【技术实现步骤摘要】
一种便于晶体出炉的晶体生产及提升装置和方法
[0001]本专利技术涉及晶体生长领域,具体的,涉及一种在熔盐法晶体出炉时便于晶体出炉的晶体生产及提升装置和方法,适用于生长大单晶在非正常情况下的退火,尤其是意外掉入生长熔体中的晶体安全出炉。
技术介绍
[0002]熔盐法是一种从相应组成的熔体中固化成晶体的方法,它具有生长纯度高和晶体完整性好等优点,是目前制备大单晶和特定形状单晶最常用的一种方法,在人工晶体领域中占举足轻重的地位。
[0003]熔盐法晶体生长是在高温下从熔融的盐溶剂中生长晶体的一种方法。这种方法特别适宜生长熔点高的晶体,是利用晶体的组分在高温下溶解于低熔点的熔剂中,形成饱和熔体,通过缓慢冷却或在恒定温度下蒸发熔剂,使熔体处于过饱和状态,以便晶体从熔体中不断析出。这一过程是在高温状态下,由籽晶杆固定籽晶导入熔液中进行的。在经过缓慢降温或在恒定温度下蒸发熔剂,熔体析出的组分使籽晶慢慢长大,得到相应的大单晶。
[0004]在熔盐法晶体生长过程中及晶体生长完成后提起晶体退火降温时,晶体经常会因为各种各样的因 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种便于晶体出炉的晶体生产及提升装置,其特征在于:包括:坩埚,圆篮,和用于提升圆篮的挂钩,其中所述圆篮设置在坩埚的内部,并且能够从坩埚的内部中提升,所述圆篮的上部设置有提手,该提手能够绕圆篮旋转,所述挂钩通过钩挂所述提手,将所述圆篮从坩埚中提升。2.根据权利要求1所述的晶体生产及提升装置,其特征在于:所述坩埚和所述圆篮为铂材质,组成铂坩埚套装,包括铂圆筒坩埚和铂圆篮,所述铂圆篮的底部具有多个支撑脚,所述铂坩埚套装呈中心轴对称设置。3.根据权利要求2所述的晶体生产及提升装置,其特征在于:所述支撑脚为2~8个,高度为2~5mm,设置在铂圆篮外侧的底部。4.根据权利要求3所述的晶体生产及提升装置,其特征在于:所述支撑脚为4个,高度为3mm。5.根据权利要求3所述的晶体生产及提升装置,其特征在于:在所述铂圆篮的底部和侧面具有多个漏孔。6.根据权利要求5所述的晶体生产及提升装置,其特征在于:所述提手为半圆形,提手两端头与铂圆篮呈铰链连接。7.根据权利要求6所述的晶体生产及提升装置,其特征在于:所述提手能够180度转动,180度转动的范围为水平
→
向上垂直
→
水平方向,在水平状态时所述提手位于铂圆篮壁内侧,并且与铂圆篮壁距...
【专利技术属性】
技术研发人员:周玉兰,陈伟,陈秋华,陈养国,张杨,王昌运,
申请(专利权)人:福建福晶科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。