【技术实现步骤摘要】
一种低压差线性稳压电路
[0001]本专利技术涉及电子电路
,尤其涉及一种低压差线性稳压电路。
技术介绍
[0002]电源管理类芯片中的直流变换稳压器主要包括线性稳压器(low dropout regulator,LDO)、电感开关电源和电荷泵。电感开关电源功耗损耗较小,但是结构复杂、具有较多的外围电路、占用面积较大并且具有较大的输出纹波。电荷泵的工作效率较高,但是需要外接电容且输出波纹和电磁干扰都较大。LDO因其结构简单、功耗低、尺寸小、价格低廉、宽带宽和噪声抑制能力的优点,被广泛应用于模拟数字转换器、数字模拟转换器、锁相环电路等电路中。
[0003]传统的LDO在不同的负载条件下,主极点的位置会发生变化,由于传统的LDO还有一个大的输出电容,传统的LDO的主极点在输出端,轻负载时,输出阻抗较大,输出端的极点在低频;重负载时输出阻抗较小,输出极点移动到高频,这也就导致了系统的不稳定,并且大的输出电容,也增大了产品的复杂度、体积和成本。输出无片外电容稳压器更容易集成在系统在芯片上,采用电压跟随器(FVF)结构的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低压差线性稳压电路,其特征在于,包括:放大器、电压跟随器、功率管以及动态偏置子电路;所述放大器的第一输入端与参考电压端连接,所述电压跟随器的第一跟随控制端与所述动态偏置子电路的第一偏置电压输出端连接,第二跟随控制端与所述动态偏置子电路的第二偏置电压输出端连接,第三跟随控制端与所述放大器的输出端连接;所述功率管的栅极与所述电压跟随器中的第一节点连接,所述功率管的漏极、所述放大器的第二输入端、所述电压跟随器的第二节点、所述动态偏置子电路的第一偏压控制端、所述动态偏置子电路的第二偏压控制端均与稳压输出端连接,所述稳压输出端用于向负载输出目标电压;在负载电流降低过程中,所述动态偏置子电路的第一偏置电压输出端向所述第一跟随控制端提供第一偏置电流,第二偏置电压输出端向所述第二跟随控制端提供第二偏置电流,使得所述目标电压处于稳压状态;在负载电流升高过程中,所述动态偏置子电路的第一偏置电压输出端向所述第一跟随控制端提供第三偏置电流,第二偏置电压输出端向所述第二跟随控制端提供第四偏置电流,使得所述目标电压处于稳压状态。2.如权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述第一偏置电流与所述第三偏置电流的方向相反,所述第二偏置电流与所述第四偏置电流的方向相反。3.如权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述电压跟随器包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管;所述第一晶体管的源极与所述功率管的源极连接,所述第一晶体管的漏极、所述功率管的栅极以及所述第四晶体管的漏极经过所述第一节点连接,所述第一晶体管的栅极与所述第一偏置电压输出端连接,所述第三晶体管的源极与所述功率管的漏极经过所述第二节点连接,所述第三晶体管的栅极作为所述第二跟随控制端,所述第三晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极以及所述第四晶体管的源极连接,所述第二晶体管的栅极与所述第二偏置电压输出端连接,所述第二晶体管的源极接地,所述第四晶体管的栅极与第三偏置电压输出端连接。4.如权利要求3所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述第一晶体管以及所述第三晶体管为PMOS管,所述第二晶体管以及所述第四晶体管为NMOS管。5.如权利要求1所述的低压差线性稳压电路,其特征在于,所述动态偏置子电路,包括:第五晶体管与第六晶体管,所述第五晶体管的栅...
【专利技术属性】
技术研发人员:卢燕鸽,陈鸣,徐文静,周莉,王海永,陈杰,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:
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