一种用于传感器线性化电路的CMOS功率放大器制造技术

本发明专利技术公开一种用于传感器线性化电路的CMOS功率放大器，包括：折叠式共源共栅结构的差分输入级电路、浮动栅极推挽式输出级电路和偏置电路；所述偏置电路分别与所述折叠式共源共栅结构的差分输入级电路、所述浮动栅极推挽式输出级电路连接。本发明专利技术实现足够大的开环增益，同时有着较强的驱动能力，并保证CMOS功率放大器在工作中的稳定性。放大器在工作中的稳定性。放大器在工作中的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于传感器线性化电路的CMOS功率放大器


[0001]本专利技术属于CMOS功率放大器
，尤其涉及一种用于传感器线性化电路的CMOS功率放大器。

技术介绍

[0002]CMOS功率放大器是具有足够大开环增益和较强驱动能力的放大器，可为其他电路模块提供较大的功率驱动。在线性化电路中，CMOS功率放大器直接决定了线性化电路对于非线性的矫正能力。因此为了保证线性化电路在工作中具有很强的非线性矫正能力以及对于不同传感器的适应性，必须要求CMOS功率放大器具有足够大开环增益和较强驱动能力。
[0003]因此，有必要实现一种用于传感器线性化电路的CMOS功率放大器，以提高线性化电路的性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术提出了一种用于传感器线性化电路的CMOS功率放大器。其目的在于，实现足够大的开环增益，同时有着较强的驱动能力，并保证CMOS功率放大器在工作中的稳定性。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了一种用于传感器线性化电路的CMOS功率放大器，包括：折叠式共源共栅结构的差分输入级电路、浮动栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于传感器线性化电路的CMOS功率放大器,其特征在于，包括：折叠式共源共栅结构的差分输入级电路、浮动栅极推挽式输出级电路和偏置电路；所述偏置电路分别与所述折叠式共源共栅结构的差分输入级电路、所述浮动栅极推挽式输出级电路连接；所述折叠式共源共栅结构的差分输入级电路与所述浮动栅极推挽式输出级电路连接。2.根据权利要求1所述的用于传感器线性化电路的CMOS功率放大器，其特征在于，所述折叠式共源共栅结构的差分输入级电路包括：N型MOS管N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7，P型MOS管P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8、P9和运算放大器A1、A2；所述MOS管P1、P2的栅极分别通过Bias2、Bias3偏置；所述MOS管P1的源极接VDD，而漏极接入所述MOS管P2的源极；所述MOS管P2的漏极接入所述折叠式共源共栅结构的输入MOS管P3、P4的源极；所述MOS管P3、P4的栅极分别由Bias1、Bias4端口接入；所述MOS管P3、P4的漏极分别接所述MOS管N6、N7的漏极；所述MOS管P5、P6的源极接到VDD；所述MOS管P5的漏极分别接所述MOS管P8的源极以及运算放大器A2的同相输入端；所述MOS管P6的漏极分别接所述MOS管P9的源极以及运算放大器A2的反相输入端；所述MOS管P8、P9的栅极分别接Bias3端口和运算放大器A2的输出端口OUT2；所述MOS管P8、P9的漏极分别接所述MOS管N1、N2的漏极；所述MOS管N1、N2的栅极通过Bias5偏置；所述MOS管N2的源极接到所述MOS管N4的漏极；所述MOS管N4由Bias7偏置；所述MOS管N4的源极接入所述MOS管N5的漏极；所述MOS管N5的栅极接运算放大器A1的输出端；所述MOS管N5的源极接所述MOS管N7的漏极和运算放大器A1的反相输入端；所述MOS管N6、N7的栅极由Bias8偏置；所述MOS管N6、N7的源极接GND；所述MOS管N3的漏极接所述MOS管N1的源极；所述MOS管N3的源极接运算放大器A1的同相输入端和所述MOS管N6的漏极；所述MOS管P7的漏极与栅极相连，并接入所述MOS管P5的漏极；所述MOS管P7的源极和所述MOS管P8的漏极相连。3.根据权利要求2所述的用于传感器线性化电路的CMOS功率放大器，其特征在于，所述运算放大器A1包括N型MOS管N8、N9、N10、N11和P型MOS管P10、P11、P12以及电容C1；所述MOS管P10的源极接VDD，栅极接端口Bias2，漏极接所述MOS管P11、P12的源极；所述MOS管P11、P12的栅极由Bias3偏置；所述MOS管P11、P12的漏极分别接所述MOS管N8、N9的漏极；所述MOS管N8、N9的栅极相连；所述MOS管N8的漏极和栅极相连；所述MOS管N8、N9的源极分别接所述MOS管N10、N11的漏极；所述MOS管N10、N11的栅极由Bias8偏置；所述MOS管N10、N11的源极接GND；所述MOS管N9的漏极接所述电容C1的上端，最终通过OUT1端口接出。4.根据权利要求2所述的用于传感器线性化电路的CMOS功率放大器，其特征在于，所述运算放大器A2包括N型MOS管N12、N13、N14、N15和P型MOS管P13、P14、P15、P16以及电容C2；所述MOS管P13、14的源极接VDD，栅极接Bias10端口；所述MOS管P13、14的漏极分别接所述MOS管P15、P16的源极；所述MOS管P15、P16的栅极相连，并接到所述MOS管P15的漏极；所述MOS管P15、P16的漏极分别接所述MOS管N12、N13的漏极，所述MOS管N12、N13栅极接到Bias6端口；所述MOS管N12、N13的源极分别接所述MOS管N14、N15的漏极，所述MOS管N14、N15栅极接到Bias9端口；所述MOS管P16的漏极接电容C2的下端，最终通过OUT2端口接出。5.根据权利要求1所述的用于传感器线性化电路的CMOS功率放大器，其特征在于，所述浮动栅极推挽式输出级电路包括N型MOS管N2、N4、N16、N17、N18、N19和P型MOS管P17、P18、P19、P20、P21和电容C3、C4以及电阻R4、R5、R6；
所述MOS管P17、P18的漏极和栅极相连；所述MOS管P17的源极连VDD，漏极链接所述P18的源极；所述MOS管P18的漏极分别连接所述MOS管N2的漏极和P19的源极；所述MOS管N16、N17的漏极与栅极相连；所述MOS管N16的源极连所述MOS管N17的漏极；所述MOS管N17的源极连GND，所述MOS管N16的漏极分别连接所述MOS管N4的源极和所述MOS管P19的漏极，所述MOS管N2、N4...

【专利技术属性】
技术研发人员：井凯，曹家博，贾杨鹏，余宁梅，郭仲杰，王凤娟，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：