【技术实现步骤摘要】
一种高纯金属真空升华除杂的装置
[0001]本技术属于高纯金属材料
,尤其涉及一种高纯金属真空升华除杂的装置。
技术介绍
[0002]高纯锑纯度达到99.9999%(6N及以上),6N锑主要用于半导体硅和锗的掺杂元素和制备锑化铟、锑化镓等半导体。用于MBE分子束外延制备单晶薄膜材料则需要使用7N高纯锑,其工艺过程对高纯锑杂质含量要求极高。7N高纯锑的制备方法主要采用真空蒸馏和区域熔炼法,生产过程中用于盛装物料的器具材质一般为石墨舟或石英舟。在生产过程中,石墨舟很容易脱碳进入产品中,聚集在产品表面。同时,石墨舟易吸收空气中的水汽,在生产过程中有部分锑会被氧化漂浮于产品表面;使用石英舟则会使产品与石英舟的接触面Si、Ca等杂质含量较高;目前处理物料表面杂质的方法主要是通过硝酸腐蚀表面,该方法有引入其他杂质的风险。同时,酸洗后需要水洗、烘干等步骤,加大了工作量及安全风险;在7N级别的高纯锑对现场环境和人员操作都有极高要求,产品表面很容易被污染。部分生产高纯锑的厂家对产品的检测都是检测产品内部,且产品检测前都需要经过酸洗表面后 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高纯金属真空升华除杂的装置,其特征在于,包括:加热炉;设置在所述加热炉内的石英管;设置在所述石英管内的石英舟;设置在所述石英管内的坩埚;真空泵,所述真空泵和石英管连通,用于对石英管进行抽真空处理。2.根据权利要求1所述的高纯金属真空升华除杂的装置,其特征在于,所述高纯金属真空升华除杂的装置还包括:石英管管帽,用于对石英管的开口密封。3.根据权利要求1所述的高纯金属真空升华除杂的装置,其特征在于,所述石英舟设置在加热炉的中心位置。4.根据权利要求1所述的高纯金属真空升华除杂的装置,其特征在于,所述石英舟表面设置有碳膜。5.根据权利要求4所述的高纯金属真空升华除杂的装置,其特征在于,所述碳膜的厚度为300~400nm。6.根据权利要求1所述的高纯金属真空升华除...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄杰杰,何志达,李清宇,
申请(专利权)人:广东先导微电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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