一种耐高温高灵敏度气体传感器及其制备方法技术

本发明专利技术属于气体传感技术领域，具体为一种耐高温高灵敏度气体传感器及其制备方法。本发明专利技术包括：在n型重掺杂的SiC衬底上外延一层p型SiC；在p型SiC上再外延生长一层n型重掺杂的SiC，形成npn三明治结构；在三明治结构上形成一个三角形凹槽；在凹槽中淀积一层氧化物介质材料；在氧化物介质材料上淀积一层贵重金属纳米颗粒。本发明专利技术利用SiC材料耐高温的特点以及贵重金属纳米颗粒比表面积高的优点，实现高温高灵敏度气体传感探测。高灵敏度气体传感探测。高灵敏度气体传感探测。

【技术实现步骤摘要】
一种耐高温高灵敏度气体传感器及其制备方法


[0001]本专利技术属于气体传感
，具体涉及一种气体传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前商用化的气体探测器大都数工作在
‑
40度到70度温度范围之内。然而许多工业应用场所，如冶金工业、火力发电厂以及石油勘探等有很多高温工作区，一般工作温度可高达150度左右。在这种高温环境下，常规的气体探测器无法正常可靠工作，工业界急需一种气体传感器具有良好的耐高温特性，具有较高的检测精度和灵敏度，具有较好的气体探测稳定性，并且在高温环境下具有较长的使用寿命。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种耐高温高灵敏度气体传感器及其制备方法，以实现高温环境下气体探测。
[0004]本专利技术提出的耐高温高灵敏度气体传感器的制备方法，具体步骤如下：（1）在n型重掺杂的SiC衬底上外延一层p型SiC；（2）在p型SiC上再外延生长一层n型重掺杂的SiC，形成npn三明治结构；（3）在npn三明治结构上形成一个三角形凹槽；（4）在三角凹槽中淀积一层氧化物介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐高温高灵敏度气体传感器的制备方法，其特征在于，具体步骤如下（1）在n型重掺杂的SiC衬底上外延一层p型SiC；（2）在p型SiC上再外延生长一层n型重掺杂的SiC，形成npn三明治结构；（3）在npn三明治结构上形成一个三角形凹槽；（4）在三角凹槽中淀积一层氧化物介质材料；（5）在氧化物介质材料上淀积一层贵重金属纳米颗粒。2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1）中所述的n型重掺杂的SiC衬底，其厚度为200μm～ 500μm，掺杂浓度为10
19
～10
20 cm
‑3；所述的外延p型SiC，其厚度为1μm ～ 10μm，掺杂浓度为10
16
～10
18 cm
‑3。3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的外延...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇志军，杨强强，贺瑞坡，
申请(专利权)人：有云信息科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：