【技术实现步骤摘要】
功率变换装置
本专利技术涉及一种功率变换装置(power converter，電力変換装置)，该功率变换装置具有由多个半导体模块等的电气部件并联连接而成的电路。
技术介绍
采用绝缘栅型双极晶体管(IGBT)等高速半导体开关元件的功率变换装置在各个领域得到了广泛的利用。近年来，随着半导体技术的进步，已经开发出了大容量半导体模块，而构成逆变器的上下臂的半导体开关是由一个模块构成的半导体模块也得到了广泛的利用。并且，将多个半导体模块并联连接而实现大容量化的技术也已得到了开发。在并联连接时，如果各个半导体元件的电流负担不均匀，则使用条件和寿命将由负担重的一侧决定，所以有必要进行均衡化。作为影响并联连接时的电流均等化的主要因素，可以列举出半导体元件特性的差异、栅极驱动电路的差异以及主电路布线电感的差异等。其中，针对半导体元件特性的差异，一般采取对半导体元件进行选择的方法以使并联元件之间的特性均等化。针对栅极驱动电路的差异，例如如专利文献1所示，可以采取通过使栅极驱动电路的一部分磁耦合，来抑制在并联栅极之间循环的电流，从而实现均等化的方法。另一方面，在使主电路布线电感均等化...
【技术保护点】
一种功率变换装置，该功率变换装置具备多个至少具有一对正极端子和负极端子的电气部件，所述多个电气部件具有由电连接至所述各个正极端子上的正极侧导体以及电连接至所述各个负极端子上的负极侧导体并联连接而形成的电路，该功率变换装置的特征在于， 所述正极侧电极具有分别与所述多个电气部件中的第一电气部件的所述正极端子以及第二电气部件的所述正极端子相连接的第一导体区域和第二导体区域，所述负极侧电极具有分别与所述多个电气部件中的第一电气部件的所述负极端子以及第二电气部件的所述负极 端子相连接的第三导体区域和第四导体区域，所述第一导体区域和所述第四导体区域具有相对向...
【技术特征摘要】
JP 2005-11-28 2005-341348;JP 2006-6-23 2006-1732611、一种功率变换装置，该功率变换装置具备多个至少具有一对正极端子和负极端子的电气部件，所述多个电气部件具有由电连接至所述各个正极端子上的正极侧导体以及电连接至所述各个负极端子上的负极侧导体并联连接而形成的电路，该功率变换装置的特征在于，所述正极侧电极具有分别与所述多个电气部件中的第一电气部件的所述正极端子以及第二电气部件的所述正极端子相连接的第一导体区域和第二导体区域，所述负极侧电极具有分别与所述多个电气部件中的第一电气部件的所述负极端子以及第二电气部件的所述负极端子相连接的第三导体区域和第四导体区域，所述第一导体区域和所述第四导体区域具有相对向层叠并且相互之间保持电绝缘的第一对向部分，所述第二导体区域和所述第三导体区域具有相对向层叠并且相互之间保持电绝缘的第二对向部分。2、根据权利要求1所述的功率变换装置，其特征在于，在所述第一对向部分中，因流过所述第一导体区域和所述第三导体区域的电流而产生磁耦合，而在所述第二对向部分中，因流过所述第二导体区域和所述第四导体区域的电流而产生磁耦合。3、根据权利要求1或2所述的功率变换装置，其特征在于，所述第一对向部分与所述第二对向部分相互之间不重叠。4、根据权利要求1至3中任一项所述的功率变换装置，其特征在于，所述第一对向部分中的所述第四导体区域以及所述第二对向部分中的所述第三导体区域设置在大致同一平面上，而所述第一对向部分中的所述第一导体区域以及所述第二对向部分中的所述第二导体区域设置在不同的平面上。5、根据权利要求1至3中任一项所述的功率变换装置，其特征在于，所述第一对向部分中的所述第一导体区域...
【专利技术属性】
技术研发人员：森和久，伊君高志，岸川孝生，迫田友治，大沼直人，绫野秀树，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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