含氟聚合物的制造方法、聚四氟乙烯的制造方法、全氟弹性体的制造方法和组合物技术

提供一种制造方法，其为在聚合物(1)的存在下在水性介质中将含氟单体聚合而得到含氟聚合物的含氟聚合物的制造方法，其中，聚合物(1)为通式(1)所示的单体(1)的聚合物，并且，单体(1)的二聚物和三聚物的含量相对于聚合物(1)为1.0质量％以下。CF2＝CF

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含氟聚合物的制造方法、聚四氟乙烯的制造方法、全氟弹性体的制造方法和组合物


[0001]本专利技术涉及含氟聚合物的制造方法、聚四氟乙烯的制造方法、含有聚四氟乙烯的组合物、低分子量聚四氟乙烯的制造方法、含有低分子量聚四氟乙烯的组合物、全氟弹性体的制造方法、含有全氟弹性体的组合物、部分氟化橡胶的制造方法、以及含有部分氟化橡胶的组合物。

技术介绍

[0002]专利文献1中记载了一种包含含氟聚合物的块和氟化离聚物的核的颗粒。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2010/075494号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]本专利技术中，目的在于提供一种能够制造含氟聚合物的制造方法，该含氟聚合物实质上不含有构成含氟单体的聚合中使用的聚合物的单体的二聚物和三聚物。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]根据本专利技术，提供一种制造方法，其为在聚合物(1)的存在下在水性介质中将含氟单体聚合而得到含氟聚合物的含氟聚合物的制造方法，其中，聚合物(1)为通式(1)所示的单体(1)的聚合物，并且，单体(1)的二聚物和三聚物的含量相对于聚合物(1)为1.0质量％以下。
[0010]CF2＝CF
‑
R
‑
CZ1Z2‑
A0ꢀꢀꢀ
(1)
[0011](式中，R为连接基团，Z1和Z2各自独立地为F或CF3，A0为阴离子性基团。)
>[0012]本专利技术的制造方法中，单体(1)优选为通式(2)所示的单体(2)。
[0013]CF2＝CF
‑
R
‑
CZ1Z2‑
COOM
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(2)
[0014](式中，R为连接基团，Z1和Z2各自独立地为F或CF3，M为H、金属原子、NR
74
、具有或不具有取代基的咪唑鎓、具有或不具有取代基的吡啶鎓或者具有或不具有取代基的磷鎓，R7为H或有机基团。)
[0015]本专利技术的制造方法中，单体(1)优选为通式(4)所示的单体(4)。
[0016]CF2＝CF(
‑
O
‑
Rf
‑
A)
ꢀꢀ
(4)
[0017](式中，Rf是碳原子数为1～40的含氟亚烷基、或者碳原子数为2～100的具有醚键或酮基的含氟亚烷基。A为
‑
COOM、
‑
SO3M、
‑
OSO3M或
‑
C(CF3)2OM(M为H、金属原子、NR
74
、具有或不具有取代基的咪唑鎓、具有或不具有取代基的吡啶鎓或者具有或不具有取代基的磷鎓，R7为H或有机基团)。)
[0018]本专利技术的制造方法中，A优选为
‑
COOM(式中，M为H、金属原子、NR
74
、具有或不具有取
代基的咪唑鎓、具有或不具有取代基的吡啶鎓或者具有或不具有取代基的磷鎓，R7为H或有机基团)。
[0019]本专利技术的制造方法中，优选通过将通式(1)所示的单体(1)聚合而得到含有单体(1)的聚合物的粗组合物，通过将上述粗组合物中包含的单体(1)的二聚物和三聚物从上述粗组合物中除去，得到单体(1)的二聚物和三聚物的含量相对于聚合物(1)为1.0质量％以下的聚合物(1)。
[0020]另外，根据本专利技术，提供一种制造方法，其为在聚合物(2)的存在下在水性介质中将四氟乙烯聚合而得到聚四氟乙烯的聚四氟乙烯的制造方法，其中，聚合物(2)为通式(2)所示的单体(2)的聚合物，上述聚四氟乙烯的一次颗粒的长宽比小于2.00。
[0021]CF2＝CF
‑
R
‑
CZ1Z2‑
COOM
ꢀꢀꢀ
(2)
[0022](式中，R为连接基团，Z1和Z2各自独立地为F或CF3，M为H、金属原子、NR
74
、具有或不具有取代基的咪唑鎓、具有或不具有取代基的吡啶鎓或者具有或不具有取代基的磷鎓，R7为H或有机基团。)
[0023]本专利技术的聚四氟乙烯的制造方法中，聚合物(2)中的单体(2)的二聚物和三聚物的含量相对于聚合物(2)优选为1.0质量％以下。
[0024]另外，根据本专利技术，提供一种制造方法，其为在聚合物(2)的存在下在水性介质中将全氟单体聚合而得到全氟弹性体的全氟弹性体的制造方法，其中，聚合物(2)为通式(2)所示的单体(2)的聚合物。
[0025]CF2＝CF
‑
R
‑
CZ1Z2‑
COOM
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(2)
[0026](式中，R为连接基团，Z1和Z2各自独立地为F或CF3，M为H、金属原子、NR
74
、具有或不具有取代基的咪唑鎓、具有或不具有取代基的吡啶鎓或者具有或不具有取代基的磷鎓，R7为H或有机基团。)
[0027]本专利技术的全氟弹性体的制造方法中，聚合物(2)中的单体(2)的二聚物和三聚物的含量相对于聚合物(2)优选为1.0质量％以下。
[0028]另外，根据本专利技术，提供一种组合物，其含有一次颗粒的长宽比小于2.00的聚四氟乙烯和通式(2)所示的单体(2)的聚合物(2)。
[0029]CF2＝CF
‑
R
‑
CZ1Z2‑
COOM
ꢀꢀꢀ
(2)
[0030](式中，R为连接基团，Z1和Z2各自独立地为F或CF3，M为H、金属原子、NR
74
、具有或不具有取代基的咪唑鎓、具有或不具有取代基的吡啶鎓或者具有或不具有取代基的磷鎓，R7为H或有机基团。)
[0031]本专利技术的聚四氟乙烯的组合物中，聚合物(2)中的单体(2)的二聚物和三聚物的含量相对于聚合物(2)优选为1.0质量％以下。
[0032]另外，根据本专利技术，提供一种组合物，其含有全氟弹性体和通式(2)所示的单体(2)的聚合物(2)。
[0033]CF2＝CF
‑
R
‑
CZ1Z2‑
COOM
ꢀꢀꢀ
(2)
[0034](式中，R为连接基团，Z1和Z2各自独立地为F或CF3，M为H、金属原子、NR
74
、具有或不具有取代基的咪唑鎓、具有或不具有取代基的吡啶鎓或者具有或不具有取代基的磷鎓，R7为H或有机基团。)
[0035]本专利技术的全氟弹性体的组合物中，聚合物(2)中的单体(2)的二聚物和三聚物的含
量相对于聚合物(2)优选为1.0质量％以下。
[0036]另外，根据本专利技术，提供一种制造方法，其为在聚合物(1)和链转移剂的存在下在水性介质中将四氟乙烯聚合而得到低分子量聚四氟乙烯的低分子量聚四氟乙烯的制造方法，其中，聚合物(1)为通式(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造方法，其为在聚合物(1)的存在下在水性介质中将含氟单体聚合而得到含氟聚合物的含氟聚合物的制造方法，其中，聚合物(1)为通式(1)所示的单体(1)的聚合物，并且，单体(1)的二聚物和三聚物的含量相对于聚合物(1)为1.0质量％以下，CF2＝CF
‑
R
‑
CZ1Z2‑
A0ꢀꢀꢀ
(1)式中，R为连接基团，Z1和Z2各自独立地为F或CF3，A0为阴离子性基团。2.如权利要求1所述的制造方法，其中，单体(1)为通式(2)所示的单体(2)，CF2＝CF
‑
R
‑
CZ1Z2‑
COOM
ꢀꢀꢀ
(2)式中，R为连接基团，Z1和Z2各自独立地为F或CF3，M为H、金属原子、NR
74
、具有或不具有取代基的咪唑鎓、具有或不具有取代基的吡啶鎓或者具有或不具有取代基的磷鎓，R7为H或有机基团。3.如权利要求1所述的制造方法，其中，单体(1)为通式(4)所示的单体(4)，CF2＝CF(
‑
O
‑
Rf
‑
A)
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(4)式中，Rf是碳原子数为1～40的含氟亚烷基、或者碳原子数为2～100的具有醚键或酮基的含氟亚烷基；A为
‑
COOM、
‑
SO3M、
‑
OSO3M或
‑
C(CF3)2OM，M为H、金属原子、NR
74
、具有或不具有取代基的咪唑鎓、具有或不具有取代基的吡啶鎓或者具有或不具有取代基的磷鎓，R7为H或有机基团。4.如权利要求3所述的制造方法，其中，A为
‑
COOM，式中，M为H、金属原子、NR
74
、具有或不具有取代基的咪唑鎓、具有或不具有取代基的吡啶鎓或者具有或不具有取代基的磷鎓，R7为H或有机基团。5.如权利要求1～4中任一项所述的制造方法，其中，通过将通式(1)所示的单体(1)聚合而得到含有单体(1)的聚合物的粗组合物，通过将所述粗组合物中包含的单体(1)的二聚物和三聚物从所述粗组合物中除去，得到单体(1)的二聚物和三聚物的含量相对于聚合物(1)为1.0质量％以下的聚合物(1)。6.一种制造方法，其为在聚合物(2)的存在下在水性介质中将四氟乙烯聚合而得到聚四氟乙烯的聚四氟乙烯的制造方法，其中，聚合物(2)为通式(2)所示的单体(2)的聚合物，所述聚四氟乙烯的一次颗粒的长宽比小于2.00，CF2＝CF
‑
R
‑
CZ1Z2‑
COOM
ꢀꢀꢀ
(2)式中，R为连接基团，Z1和Z2各自独立地为F或CF3，M为H、金属原子、NR
74
、具有或不具有取代基的咪唑鎓、具有或不具有取代基的吡啶鎓或者具有或不具有取代基的磷鎓，R7为H或有机基团。7.如权利要求6所述的制造方法，其中，聚合物(2)中的单体(2)的二聚物和三聚物的含量相对于聚合物(2)为1.0质量％以下。8.一种制造方法，其为在聚合物(2)的存在下在水性介质中将全氟单体聚合而得到全氟弹性体的全氟弹性体的制造方法，其中，聚合物(2)为通式(2)所示的单体(2)的聚合物，CF2＝CF
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R
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CZ1Z2‑
COOM
ꢀꢀꢀ
(2)式中，R为连接基团，Z1和Z2各自独立地为F或CF3，M为H、金属原子、NR
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、具有或不具有取
代基的咪唑鎓、具有或不具有取代基的吡啶鎓或者具有或不具有取代基的磷鎓，R7为H或有机基团。9.如权利要求8所述的制造方法，其中，聚合物(2)中的单体(2)的二聚物和三聚物的含量相对于聚合物(2)为1.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：难波义典，加藤丈人，市川贤治，土屋壮司，汤浅飒太，岸川洋介，东昌弘，入江正树，山中拓，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：