非易失存储介质的低成本实现结构、控制方法、芯片及电子设备技术

本发明专利技术提供了一种非易失存储介质的低成本实现结构、控制方法、芯片及电子设备。其中低成本实现结构包括若干一次性可编程存储器、状态控制器、行地址解码器和列地址解码器。通过本技术方案，能够不依赖传统的FTP单元，由一次性可编程存储器实现有限次编辑(Few Time Programmable，FTP)功能，适用于擦写次数较少的应用场景，可靠性高，兼容普通技术工艺，具有可推广价值。可推广价值。可推广价值。

【技术实现步骤摘要】
非易失存储介质的低成本实现结构、控制方法、芯片及电子设备


[0001]本专利技术涉及芯片制备
，具体地，公开了一种非易失存储介质的低成本实现结构、控制方法、芯片及电子设备。

技术介绍

[0002]在非易失存储介质领域中，存在有OTP(One Time Programable)，FTP(Few Time Programable)，MTP(Multi Time Programable)，EEPROM/Flash(可擦写次数达10万次)等多种存储形式。其中传统的FTP结构往往采用浮栅结构进行设计，该种设计需要用到高压电路，具有结构复杂，读写电路面积巨大，重新擦除速度极慢的应用痛点。
[0003]而在实际应用过程中，虽然很多客户都有对FTP的需求，但实际能提供可靠FTP单元的供应商很少。此外，在诸如密钥，控制器个性化设置等应用场景中，用户对于存储器的实际擦写次数的需求往往在10次左右的区间内，针对这类应用场景更是迫切需要一种简单易用并且可靠的FTP实现方案。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失存储介质的低成本实现结构，其特征在于，所述低成本实现结构包括：若干一次性可编程存储器，全体所述一次性可编程存储器组成所述一次性可编程存储器阵列；状态控制器，连接所述一次性可编程存储器阵列，用于根据接收到的指令对所述一次性可编程存储器阵列进行刷新操作和/或重写操作；行地址解码器和列地址解码器，分别连接所述状态控制器和所述一次性可编程存储器阵列，用于根据所述刷新操作和/或所述重写操作对所述一次性可编程存储器阵列中的对应区域进行读写操作；其中，所述低成本实现结构的可擦写次数与所述一次性可编程存储器阵列所包含的所述一次性可编程存储器的数量相关。2.如权利要求1所述的非易失存储介质的低成本实现结构，其特征在于，所述一次性可编程存储器阵列包括若干存储介质区域和跳转控制区域；所述跳转控制区域用于决定当次读写操作对应的所述存储介质区域。3.如权利要求1所述的非易失存储介质的低成本实现结构，其特征在于，在所述一次性可编程存储器阵列处于上电状态时，需要通过所述状态控制器执行所述刷新操作；在所述刷新操作的过程中，通过读取地址位0上的若干项一次性可编程存储数据以决定所述对应区域。4.如权利要求3所述的非易失存储介质的低成本实现结构，其特征在于，在所述刷新操作执行完成的情况下，针对所述对应区域进行所述读写操作。5.如权利要求3所述的非易失存储介质的低成本实现结构，其特征在于，在通过读取所述地址位0上的若干项所述一次性可编程存储数据以决定所述对应区域的过程中，所述对应区域指向前次上电...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗志宏，刘文超，梁毅，
申请(专利权)人：上海概伦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：