显示设备制造技术

提供了一种显示设备，所述显示设备包括：基底，包括其中布置有显示元件的显示区域；第一薄膜晶体管，布置在显示区域中，并且包括第一半导体层和与第一半导体层绝缘的第一栅电极，第一半导体层包括硅半导体；第一层间绝缘层，覆盖第一栅电极；第二薄膜晶体管，在第一层间绝缘层上，并且包括第二半导体层和与第二半导体层绝缘的第二栅电极，第二半导体层包括氧化物半导体；以及上电极，布置在第一层间绝缘层上，并且包括与第二半导体层的材料相同的材料，并且至少与第一栅电极叠置。并且至少与第一栅电极叠置。并且至少与第一栅电极叠置。

【技术实现步骤摘要】
显示设备
[0001]本申请以于2020年12月18日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0178926号韩国专利申请为基础并且要求其优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]本公开总体上涉及一种显示设备，更具体地，涉及一种经由包括硅半导体的薄膜晶体管和包括氧化物半导体的薄膜晶体管驱动的显示设备。

技术介绍

[0003]通常，显示设备包括显示元件和控制施加到显示元件的电信号的驱动电路。驱动电路包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器和多条线。
[0004]为了精准控制是否允许显示元件发光以及发光程度，已经增加了电连接到单个显示元件的薄膜晶体管的数量。因此，积极地开展开发一种解决显示设备的高集成度和功耗的新方法是有必要的。

技术实现思路

[0005]一个或更多个实施例包括一种显示设备，该显示设备经由包括硅半导体的薄膜晶体管和包括氧化物半导体的薄膜晶体管而被驱动，从而减少显示设备的功耗并且还允许显示设备的高集成度。
[0006]然而，以上目的是示例，本公开的实施例的范围不限于以上目的。
[0007]其他方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践所呈现的公开的实施例来获知。
[0008]根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底，包括其中布置有显示元件的显示区域；第一薄膜晶体管，布置在显示区域中，并且包括包含硅半导体的第一半导体层和与第一半导体层绝缘的第一栅电极；第一层间绝缘层，覆盖第一栅电极；第二薄膜晶体管，设置在第一层间绝缘层上，并且包括第二半导体层和与第二半导体层绝缘的第二栅电极，第二半导体层包括氧化物半导体；以及上电极，布置在第一层间绝缘层上，并且包括与第二半导体层的材料相同的材料，并且与第一栅电极的至少一部分叠置。
[0009]显示设备还可以包括与第一栅电极布置在同一层上的下电极，其中，下电极和上电极构成电容器。
[0010]第一栅电极和下电极可以一体地形成。
[0011]上电极的至少一部分可以被赋予导电性。
[0012]具有封闭形状的开口可以形成在上电极中。
[0013]显示设备还可以包括覆盖第一半导体层的第一栅极绝缘层。
[0014]第二薄膜晶体管还可以包括设置在第一栅极绝缘层上的第三栅电极，并且第三栅电极可以与第二半导体层至少部分地叠置。
[0015]显示设备还可以包括设置在第二半导体层与第二栅电极之间的第二栅极绝缘层。
[0016]显示设备还可以包括在第二栅电极上的第二层间绝缘层。
[0017]显示设备还可以包括布置在第二栅极绝缘层上的第一电极。
[0018]显示设备还可以包括第二电极，第二电极设置在第二层间绝缘层上并且包括电连接到上电极的一端和电连接到第一电极的另一端。
[0019]显示设备还可以包括覆盖第二电极的平坦化层，其中，显示元件包括布置在平坦化层上的有机发光二极管。
[0020]根据一个或更多个实施例，显示设备包括：基底，包括其中布置有显示元件的显示区域；第一薄膜晶体管，布置在显示区域中，并且包括第一半导体层和与第一半导体层绝缘的第一栅电极，第一半导体层包括硅半导体；第一层间绝缘层，覆盖第一栅电极；以及电容器，包括下电极和上电极，下电极与第一栅电极在同一层上，上电极布置在第一层间绝缘层上、与下电极至少部分地叠置并且包括氧化物半导体。
[0021]第一栅电极和下电极可以一体地形成。
[0022]上电极的至少一部分可以被赋予导电性。
[0023]显示设备还可以包括第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管在第一层间绝缘层上并且包括第二半导体层和与第二半导体层绝缘的第二栅电极，第二半导体层包括氧化物半导体。
[0024]显示设备还可以包括设置在第二栅电极上的第二层间绝缘层。
[0025]显示设备还可以包括：第一电极，与第二栅电极设置在同一层上；以及第二电极，设置在第二层间绝缘层上，并且具有电连接到上电极的一端和电连接到第一电极的另一端。
[0026]上电极和第二半导体层可以包括彼此相同的材料。
[0027]第二薄膜晶体管还可以包括与第一栅电极设置在同一层上的第三栅电极，并且第三栅电极可以与第二半导体层至少部分地叠置。
[0028]除了以上描述的那些之外的其他方面、特征和优点将通过附图、所附权利要求和公开的详细描述变得明显。
附图说明
[0029]通过结合附图进行的以下描述，公开的某些实施例的以上和其他的方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
[0030]图1是示意性地示出根据实施例的显示设备的视图；
[0031]图2是包括在根据实施例的显示设备中的像素的等效电路图；
[0032]图3是示出布置在根据实施例的显示设备的一对像素电路中的多个晶体管和电容器的位置的示意性布局图；
[0033]图4是示意性地示出根据实施例的显示设备的剖视图；
[0034]图5是示意性地示出根据实施例的显示设备的剖视图；
[0035]图6、图7、图8和图9是示出各层中的形成图3的多个晶体管和电容器的组件的布局图；
[0036]图10是示意性地示出根据实施例的显示设备的剖视图；
[0037]图11是示意性地示出根据实施例的显示设备的剖视图；以及
[0038]图12是示意性地示出根据实施例的显示设备的剖视图。
具体实施方式
[0039]现在将详细参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，在附图中同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例以解释本描述的方面。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关的所列项中的一个或更多个的任何和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个/者”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部、或者其变型。
[0040]由于本公开允许各种变化和许多实施例，因此具体实施例将在附图中示出并且以书面描述详细地描述。通过参照稍后将参照附图详细描述的实施例，本公开的效果和特征以及实现它们的方式将变得明显。然而，本公开不限于以下实施例，而是可以以各种形式实现。
[0041]将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。
[0042]在以下实施例中，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式包括复数形式。
[0043]在本说明书中，将理解的是，诸如“包括”或“具有”的术语旨在指出说明书中公开的特征或元件的存在，并且不旨在排除可以添加一个或更多个其他特征或元件的可能性。
[0044]在以下实施例中，将理解的是，当诸如层、区域或元件的部分被称为“在”另一部分“上”或“上方”时，它可以直接在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，所述显示设备包括：基底，包括其中布置有显示元件的显示区域；第一薄膜晶体管，布置在所述显示区域中，并且包括第一半导体层和与所述第一半导体层绝缘的第一栅电极，所述第一半导体层包括硅半导体；第一层间绝缘层，覆盖所述第一栅电极；第二薄膜晶体管，设置在所述第一层间绝缘层上，并且包括第二半导体层和与所述第二半导体层绝缘的第二栅电极，所述第二半导体层包括氧化物半导体；以及上电极，布置在所述第一层间绝缘层上，并且包括与所述第二半导体层的材料相同的材料，并且与所述第一栅电极的至少一部分叠置。2.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括与所述第一栅电极布置在同一层上的下电极，其中，所述下电极和所述上电极构成电容器，其中，所述第一栅电极和所述下电极一体地形成。3.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括覆盖所述第一半导体层的第一栅极绝缘层，其中，所述第二薄膜晶体管还包括设置在所述第一栅极绝缘层上的第三栅电极，并且所述第三栅电极与所述第二半导体层至少部分地叠置。4.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：第二栅极绝缘层，设置在所述第二半导体层与所述第二栅电极之间；第二层间绝缘层，设置在所述第二栅电极上；第一电极，布置在所述第二栅极绝缘层上；以及第二电极，设置在所述第二层间绝缘层上，并且包括电连接到所述上电极的一端和电连接到所述第一电极的另一端。5.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹柱元，梁泰勳，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：