用于差分型OTP存储器的读取电路制造技术

本公开涉及存储器技术领域，提供了一种用于差分型OTP存储器的读取电路，该差分型OTP存储器包括呈差分对称结构的第一存储单元和第二存储单元，该读取电路连接于该第一存储单元和该第二存储单元之间，其包括：检测单元，用于在该第一存储单元或该第二存储单元完成烧写操作后，检测位于该第一存储单元的第一熔丝的阻值、位于该第二存储单元的第二熔丝的阻值和前述第一熔丝与第二熔丝的阻值差中的其中之一；锁存单元，用于根据该检测单元检测的第一熔丝的阻值、第二熔丝的阻值和该第一熔丝与第二熔丝的阻值差中的其中之一提供读出数据。该读取电路既能正常读出数据，又能检测熔丝阻值，以此保证读出数据的准确性和可靠性。以此保证读出数据的准确性和可靠性。以此保证读出数据的准确性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
用于差分型OTP存储器的读取电路


[0001]本公开涉及存储器
，具体涉及一种用于差分型OTP存储器的读取电路。

技术介绍

[0002]一次性可编程(OTP，one time programmable)存储器是指在应用中只允许被一次编程的非易失性存储器类型，它可以为电路应用提供灵活多样和价格低廉的解决方案，目前的可以实现OTP功能的多种结构大多是基于熔丝(efuse)和反熔丝(antifuse)的电介质击穿型OTP存储器设计，efuse编程通常是采用流经熔丝过电流致使其熔断从而使得其电阻值由几十欧姆变化成几千欧姆甚至更高来实现编程。Antifuse编程和efuse正好相反，反熔丝在编程前有非常高的电阻，约在几百兆欧，编程时被高电压击穿，电阻减小到千欧级别甚至更低，以此来实现存储目的。
[0003]熔丝型OTP存储器是指采用金属或多晶硅等作为熔丝单元，利用连接熔丝单元的NMOS晶体管结构，在其导通时采用过流熔断熔丝的方法，使熔丝单元由低阻值导通状态变为高阻值断路状态的一次性编程单元。熔丝型OTP存储器具有很强的编程灵活性和数据可靠性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于差分型OTP存储器的读取电路，该差分型OTP存储器包括呈差分对称结构的第一存储单元和第二存储单元，所述读取电路连接于该第一存储单元和第二存储单元之间，包括：检测单元，具有连接所述第一存储单元的第一输入端和连接所述第二存储单元的第二输入端，用于在所述第一存储单元或所述第二存储单元完成烧写操作后，检测位于所述第一存储单元的第一熔丝的阻值、位于所述第二存储单元的第二熔丝的阻值和所述第一熔丝与第二熔丝的阻值差中的其中之一；锁存单元，所述锁存单元与所述检测单元连接，用于根据所述检测单元检测的所述第一熔丝的阻值、所述第二熔丝的阻值和所述第一熔丝与第二熔丝的阻值差中的其中之一提供读出数据。2.根据权利要求1所述的读取电路，其中，还包括：控制单元，所述控制单元与所述检测单元连接，用于根据控制所述烧写操作的烧写信号提供多路控制信号至所述检测单元，所述多路控制信号用以控制所述检测单元的检测操作。3.根据权利要求2所述的读取电路，其中，所述第一存储单元包括：串联连接在供电端与地之间的所述第一熔丝和第一烧写管，所述第一熔丝和第一烧写管的连接节点作为第一节点，与所述检测单元的第一输入端连接。4.根据权利要求3所述的读取电路，其中，所述第二存储单元包括：串联连接在供电端与地之间的所述第二熔丝和第二烧写管，所述第二熔丝和第二烧写管的连接节点作为第二节点，与所述检测单元的第二输出端连接。5.根据权利要求4所述的读取电路，其中，所述烧写信号包括第一烧写信号和第二烧写信号，所述第一烧写信号提供至所述第一烧写管的控制端，用于控制对所述第一熔丝的烧写操作；所述第二烧写信号提供至所述第二烧写管的控制端，用于控制对所述第二熔丝的烧写操作。6.根据权利要求5所述的读取电路，其中，所述检测单元包括：串联连接在所述第一节点与地之间的第一开关元件、第一开关管和第一电流源，所述第一开关管和第一电流源的连接节点作为所述检测单元的第一输出端，用于提供第一检测信号；串联连接在所述第二节点与地之间的第二开关元件、第二开关管和第二电流源，所述第二开关管和第二电流源的连接节点作为所述检测单元的第二输出端，用于提供第二检测信号。7.根据权利要求6所述的读取电路，其中，所述检测单元还包括：第三开关元件，连接在所述第一开关管的控制端和所述第二开关管的控制端之间；第四开关元件，连接在所述第三开关元件与所述第一开关管的连接节点与地之间；第五开关元件，连接在所述第三开关元件与所述第二开关管的连接节点与地之间；第六开关元件，连接在所述第三开关元件与所述第一开关管的连接节点与所述第一输出端之间；第七开关元件，连接在所述第三开关元件与所述第二开关管的连接节点与所述第二输
出端之间。8.根据权利要求7所述的读取电路，其中，所述多路控制信号包括：第一控制信号，用于控制所述第一开关元件的导通断开状态；第二控制信号，用于控制所述第二开关元件的导通断开状态；第三控制信号，用于控制所述第三开关元件的导通断开状态；第四控制信号，用于控制所述第四开关元件的导通断开状态；第五控制信号，用于控制所述第五开关元件的导通断开状态；第六控制信号，用于控制所述第六开关元件的导通断开状态；第七控制信号，用于控制所述第七开关元件的导通断开状态。9.根据权利要求8所述的读取电路，其中，所述第一开关元件和第二开关元件断开，第一烧写管或所述第二烧写管持续导通一段时间，所述第一熔丝或所述第二熔丝完成烧写操作。10.根据权利要求9所述的读取电路，其中，所述第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件和所述第六开关元件处于导通状态，且所述第四开关元件、所述第五开关元件和所述第七开关元件均处于断开状态，所述检测单元用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：满雪成，马璇，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：