Flash存储器的数据读写方法、系统以及介质、设备技术方案

本发明专利技术公开了一种Flash存储器的数据读写方法、系统以及介质、设备，方法包括：确定向Flash存储器写入数据，获取当前写入片区；检测到当前写入片区的存储空间不满足待写入数据的存储需求，根据当前写入片区确定目标写入片区，并将当前写入片区的状态值从使用中调整为已满；将待写入数据写入目标写入片区；检测到需要擦除状态值为已满的片区，擦除状态值为已满的片区中的数据。该数据读写方法可大大减少Flash存储器的擦除次数，提高了Flash存储器的使用寿命。使用寿命。使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
Flash存储器的数据读写方法、系统以及介质、设备


[0001]本专利技术涉及到存储器
，尤其涉及到一种Flash存储器的数据读写方法、系统以及介质、设备。

技术介绍

[0002]Flash存储器是Intel公司于1988年推出的一种新型半导体存储器，具有非挥发存储特性，简称闪存，该类只读存储器具有集成度高、读取速度快、单一供电、再编程次数多等显著优点，Flash存储器作为非易失数据存储设备，被广泛地应用于嵌入式系统中。单片机片内的Flash存储器可以在线编程，也可以存储程序运行时的数据。
[0003]Flash存储器的存储单元组织为片区阵列，片区是擦除操作的最小单位，擦除操作将片区内所有的位置为“1”。每个片区可包含多个页，页是读、写操作的基本单位，在对页进行写操作(也叫编程操作)之前需要判断该页内所有的位是否为“1”。如果全部为“1”，则可以进行写操作；否则，需要先对整个片区进行擦除操作。因此，Flash存储器在使用时，需要进行多次擦除，但是，Flash存储器的寿命是有限的，其擦除次数也有限制，现在大多数Flash存储器可承受的擦除次数为10万次，那么，当擦写次数过多时，会导致整个Flash存储器损坏掉，进而降低Flash存储器的使用寿命。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种Flash存储器的数据读写方法，以减少Flash存储器的擦除次数，延长Flash存储器的使用寿命。
[0005]本专利技术的第二个目的在于提出一种计算机可读存储介质。
[0006]本专利技术的第三个目的在于提出一种电子设备。
[0007]本专利技术的第四个目的在于提出一种Flash存储器的数据读写系统。
[0008]为达到上述目的，本专利技术第一方面实施例提出了一种Flash存储器的数据读写方法，所述Flash存储器包括多个片区，所述方法包括：确定向所述Flash存储器写入数据，获取当前写入片区；检测到所述当前写入片区的存储空间不满足待写入数据的存储需求，根据所述当前写入片区确定目标写入片区，并将所述当前写入片区的状态值从使用中调整为已满；将所述待写入数据写入所述目标写入片区；检测到需要擦除状态值为已满的片区，擦除状态值为已满的片区中的数据。
[0009]根据本专利技术的一个实施例，所述的Flash存储器的数据读写方法，在擦除状态值为已满的片区中的数据之前，所述方法还包括：检测到状态值为已满的片区中存在需要搬运至所述目标写入片区的待搬运数据，将所述待搬运数据搬运至所述目标写入片区。
[0010]根据本专利技术的一个实施例，所述的Flash存储器的数据读写方法，所述判断确定需要擦除状态值为已满的片区中的数据，包括：统计状态值为已满的片区的数量；检测到所述数量达到预设阈值，确定需要擦除状态值为已满的片区中的数据。
[0011]根据本专利技术的一个实施例，所述的Flash存储器的数据读写方法，所述多个片区包括静态片区和动态片区，所述方法还包括：检测到所述当前写入片区为动态片区，执行对所述当前写入片区的存储空间进行检测的步骤；检测到所述当前写入片区为静态片区，擦除所述当前写入片区中的数据，并在擦除后将所述待写入数据写入所述当前写入片区。
[0012]根据本专利技术的一个实施例，所述的Flash存储器的数据读写方法，所述方法还包括：确定读取所述Flash存储器中的数据，获取当前读取片区；对所述当前读取片区中的数据进行校验；检测到校验通过，将所述当前读取片区中的数据存入缓存器。
[0013]根据本专利技术的一个实施例，所述的Flash存储器的数据读写方法，所述对当前读取片区中的数据进行校验，包括：检测到所述当前读取片区为静态片区，对所述当前读取片区中数据的校验码进行校验；检测到所述当前读取片区为动态片区，对所述当前读取片区的ID长度、读取地址，以及所述当前读取片区中数据的校验码进行校验。
[0014]根据本专利技术的一个实施例，所述的Flash存储器的数据读写方法，所述方法还包括：确定所述Flash存储器所在系统初始化，获取到各所述片区的标记值和状态值；根据各所述片区的标记值和状态值，确定所述当前写入地址和所述当前读取地址并存储。
[0015]根据本专利技术的一个实施例，所述的Flash存储器的数据读写方法，所述根据各所述片区的标记值和状态值，确定所述当前写入地址和所述当前读取地址，包括：根据所述标记值确定所述Flash存储器首次使用，得到所述当前写入地址为预设写入地址、所述当前读取地址为预设读取地址；根据所述标记值确定所述Flash存储器非首次使用，且根据所述状态值确定各所述片区的状态均正常，根据所述状态值索引当前写入片区，并根据所述当前写入片区确定所述当前写入地址和所述当前读取地址；根据所述标记值确定所述Flash存储器非首次使用，且根据所述状态值确定存在状态异常的片区，得到所述当前写入地址为预设写入地址、所述当前读取地址为预设读取地址。
[0016]根据本专利技术的一个实施例，所述的Flash存储器的数据读写方法，所述获取当前写入片区，包括：根据所述当前写入地址得到所述当前写入片区；所述获取当前读取片区，包括：根据所述当前读取地址得到所述当前读取片区。
[0017]根据本专利技术的一个实施例，所述的Flash存储器的数据读写方法，所述将所述待写入数据写入所述目标写入片区之后，所述方法还包括：更新所述当前写入地址和所述当前读取地址。
[0018]为达到上述目的，本专利技术第二实施例提出了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现如上述的Flash存储器的数据读写方法。
[0019]为达到上述目的，本专利技术第三实施例提出了一种电子设备，包括存储器、处理器和存储在所述存储器上的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时，实现如上述的Flash存储器的数据读写方法。
[0020]为达到上述目的，本专利技术的第四实施例提出了一种Flash存储器的数据读写系统，包括：Flash存储器和所述的电子设备。
[0021]本专利技术实施例的Flash存储器的数据读写方法、系统以及介质、设备，通过确定向Flash存储器写入数据，获取当前写入片区，检测到当前写入片区的存储空间不满足待写入数据的存储需求，根据当前写入片区确定目标写入片区，并将当前写入片区的状态值从使
用中调整为已满，将待写入数据写入目标写入片区，检测到需要擦除状态值为已满的片区，擦除状态值为已满的片区中的数据的方法。由此，可减少Flash存储器的擦除次数，延长Flash存储器的使用寿命。
[0022]本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0023]图1是本专利技术实施例的Flash存储器数据读写方法的流程图；
[0024]图2是本专利技术的一个示例的擦除状态值为已满片区的流程图；
[0025]图3是本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Flash存储器的数据读写方法，其特征在于，所述Flash存储器包括多个片区，所述方法包括：确定向所述Flash存储器写入数据，获取当前写入片区；检测到所述当前写入片区的存储空间不满足待写入数据的存储需求，根据所述当前写入片区确定目标写入片区，并将所述当前写入片区的状态值从使用中调整为已满；将所述待写入数据写入所述目标写入片区；检测到需要擦除状态值为已满的片区，擦除状态值为已满的片区中的数据。2.根据权利要求1所述的Flash存储器的数据读写方法，其特征在于，在擦除状态值为已满的片区中的数据之前，所述方法还包括：检测到状态值为已满的片区中存在需要搬运至所述目标写入片区的待搬运数据，将所述待搬运数据搬运至所述目标写入片区。3.根据权利要求1或2所述的Flash存储器的数据读写方法，其特征在于，所述确定需要擦除状态值为已满的片区中的数据，包括：统计状态值为已满的片区的数量；检测到所述数量达到预设阈值，确定需要擦除状态值为已满的片区中的数据。4.根据权利要求1所述的Flash存储器的数据读写方法，其特征在于，所述多个片区包括静态片区和动态片区，所述方法还包括：检测到所述当前写入片区为动态片区，执行对所述当前写入片区的存储空间进行检测的步骤；检测到所述当前写入片区为静态片区，擦除所述当前写入片区中的数据，并在擦除后将所述待写入数据写入所述当前写入片区。5.根据权利要求4所述的Flash存储器的数据读写方法，其特征在于，所述方法还包括：确定读取所述Flash存储器中的数据，获取当前读取片区；对所述当前读取片区中的数据进行校验；检测到校验通过，将所述当前读取片区中的数据存入缓存器。6.根据权利要求5所述的Flash存储器的数据读写方法，其特征在于，所述对当前读取片区中的数据进行校验，包括：检测到所述当前读取片区为静态片区，对所述当前读取片区中数据的校验码进行校验；检测到所述当前读取片区为动态片区，对所述当前读取片区的ID长度、读取地址，以及所述当前读取片区中数据的校验码进行校验。7.根据权利要求5所述的Fl...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊海军，
申请(专利权)人：上海美仁半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：