一种析氧光阳极材料的制备方法技术

本发明专利技术属于光电化学水分解光电极材料制备技术领域，具体涉及一种析氧光阳极材料的制备方法。本发明专利技术采用双源电子束沉积法直接在导电基底上制备钡钽氮氧化物前驱体薄膜，然后通过高温氮化法制备钡钽氮氧化物薄膜的析氧光阳极材料，并将其运用于光电化学水分解反应。本发明专利技术可通过调控双源电子束沉积过程中最佳Ba/Ta原子比和沉积的薄膜厚度对最终的BaTaO2N纳米颗粒薄膜精准调参，工艺重复性高，并且所得薄膜结晶度高、分布均匀，能够有效抑制低价Ta缺陷浓度和杂质相的形成。制低价Ta缺陷浓度和杂质相的形成。制低价Ta缺陷浓度和杂质相的形成。

【技术实现步骤摘要】
一种析氧光阳极材料的制备方法


[0001]本专利技术属于光电化学水分解光电极材料制备
，具体涉及一种析氧光阳极材料(钙钛矿型钡钽氮氧化物薄膜)的制备方法。基于双源电子束沉积法直接在导电基底上制备钡钽氮氧化物前驱体薄膜，然后通过高温氮化法制备钡钽氮氧化物薄膜，并将其运用于光电化学水分解反应。

技术介绍

[0002]由于日益增长的能源需求和环境问题亟待解决，开发和利用可再生能源成为经济社会可持续发展的必然选择。将太阳能转化为氢能被认为是一种有前途的可持续和环境友好的战略。光电化学(PEC)水分解是一种利用半导体材料吸收太阳能将水转化为氢气和氧气的技术。半导体材料制备的光电极是PEC水分解反应的关键组件，在各种半导体材料中，钙钛矿型氮氧化物半导体AB(O,N)3(A＝Ba，Sr，Ca，La；B＝Ta，Nb，Ti)引起了广泛的关注，不同A位和B位过渡金属的组合可以有效地调节带隙宽度，广泛利用可见光。其中钙钛矿型BaTaO2N具有1.8eV的窄带隙和合适的带边位置，其导带和价带位置可以跨越水分解的还原和氧化电位，理论上允许在无外加偏压的条件下实现P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种析氧光阳极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、清洁金属基底；步骤2、将Ba源和Ta源放入双源电子束沉积系统的坩埚中，并将步骤1中清洁的金属基底放入电子束沉积系统的样品台中，将双源电子束沉积系统抽真空至真空度高于8
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‑6Torr；步骤3、利用两个石英微晶检测天平分别检测BaF2和Ta2O5的沉积速率和沉积厚度，设置Ba/Ta原子比为1
‑
3，利用双源电子束沉积系统以同时开始并同时结束的方式在金属基底制备钡钽化物前驱体薄膜；步骤4、将步骤3中制备好的钡钽化物前驱体薄膜装入石英舟中并密封于高温管式炉中，在1074

【专利技术属性】
技术研发人员：李严波，罗鑫，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：