一种推挽升压电路模块及推挽升压电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种推挽升压电路模块及推挽升压电路，包括推挽变压器Tx、开关管Q3及开关管Q4；推挽变压器Tx的第二端和第三端均与外接输入电源连接，开关管Q3的漏极和开关管Q4的漏极分别连接到推挽变压器Tx初级绕组的第一端和第四端，开关管Q3的源极和开关管Q4的源极均接地，开关管Q3的栅极和开关管Q4的栅极分别外接驱动电路模块；开关管Q3的栅极与漏极之间连接有电容C34，开关管Q4的栅极与漏极之间连接有电容C35，可以增强弥勒效应，延长充电时间，使损耗的时间加长，当开关管关断时，由于弥勒效应的发生大部分峰值电压已在开关管开启的过程中被消耗掉，故不会引起反向电压峰值过大。过大。过大。

【技术实现步骤摘要】
一种推挽升压电路模块及推挽升压电路


[0001]本技术涉及推挽电路
，尤其是一种推挽升压电路模块及推挽升压电路。

技术介绍

[0002]在推挽升压电路中，当开关管关断时会产生反向尖峰电压，现有的推挽升压电路中无法对反向尖峰电压进行有效地抑制，通常会增加大功率的TVS（瞬态二极管），或降低开关管的开关速度来达到吸收反向峰值电压的目的，其电路成本高，且系统转换效率低。

技术实现思路

[0003]鉴于上述情况，有必要提供一种推挽升压电路模块及推挽升压电路，可以解决现有的推挽升压电路中无法对反向尖峰电压进行有效地抑制，且电路成本高、系统转换效率低的问题。
[0004]为实现上述目的，第一方面，本技术提供了一种推挽升压电路模块，包括：推挽变压器Tx、开关管Q3及开关管Q4；
[0005]推挽变压器Tx的第二端和第三端均与外接输入电源连接，开关管Q3的漏极和开关管Q4的漏极分别连接到推挽变压器Tx初级绕组的第一端和第四端，开关管Q3的源极和开关管Q4的源极均接地，开关管Q3的栅极和开关管Q4的栅极分别外接驱动电路模块；
[0006]开关管Q3的栅极与漏极之间连接有电容C34，开关管Q4的栅极与漏极之间连接有电容C35，开关管Q3的漏极与源极之间连接有电容C36，开关管Q4的漏极与源极之间连接有电容C37。
[0007]进一步地，还包括电阻R13、二极管D5、电阻R24及二极管D10，电阻R13与二极管D5并联，电阻R24与二极管D10并联；二极管D5的阳极、二极管D10的阳极分别与开关管Q3的栅极和开关管Q4的栅极连接，二极管D5的阴极、二极管D10的阴极分别外接驱动电路模块。
[0008]进一步地，开关管Q3的栅极与源极之间、开关管Q4的栅极与源极之间分别设有泄放电阻R3及泄放电阻R18。
[0009]进一步地，开关管Q3的栅极与二极管D5之间连接有驱动电阻R6，开关管Q4的栅极与二极管D10之间连接有驱动电阻R20。
[0010]第二方面，本技术提供了一种推挽升压电路，包括第一方面中任一推挽升压电路模块。
[0011]进一步地，还包括控制电路模块和驱动电路模块；控制电路模块与驱动电路模块连接，驱动电路模块与推挽升压电路模块连接。
[0012]进一步地，驱动电路模块设有两组，分别用于驱动推挽升压电路模块中的开关管Q3及开关管Q4。
[0013]进一步地，驱动电路模块包括NPN型三极管、PNP型三极管及场效应管；
[0014]场效应管的栅极与控制电路模块连接，场效应管的漏极分别与NPN型三极管的基
极及PNP型三极管的基极连接，场效应管的源极接地；NPN型三极管的发射极与PNP型三极管的发射极连接，NPN型三极管的集电极与外接电源连接，PNP型三极管的集电极接地。
[0015]进一步地，控制电路模块包括CSU32P10芯片。
[0016]通过以上技术方案，本技术的至少具有如下有益效果：
[0017]1、在开关管导通后，其Vds开始下降，Id开始上升，此时开关管进入饱和区，但由于管结电容的作用，会产生弥勒效应，故Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容（Crss）充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时开关管进入电阻区，此时Vds彻底下降。通过在开关管Q3、开关管Q4二者的栅极与漏极之间分别连接电容C34及电容C35，可以增强弥勒效应，延长充电时间，使损耗的时间加长，故在推挽升压过程中，开关管关断时，由于弥勒效应的发生大部分峰值电压已在开关管开启的过程中被消耗掉，故不会引起反向电压峰值过大。在开关管Q3、开关管Q4二者的漏极与源极之间连接有电容C36及电容C37，可以减缓在发生弥勒效应时开关管Vds发生的振荡。
[0018]2、本申请仅需通过简单的电容元件即可达到解决反向峰值电压的问题，可以更利于EMC测试，在原有的电路上几乎不增加生产成本，同时避免了采用其他方式吸收反向峰值电压造成系统转换效率低的问题；
[0019]3、同时，在考虑开关管Cgd、Cds的选型上，减少了匹配选择困难，可以通过调整电容C34、电容C35、电容C36及电容C37的大小来匹配更多不同规格的开关管。
附图说明
[0020]100、推挽升压电路模块；200、控制电路模块；300、驱动电路模块。
[0021]图1是本技术实施例一的推挽升压电路模块示意图；
[0022]图2是本技术实施例二的控制电路模块示意图；
[0023]图3是本技术实施例二的驱动电路模块示意图；
[0024]图4是本技术实施例二的原理框图。
具体实施方式
[0025]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术一种推挽升压电路模块及推挽升压电路进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0026]实施例一
[0027]可了解的，米勒效应指其输入输出之间的分布电容Cgd在反相放大的作用下，使得等效输入电容值放大的效应，米勒效应会形成米勒平台。当Cgs达到门槛电压之后，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容（Cgd）充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，Vds彻底降下，开通结束。
[0028]请参照图1，本技术提供了一种推挽升压电路模块，包括：推挽变压器Tx、开关管Q3及开关管Q4；推挽变压器Tx的第二端和第三端均与外接输入电源连接，开关管Q3的漏极和开关管Q4的漏极分别连接到推挽变压器Tx初级绕组的第一端和第四端，开关管Q3的源
极和开关管Q4的源极均接地，开关管Q3的栅极和开关管Q4的栅极分别外接驱动电路模块；开关管Q3的栅极与漏极之间连接有电容C34，开关管Q4的栅极与漏极之间连接有电容C35，开关管Q3的漏极与源极之间连接有电容C36，开关管Q4的漏极与源极之间连接有电容C37。本申请通过在开关管Q3、开关管Q4二者的栅极与漏极之间分别连接电容C34及电容C35，可以增强弥勒效应，延长充电时间，使损耗的时间加长，故在推挽升压过程中，开关管关断时，由于弥勒效应的发生大部分峰值电压已在开关管开启的过程中被消耗掉，故不会引起反向电压峰值过大。在开关管Q3、开关管Q4二者的漏极与源极之间连接有电容C36及电容C37，可以减缓在发生弥勒效应时开关管Vds发生的振荡。
[0029]在本实施例中，还包括电阻R13、二极管D5、电阻R24及二极管D10，电阻R13与二极管D5并联，电阻R24与二极管D10并联；二极管D5的阳极、二极管D10的阳极分别与开关管Q3的栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种推挽升压电路模块，其特征在于，包括：推挽变压器Tx、开关管Q3及开关管Q4；所述推挽变压器Tx的第二端和第三端均与外接输入电源连接，所述开关管Q3的漏极和所述开关管Q4的漏极分别连接到所述推挽变压器Tx初级绕组的第一端和第四端，所述开关管Q3的源极和所述开关管Q4的源极均接地，所述开关管Q3的栅极和所述开关管Q4的栅极分别外接驱动电路模块；所述开关管Q3的栅极与漏极之间连接有电容C34，所述开关管Q4的栅极与漏极之间连接有电容C35，所述开关管Q3的漏极与源极之间连接有电容C36，所述开关管Q4的漏极与源极之间连接有电容C37。2.根据权利要求1所述的一种推挽升压电路模块，其特征在于，还包括电阻R13、二极管D5、电阻R24及二极管D10，所述电阻R13与所述二极管D5并联，所述电阻R24与所述二极管D10并联；所述二极管D5的阳极、所述二极管D10的阳极分别与所述开关管Q3的栅极和所述开关管Q4的栅极连接，所述二极管D5的阴极、所述二极管D10的阴极分别外接所述驱动电路模块。3.根据权利要求1所述的一种推挽升压电路模块，其特征在于，所述开关管Q3的栅极与源极之间、所述开关管Q4的栅极与源极之间分别设有泄放电阻R3及泄放电阻R18。4.根据权利要求2所述的一种推挽升压电路模块，其特征在于，所述开关管Q3的栅极与所述二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜燕清，
申请(专利权)人：深圳久顶科技有限公司，
类型：新型
国别省市：