，则在第一时刻关断不提供续流回路对应的开关管的第二MOS管，在第二时刻关断不提供所述续流回路对应的开关管的第一MOS管，在第三时刻开通提供所述续流回路对应的开关管的第一MOS管，在第四时刻开通提供所述续流回路对应的开关管的第二MOS管；当所述当前运行模式为无功功率模式时，则在第一时刻关断提供所述续流回路对应的开关管的第二MOS管，在第二时刻关断提供所述续流回路对应的开关管的第一MOS管，在第三时刻开通不提供所述续流回路对应的开关管的第一MOS管，在第四时刻开通不提供所述续流回路对应的开关管的第二MOS管。5.根据权利要求4所述的ANPC三电平逆变拓扑电路的控制方法，其特征在于，所述当所述当前运行模式为有功功率模式时，则在第一时刻关断不提供续流回路对应的开关管的第二MOS管，在第二时刻关断不提供所述续流回路对应的开关管的第一MOS管，在第三时刻开通提供所述续流回路对应的开关管的第一MOS管，在第四时...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建明，叶智，肖培谦，吴龙生，卢钢，
申请(专利权)人：浙江日风电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：