半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体存储装置，可根据使用时的环境，例如电源电压和温度等的变化，适当地控制操作时序。该半导体存储装置，包括检测半导体存储装置的温度的温度感测器、检测半导体存储装置的电源电压的电压检测部，如环形振荡器和计数器，以及根据电源接通后通过温度感测器所检测的温度，以及电源接通后通过电压检测部所检测的电源电压，控制半导体存储装置内的操作时序，以满足特定条件的控制部。以满足特定条件的控制部。以满足特定条件的控制部。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置


[0001]本专利技术与半导体存储装置有关。

技术介绍

[0002]在半导体存储装置上，例如，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)等，随着信号的传送速度等提高，需要适当地控制操作时序。
[0003]例如，在专利文献1记载的技术，电源接通后，从半导体存储装置的有PVT(处理/电源电压/温度)变动相关特性的环形振荡器所输出信号，按照上述输出信号的上升边缘和下降边缘的次数，可以控制内部时脉的操作时序(开始时间和保持时间)。
[0004][先行技术文献][0005][专利文献1]美国专利申请公开第2018/0144781号说明书。

技术实现思路

[0006][专利技术所解决课题][0007]顺便一提，环形振荡器有下列的特性。当电源电压越高或温度越高时，所输出信号的上升边缘或下降边缘的次数变得越多；当环形振荡器的电源电压越低或温度越低时，所输出信号的上升边缘或下降边缘的次数变得越少。因此基于从环形振荡器所输出信号的上升边缘或下降边缘的次数，对于半导体存储装置使用时的环境(例如，温度和电源电压等)的各种情境(例如，低温时低电压、低温时高电压、高温时低电压、高温时高电压等)，难以控制操作时序以满足性能要求(规格)。
[0008]再者，在专利文献1所记载的技术，由于内部时脉的操作时序的只在电源接通后控制一次，因此依照半导体存储装置使用时的环境的时间变化，而适当地控制操作时序会有变得困难的疑虑。
[0009]本专利技术鉴于上述课题，目的是可以得到一种依照使用时的环境，适当地控制操作时序的半导体存储装置。
[0010]为了解决上述课题，本专利技术提供一种半导体存储装置，包括检测上述半导体存储装置的温度的温度感测器、检测上述半导体存储装置的电源电压的电压检测部，以及依照电源接通后由上述温度感测器所检测的温度，和电源接通后由上述电压检测部所检测的电源电压，控制上述半导体存储装置内的操作时序，以满足特定条件的控制部。
[0011]根据本专利技术，由于依照电源接通后通过温度感测器所检测的温度，和电源接通后通过电压检测部所检测的电源电压，来控制半导体存储装置内的操作时序，以满足特定条件，因此对于温度和电源电压的各种情境(例如，低温时低电压、低温时高电压、高温时低电压、高温时高电压等)，可以控制操作时序，以满足特定条件(例如，性能要求等)。因此，例如，只基于从环形振荡器所输出的信号的上升边缘或下降边缘的次数，以控制操作时序的情况相比，依照使用时环境的操作时序更能适当地控制，因此，可以实现应用于提高传送速度等的性能提升的半导体存储装置。再者，根据本专利技术，例如，由于可以在每次电源接通后
的任何时序，以控制操作时序，因此，依照半导体存储装置使用时的环境的时间变化，可以适当地控制操作时序。
[0012]在上述专利技术中，当上述半导体存储装置电源接通时所执行的电力开启时序中，可以控制上述半导体存储装置的操作时序。
[0013]根据本专利技术中，从电源接通后到半导体存储装置正常运作开始时的期间，基于该半导体存储装置的温度和电源电压，可以适当地控制操作时序。
[0014]在上述专利技术中，当特定指令输入在上述半导体存储装置时，上述控制部可以控制上述半导体存储装置的操作时序。
[0015]根据本专利技术，例如，由于每次特定指令输入在上述半导体存储装置时，基于当输入该指令时的半导体存储装置的温度和电源电压，以适当地控制操作时序，因此依照半导体存储装置使用时的环境的时间变化，可以适当地控制操作时序。
[0016]在上述专利技术，当执行上述特定指令之前，上述控制部可以控制上述半导体存储装置的操作时序。
[0017]根据本专利技术，由于可以基于控制后的操作时序以执行特定指令，因此可以依照使用时的环境适当地执行该指令。
[0018]在上述专利技术，当上述半导体存储装置有包括必要更新操作的存储器时，在上述存储器执行更新操作期间，上述控制部可以控制上述半导体存储装置的操作时序。
[0019]根据本专利技术，例如由于每次执行存储器的更新操作时，基于执行该更新指令时的导体存储装置的温度和电源电压，以适当地控制操作时序，因此依照半导体存储装置使用时的环境的时间变化，可以适当地控制操作时序。再者，根据本专利技术，由于在更新操作执行期间(也就是，在不执行特定指令(例如，读取指令和写入指令等的有效指令等)时)可以控制操作时序，因此可以在不干扰所执行的特定指令情况下，以控制操作时序。
[0020]在上述专利技术中，利用上述温度感测器所检测的温度，上述电压检测部所检测的电源电压，以及与上述半导体存储装置内的操作时序的延迟量对应的查询表，上述控制部可以控制上述操作时序。
[0021]根据本专利技术，从查询表中提取与所检测的温度和电源电压对应的操作时序的延迟量，基于所提取的操作时序的延迟量，可以简单且适当地控制操作时序。
[0022]在上述专利技术，基于从由电源电压所操作的特定环形振荡器输出的信号切换次数，上述电压检测部可以检测上述电源电压。
[0023]根据本专利技术，例如，由于从环形振荡器输出的信号切换次数越多，检测到的电源电压越高；该信号切换次数越少，检测到的电源电压越低，因此利用该信号切换次数可适当地控制操作时序。
[0024]在此，半导体存储装置的电源电压高，和半导体存储装置的处理速度快具有相同的影响；半导体存储装置的电源电压低，和半导体存储装置的处理数度慢具有相同的影响。因此，检测到半导体存储装置的电源电压高实际上是检测到半导体存储装置的处理速度快；检测到半导体存储装置的电源电压低实际上是检测到半导体存储装置的处理速度慢。再者，在下面说明中应注意半导体存储装置的处理(例如，高速，中速或低速)可以与对应的电源电压(例如，高电压，中电压或低电压)一起描述。
[0025][专利技术效果][0026]根据本专利技术的半导体存储装置，依照使用时环境更能适当地控制操作时序。
附图说明
[0027]图1为与本专利技术的实施例1有关的半导体存储装置的控制部的配置方块图。
[0028]图2为控制部内的各部信号的电压变化的时序图。
[0029]图3的(a)～(c)为查询表的配置示例图。
[0030]图4为当输入特定指令时，控制部内的各部信号电压的时间变化图。
[0031]图5的(a)～(b)为在高温时与电源电压对应的操作时序的控制状态的示例图，(c)～(d)为在低温时与电源电压对应的操作时序的控制状态的示例图。
[0032]图6为与本专利技术的实施例2有关的半导体存储装置的配置示例图。
[0033]图7为与本专利技术的实施例3有关的半导体存储装置的配置示例图。
[0034]图8为控制部内的各部信号的电压变化的时序图。
[0035]图9为当执行更新操作时，控制部内的各部信号的电压变化的时序图。
[0036]符号说明：
[0037]10～控制部
[0038]11～电力开启时序控制部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：温度感测器，检测该半导体存储装置的温度；电压检测部，检测该半导体存储装置的电源电压；以及控制部，根据电源接通后通过该温度感测器18所检测的温度，以及电源接通后通过该电压检测部所检测的电源电压，控制该半导体存储装置内的操作时序，以满足特定条件。2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该控制部在接通该半导体存储装置电源时所执行的电力开启时序中，控制该操作时序。3.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，该控制部当在该半导体存储装置输入特定指令时，控制该操作时序。4.如权利要求1所述的半导体存储装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：森郁，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：