多中柱磁路系统的扬声器技术方案

本发明专利技术涉及扬声器技术领域，具体为多中柱磁路系统的扬声器，包括磁路中柱、磁路底托、音圈、振膜和盆架,所述的磁路中柱包括均为导磁材料的磁路中柱上段和磁路中柱下段，所述磁路中柱上段柱体数量大于等于两个，所述的磁路中柱下段安装在磁路底托内，所述的磁路底托为不导磁材料，所述磁路底托中部设有用于容纳固定磁路中柱下段的底托中柱孔，所述底托中柱孔的数量与尺寸和磁路中柱下段相匹配，磁路中柱下段装配进底托中柱孔后稳定保持磁路中柱上段和磁路中柱下段处于磁路系统中的空间位置，所述磁路底托外沿上方设有导磁环、永磁体。本发明专利技术具有支架、多音圈、多中柱，能平衡稳定地驱动音圈，提升音质；同时，还可高效率生产，各中柱可一次成型。可一次成型。可一次成型。

【技术实现步骤摘要】
多中柱磁路系统的扬声器


[0001]本专利技术涉及扬声器
，具体为多中柱磁路系统的扬声器。

技术介绍

[0002]动圈扬声器的电声转换核心在驱动音圈，为扬声器的策动源头，这一从电信号转换为声信号的源头有细微偏差，细微失真都将导致后面放大的信号为倍数放大的失真信号。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是为了解决上述
技术介绍
中存在的缺点，而提出的多中柱磁路系统的扬声器，本专利技术扬声器具有支架、多音圈、多中柱，能平衡稳定地驱动音圈，提升音质、降低失真；同时，还可高效率生产，各中柱可一次成型。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：多中柱磁路系统的扬声器，包括磁路中柱、磁路底托、音圈、振膜和盆架,所述的磁路中柱包括均为导磁材料的磁路中柱上段和磁路中柱下段，所述磁路中柱上段柱体数量大于等于两个，所述的磁路中柱下段安装在磁路底托内，所述的磁路底托为不导磁材料，所述磁路底托中部设有用于容纳固定磁路中柱下段的底托中柱孔，所述底托中柱孔的数量与尺寸和磁路中柱下段相匹配，磁路中柱下段装配进底托中柱孔后稳定保持磁路中柱上段和磁路中柱下段处于磁路系统中的空间位置，所述磁路底托外沿上方设有下导磁环，所述下导磁环上方设有永磁体，所述永磁体上方设有上导磁环，所述下导磁环与磁路中柱之间形成下磁隙，所述上导磁环与磁路中柱之间形成上磁隙，所述的音圈包括在音圈骨架上绕制连接的音圈上绕线组和音圈下绕线组，所述音圈上绕线组处于上磁隙中，所述音圈下绕线组处于下磁隙中，所述的音圈上端连接扬声器振膜，所述的扬声器振膜设置在处于上导磁环上方的盆架上。
[0005]优选的：
[0006]所述的磁路中柱为多根独立的柱体，所述的柱体分别安装在底托中柱孔中。支架音圈需要开槽磁路中柱，传统扬声器生产为一体冲压中柱，开支架槽需要额外工序加工，生产效率大大低于传统扬声器。本结构避免了磁路中柱开槽工序，可一次生产出中柱，极大提高生产效率。
[0007]所述的磁路中柱为一体式结构，所述磁路中柱上段为多个独立的柱体。有利于控制安装精度，获得等距磁隙。
[0008]所述音圈内设有音圈支架，所述音圈支架可上下移动于各磁路中柱上段之间的支架隙。音圈支架结构让作为扬声器核心的音圈强度大幅度提高，使音圈在不断振动中形变降低。音圈强度不足时，高频率小信号损失在音圈微弱形变中，无法向振膜传递；本专利技术支架音圈从高频段到低频段都能维持音圈的强度，提高向振膜传递信号的完整度。
[0009]所述音圈内的音圈支架为单支撑式，所述磁路中柱上段柱体为两个。单支撑可在提高了音圈部分强度的同时，降低系统的复杂程度，控制音圈重量的增加，磁路中柱上段柱
体分为两个。
[0010]所述音圈内的音圈支架为多支撑式，所述磁路中柱上段柱体数量与容纳音圈支架的支架隙数量对应。多支撑音圈支架系统完整的提供高强度音圈，通过支架片打孔，以及使用更轻质的支架材料，来调整音圈重量。
[0011]所述磁路中柱下段贯穿并超出磁路底托。超出磁路底托的磁路中柱可起到散热作用，加快将音圈工作时产生的热量传递，提高扬声器的功率。
[0012]所述永磁体有多个且错位布置。多磁体可以提高磁隙内的磁通密度，提高扬声器的灵敏度，输入低功率也可以获得足够的声压。
[0013]所述的音圈设有三个及以上的音圈绕线组。当需要进一步提高扬声器器效率和性能，更多的绕线组提供更多和更平衡的驱动力。
[0014]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：多中柱的音圈支架结构让作为扬声器核心的音圈强度大幅度提高，使音圈不断振动中形变降低。高频率小信号损失降低，本专利技术支架音圈从高频段到低频段都能维持音圈的强度，提高向振膜传递信号的完整度，提升音质、降低失真；同时，各中柱可一次成型，可以避免中柱二次开槽工序，提高生产效率，使支架音圈扬声器实用化，适合大批量生产，推广普及。
附图说明
[0015]图1为本专利技术实施例的结构示意图；
[0016]图2为本专利技术实施例磁路底托的侧剖图；
[0017]图3为本专利技术实施例磁路底托的俯视图；
[0018]图4为本专利技术一体式磁路中柱的结构示意图；
[0019]图5为本专利技术音圈单支撑式的结构示意图；
[0020]图6为本专利技术音圈多支撑式的结构示意图；
[0021]图7为本专利技术音圈另一多支撑式的结构示意图；
[0022]图8为本专利技术磁路中柱超出磁路底托的结构示意图；
[0023]图9为本专利技术多永磁体的结构示意图；
[0024]图10为本专利技术多音圈的结构示意图。
[0025]图中：1、下导磁环；2、永磁体；3、上导磁环；4、下磁隙；5、上磁隙；6、磁路中柱上段；7、磁路底托；8、底托中柱孔；9、音圈上绕线组；10、音圈下绕线组；11、振膜；12、盆架；13、支架隙；14、磁路中柱下段；15、音圈支架；16、导磁环。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]实施例
[0028]请参阅图1
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3，本专利技术提供的多中柱磁路系统的扬声器，包括磁路中柱、磁路底托7、音圈、振膜11和盆架12,所述的磁路中柱包括均为导磁材料的磁路中柱上段6和磁路中柱
下段14，所述磁路中柱为四根独立的柱体，即磁路中柱上段6柱体数量为四个，所述的磁路中柱下段14柱体也为四个且安装在磁路底托7内，所述的磁路底托7为不导磁材料，所述磁路底托7中部设有用于容纳固定磁路中柱下段14的底托中柱孔8，所述底托中柱孔8的数量与尺寸和磁路中柱下段14相匹配，磁路中柱下段14装配进底托中柱孔8后稳定保持磁路中柱上段6和磁路中柱下段14处于磁路系统中的空间位置，所述磁路底托7外沿上方设有下导磁环1，所述下导磁环1上方设有永磁体2，所述永磁体2上方设有上导磁环3，所述下导磁环1与磁路中柱之间形成下磁隙4，所述上导磁环3与磁路中柱之间形成上磁隙5，所述的音圈包括在音圈骨架上绕制连接的音圈上绕线组9和音圈下绕线组10，所述音圈上绕线组9处于上磁隙5中，所述音圈下绕线组10处于下磁隙4中，所述的音圈上端连接扬声器振膜11，所述的扬声器振膜11设置在处于上导磁环3上方的盆架12上。
[0029]所述音圈内设有音圈支架15，所述音圈支架15可上下移动于各磁路中柱上段6之间的支架隙13。
[0030]其他实施例的情况：
[0031]本技术方案的磁路中柱还可为一体式结构，所述磁路中柱上段为多个独立的柱体，如图4所示。
[0032]本技术方案音圈内的音圈支架15可为单支撑式，所述磁路中柱上段6柱体为两个，如图5所示。
[0033]本技术方案音圈内的音圈支架15可为多支撑式，所述磁路中柱上段6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.多中柱磁路系统的扬声器，包括磁路中柱、磁路底托(7)、音圈、振膜(11)和盆架(12),其特征在于：所述的磁路中柱包括均为导磁材料的磁路中柱上段(6)和磁路中柱下段(14)，所述磁路中柱上段(6)柱体数量大于等于两个，所述的磁路中柱下段(14)安装在磁路底托(7)内，所述的磁路底托(7)为不导磁材料，所述磁路底托(7)中部设有用于容纳固定磁路中柱下段(14)的底托中柱孔(8)，所述底托中柱孔(8)的数量与尺寸和磁路中柱下段(14)相匹配，磁路中柱下段(14)装配进底托中柱孔(8)后稳定保持磁路中柱上段(6)和磁路中柱下段(14)处于磁路系统中的空间位置，所述磁路底托(7)外沿上方设有下导磁环(1)，所述下导磁环(1)上方设有永磁体(2)，所述永磁体(2)上方设有上导磁环(3)，所述下导磁环(1)与磁路中柱之间形成下磁隙(4)，所述上导磁环(3)与磁路中柱之间形成上磁隙(5)，所述的音圈包括在音圈骨架上绕制连接的音圈上绕线组(9)和音圈下绕线组(10)，所述音圈上绕线组(9)处于上磁隙(5)中，所述音圈下绕线组(10)处于下磁隙(4)中，所述的音圈上端连接扬声器振膜(11)，所述的扬声器振膜(11)设置在处于上导磁环(3)上方的盆架(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，
申请(专利权)人：海宁市西米尼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：