芯片内部SRAM测试方法、装置、存储介质及SSD设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及数据存储技术领域，提供了一种芯片内部SRAM测试方法、装置、存储介质及SSD设备，该方法包括：将芯片固件运行的物理地址区域重映射到芯片内部的静态随机存取存储器SRAM以外的物理地址区域；接收到测试机发送的开始测试指令时，清空所述SRAM中的数据；将待测试数据写入所述SRAM中的目标测试地址，并在数据写入后对所述SRAM进行可靠性校验。本发明专利技术能够在芯片正常工作状态下实现对芯片内部SRAM区域的全区域可靠性测试，弥补芯片内部SRAM从出厂到产品生产过程中可能存在的测试盲点，测试结果准确，测试强度大，而且无需额外测试设备环境，在大大降低测试成本的同时实现了芯片质量的严格把控。了芯片质量的严格把控。了芯片质量的严格把控。

【技术实现步骤摘要】
芯片内部SRAM测试方法、装置、存储介质及SSD设备


[0001]本专利技术涉及数据存储
，尤其涉及一种芯片内部SRAM测试方法、装置、存储介质及SSD设备。

技术介绍

[0002]当今社会在人工智能、物联网、5G通信等高速发展的新兴领域催动下，对半导体芯片的要求越来越高，功能需求也越来越复杂多样化，导致芯片内部集成的SRAM（Static Random
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Acess Memory，静态随机存取存储器）空间也越来越大，而SRAM的可靠性则是芯片正常工作的前提，因此保证SRAM 的质量显得尤为关键。
[0003]当前测试芯片内部SRAM的技术主要在芯片代工厂端进行，主要有直接测试和MBIST（Memory Built
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In Self
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Test，内建自测技术）。直接测试方法利用自动测试设备进行测试,可以轻易实现多种高质量测试算法；MBIST则是当前芯片工厂测试使用的主流技术，基于电气特性层面，采用一种或多种算法来测试芯片内部SRAM可能存在的一种或多种缺陷类型。MBIST可以筛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片内部SRAM测试方法，其特征在于，所述方法包括：将芯片固件运行的物理地址区域重映射到芯片内部的静态随机存取存储器SRAM以外的物理地址区域；接收到测试机发送的开始测试指令时，清空所述SRAM中的数据；将待测试数据写入所述SRAM中的目标测试地址，并在数据写入后对所述SRAM进行可靠性校验。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将待测试数据写入所述SRAM中的目标测试地址，并在数据写入后对所述SRAM进行可靠性校验，包括：以所述SRAM中的所有存储单元作为目标测试地址，将待测试数据写入所述SRAM中的所有存储单元，对所述SRAM中的所有存储单元进行可靠性校验。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将待测试数据写入所述SRAM中的目标测试地址，并在数据写入后对所述SRAM进行可靠性校验，包括：从SRAM中的起始地址开始，以首个存储单元作为目标测试地址，将待测试数据写入当前目标测试地址，对当前写入数据的地址区域及其未写入数据的地址区域进行可靠性校验；将SRAM中偏移一个基本访问单元后的存储单元作为目标测试地址，将待测试数据写入当前目标测试地址，对当前写入数据的地址区域及其未写入数据的地址区域进行可靠性校验；依次将所述SRAM中的存储单元作为目标测试地址执行待测试数据写入以及对当前写入数据的地址区域及其未写入数据的地址区域进行可靠性校验的操作，直到数据写满所述SRAM中所有存储单元。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述从SRAM中的起始地址开始，以首个存储单元作为目标测试地址，包括：对SRAM中的低地址区域和高地址区域，从低地址区域和高地址区域各自的起始地址开始，分别将各自的首个存储单元作为目标测试地址。5.根据权利要求1

【专利技术属性】
技术研发人员：刘昆，孙丽华，陈力，
申请(专利权)人：北京得瑞领新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：