负反转构造成因分析方法、系统、电子设备、存储介质技术方案

一种负反转构造成因分析方法、系统、电子设备、存储介质，所述方法包括：构建负反转构造的地质生成模型，其中，所述地质生成模型包括通过先存板式断层隔开的两个地层；依次按照挤压阶段、伸展反转阶段对应地控制所述地质生成模型，其中，所述伸展反转阶段的两个地层的伸展角度可调整；记录各阶段不同伸展角度下所述地质生成模型的几何学和运动学特征；获取待分析的地区的地理特征，将所述地理特征与所述几何学和运动学特征做匹配，判断所述待分析的地区是否属于负反转构造，若是，获取所述待分析的地区在伸展反转阶段的伸展角度。能够对临河坳陷的负反转盆地做成因分析，分析其在不同时期的构造沉积面貌，为该地的地质勘探提出补充建议。建议。建议。

【技术实现步骤摘要】
负反转构造成因分析方法、系统、电子设备、存储介质


[0001]本专利技术涉及构造地质学
，尤其涉及一种负反转构造成因分析方法、系统、电子设备、存储介质。

技术介绍

[0002]离散元模拟(Distinct/Discrete Element Method for Modeling)是研究构造动力学的有效方法。离散元适用于非连续介质的破裂问题研究，并已广泛用于研究构造地质中的大变形问题。
[0003]目前的研究均采用单期或多期同向伸展或同向挤压模拟方式，而关于早期挤压叠加晚期伸展的负反转构造，尚缺乏研究。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种负反转构造成因分析方法、系统、电子设备、存储介质。
[0005]本专利技术提供的一种负反转构造成因分析方法，所述方法包括：
[0006]构建负反转构造的地质生成模型，其中，所述地质生成模型包括通过先存板式断层隔开的两个地层；
[0007]依次按照挤压阶段、伸展反转阶段对应地控制所述地质生成模型，其中，所述伸展反转阶段的两个地层的伸展角度可调整；
[0008]记录各阶段不同伸展角度下所述地质生成模型的几何学和运动学特征；
[0009]获取待分析的地区的地理特征，将所述地理特征与所述几何学和运动学特征做匹配，判断所述待分析的地区是否属于负反转构造，若是，获取所述待分析的地区在伸展反转阶段的伸展角度。
[0010]根据本专利技术提供的一种负反转构造成因分析方法，所述地质生成模型包括：
[0011]受力箱体，所述受力箱体内部充填颗粒；
[0012]设置在所述受力箱体底部的顺次连接的第一刚性基底、可变形基底和第二刚性基底；
[0013]设置在第一刚性基底和可变性基底连接处且与所述第一刚性基底呈第一角度的先存板式断层；
[0014]其中，所述第一刚性基底和先存板式断层及其内的颗粒构成位置固定的第一地层，所述第二刚性基底、可变形基底和先存板式断层及其内的颗粒构成向所述第一地层先挤压再反向伸展的第二地层。
[0015]根据本专利技术提供的一种负反转构造成因分析方法，所述受力箱体内充填颗粒的属性参数分别设置为孔隙度0.15、密度2600.0kg/m3、球体颗粒粒径为0.03m。
[0016]根据本专利技术提供的一种负反转构造成因分析方法，所述先存板式断层与所述第一刚性基底的角度为60
°
。
[0017]根据本专利技术提供的一种负反转构造成因分析方法，所述记录各阶段不同伸展角度下所述地质生成模型的几何学和运动学特征，包括：
[0018]对地质生成模型的构成颗粒分别进行垂直位移量分析和水平位移量分析，形成多个区带。
[0019]根据本专利技术提供的一种负反转构造成因分析方法，所述挤压阶段、伸展反转阶段之间还设置有盖层沉积阶段。
[0020]本专利技术还提供的一种负反转构造成因分析系统，所述系统包括：
[0021]构造模块，所述构造模块构建负反转构造的地质生成模型，其中，所述地质生成模型包括通过先存板式断层隔开的两个地层；
[0022]生成模块，所述生成模块依次按照挤压阶段、伸展反转阶段对应地控制所述地质生成模型，其中，所述伸展反转阶段的两个地层的伸展角度可调整；
[0023]记录模块，所述记录模块记录各阶段不同伸展角度下所述地质生成模型的几何学和运动学特征；
[0024]判断模块，所述判断模块获取待分析的地区的地理特征，与所述几何学和运动学特征做匹配，判断所述待分析的地区是否属于负反转构造，若是，获取所述待分析的地区在伸展反转阶段的伸展角度。
[0025]本专利技术还提供的一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上述任一项所述负反转构造成因分析方法的步骤。
[0026]本专利技术还提供的一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一项所述负反转构造成因分析方法的步骤。
[0027]本专利技术还提供的一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一项所述负反转构造成因分析方法的步骤。
[0028]本专利技术提供的负反转构造成因分析方法、系统、电子设备、存储介质，能够对临河坳陷的负反转盆地做成因分析，分析其在不同时期的构造沉积面貌，为该地的地质勘探提出补充建议。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1为本专利技术公布的一种地质生成模型的结构示意图；
[0031]图2为本专利技术公布的一种地质生成模型的初始状态顶面图；
[0032]图3为本专利技术公布的一种地质生成模型的变形结束顶面图；
[0033]图4为本专利技术公布的负反转构造早期挤压阶段变形演化过程图；
[0034]图5为本专利技术公布的负反转构造早期挤压阶段演化过程颗粒累计位移总量图；
[0035]图6为本专利技术公布的负反转构造早期挤压阶段演化过程颗粒垂直位移量图；
[0036]图7为本专利技术公布的第一实验叠加角度0
°
伸展阶段演化过程图；
[0037]图8为本专利技术公布的异向伸展实验模拟结果与第一实验对比图；
[0038]图9为本专利技术公布的异向伸展实验与第一实验垂向位移对比图；
[0039]图10为本专利技术公布的异向伸展实验与第一实验顶面构造对比图；
[0040]图11为本专利技术公布的异向伸展实验与第一实验切片构造对比图；
[0041]图12为本专利技术公布的临河坳陷吉兰泰凹陷三维构造示意图；
[0042]图13为本专利技术提供的一种负反转构造成因分析方法流程示意图；
[0043]图14为本专利技术提供的一种负反转构造成因分析系统结构示意图；
[0044]图15为本专利技术提供的一种电子设备的实体结构示意图；
[0045]图16为图6中A处的局部放大示意图；
[0046]图17为图6中B处的局部放大示意图；
[0047]图18为图6中C处的局部放大示意图。
[0048]附图标记：1
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花岗片麻岩，2
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片岩，3
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砾岩，4
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砂岩，5
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粉砂岩，6
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太古界，7
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元古界，8
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李三沟组下段，9
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李三沟组上段，10
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固阳组，11
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古近系，12
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新近系，13
‑
先存板式断层，14
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负反转构造成因分析方法，其特征在于，所述方法包括：构建负反转构造的地质生成模型，其中，所述地质生成模型包括通过先存板式断层隔开的两个地层；依次按照挤压阶段、伸展反转阶段对应地控制所述地质生成模型，其中，所述伸展反转阶段的两个地层的伸展角度可调整；记录各阶段不同伸展角度下所述地质生成模型的几何学和运动学特征；获取待分析的地区的地理特征，将所述地理特征与所述几何学和运动学特征做匹配，判断所述待分析的地区是否属于负反转构造，若是，获取所述待分析的地区在伸展反转阶段的伸展角度。2.根据权利要求1所述的负反转构造成因分析方法，其特征在于，所述地质生成模型包括：受力箱体，所述受力箱体内部充填颗粒；设置在所述受力箱体底部的顺次连接的第一刚性基底、可变形基底和第二刚性基底；设置在第一刚性基底和可变性基底连接处且与所述第一刚性基底呈第一角度的先存板式断层；其中，所述第一刚性基底和先存板式断层及其内的颗粒构成位置固定的第一地层，所述第二刚性基底、可变形基底和先存板式断层及其内的颗粒构成向所述第一地层先挤压再反向伸展的第二地层。3.根据权利要求2所述的负反转构造成因分析方法，其特征在于，所述受力箱体内充填颗粒的属性参数分别设置为孔隙度0.15、密度2600.0kg/m3、球体颗粒粒径为0.03m。4.根据权利要求2所述的负反转构造成因分析方法，其特征在于，所述先存板式断层与所述第一刚性基底的角度为60
°
。5.根据权利要求1所述的负反转构造成因分析方法，其特征在于，所述记录各阶段不同伸展角度下所述地质生成模型的几何学和运动学特...

【专利技术属性】
技术研发人员：于福生，于之沣，王一丹，刘志娜，
申请(专利权)人：中国石油大学北京，
类型：发明
国别省市：