【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种电路结构，具体为一种适用于有源功率因数 校正电路的抑制浪涌电路。技术背景传统的有源功率因数校正电路(APFC)的电路结构如图1所示， 由储能电感L1A，高频大功率MOS管Ql，单向二极管D2，和滤波 电容C2组成一种升压式(BOOST)变换器电路，其中，储能电感 L1A与单向二极管D2串联，并与高频大功率MOS管Ql的漏极连 接，单向二极管Dl与储能电感L1A和单向二极管D2组成的串联电 路并联，并与滤波电容C2和电容C1构成整体回路。市电经整流后 的电压VIN，经过二极管Dl到滤波电容C2。由于电容C2在开机 瞬间的阻抗很小，几乎是短路，根据PU/R得出，当电压U—定时， 电阻R越小，电流I就越大。因此整个回路的电流很大，容易造成 二极管D1击穿。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有有源功率因数校正电路在开机 瞬间，二极管D1容易被击穿的缺陷，提供一种抑制浪涌电路，从而 防止开机瞬间二极管D1击穿，对电路实施有效的保护。本技术的技术方案如下 一种抑制浪涌电路，包括储能电感L1A,储能电感L1A与单向二极管D2串联，并与高频大功率MOS 管Ql的漏极连接，单向二极管Dl与储能电感L1A和单向二极管D2组成的串联电路并联，并与滤波电容C2和电容C1构成整体回路， 其特点在于，在单向二极管的输入端串联一个负温度系数热敏电阻 TH1。本技术在二极管D1的回路中串联一个热敏电阻TH1，当市 电经整流后的电压VIN，经TH1和D1流向C2，在开机瞬间，热敏 电阻TH1的阻抗很大，根据I-U/R得出，当电压U—定时，电阻R 越大，电流I就越小。因此...
【技术保护点】
一种抑制浪涌电路，包括储能电感Ｌ１Ａ，储能电感Ｌ１Ａ与单向二极管Ｄ２串联，并与高频大功率ＭＯＳ管Ｑ１的漏极连接，单向二极管Ｄ１与储能电感Ｌ１Ａ和单向二极管Ｄ２组成的串联电路并联，并与滤波电容Ｃ２和电容Ｃ１构成整体回路，其特征在于：在单向二极管的输入端串联一个负温度系数热敏电阻ＴＨ１。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖学文，
申请(专利权)人：深圳晶辰电子科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]
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