【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅生长设备全量程组合式自动温度检测装置
[0001]本技术属于碳化硅生长设备
，具体涉及一种碳化硅生长设备全量程组合式自动温度检测装置。
技术介绍
[0002]碳化硅晶体生长炉的原理是利用物理气相沉积法，通过加热碳化硅粉料使其升华到坩埚顶部的籽晶上生长碳化硅晶体。此过程需要通过特定的方法保证炉内具有不同的温度梯度，该温度梯度的变化规律对生长过程极其重要，所以生长工艺过程中检测温度是非常重要的。目前所使用测温装置属于固定式，在设备测温窗中心位置上方加装与其同心的测温计，该测温计通过支架固定。该测温结构存在如下问题：
[0003]1：碳化硅生长过程需要监测室温至生长温度，但因功能限制，单支测温计只能提供0
‑
1000或者1000
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3000的量程，目前大多使用的测温结构只安装监测高温区，使用1000
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3000量程的高温计，无法同时满足监测全程温度变化的功能。
[0004] 2：生长工艺完成后，需要人为开炉将晶体取出，该过程需等待炉内温度降低至安...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅生长设备全量程组合式自动温度检测装置，其特征在于：包括对称设置于长晶炉上盖(1)上端面上的驱动支撑支架(2)以及接近开关支架(3)，上盖(1)在二者之间的区域设置有一个上下贯通的测温孔(15)，驱动支撑支架(2)朝向测温孔(15)的一侧端面上端通过固定板固定设置有驱动电机(6)，驱动电机(6)的输出轴通过联轴器(8)与竖直的旋转轴(9)相固定连接，旋转轴(9)上固定设置有高温计旋转支架(11)，高温计旋转支架(11)上分别固定设置有第一高温计(12)与第二高温计(13)，接近开关支架(3)的上端朝向高温计旋转支架(11)处设置有接近开关(14)，接近开关(14)与高温计旋转支架(11)的高度相等。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅生长设备全量程组合式自动温度检测装置，其特征在于：所述驱动支撑支架(2)整体为竖直设置的L形结构，包括一个水平的横板和一个竖直的竖板，所述横板的一端与竖板的下端相固定连接，横板的下端面与上盖(1)的上端面相固定连接；竖板与横板的连接处设置有加强筋。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅生长设备全量程组合式自动温度检测装置，其特征在于：竖板远离横板的一侧竖直端面上端设置有两个水平的固定板，分别为上固定板(4)与下固定板(5)，所述上固定板(4)为U形结构，开口处水平朝向远离竖板的一端，上固定板(4)的底板与竖板相固定连接，两个侧板保持水平，上侧的侧板上端面固定设置有驱动电机(6)与电机减速器(7)，驱动电机(6)的输出轴竖直向下并且与电机减速器(7)相固定连接，电机减速器(7)的输出轴竖直向下穿过上侧的侧板，两个侧板之间设置有一个竖直的所述联轴器(8)，下侧的侧板内部插接有一根竖直的所述旋转轴(9)，电机减速器(7)的输出轴与旋转轴(9)通过联轴器(8)相固定连接。4.根据权利要求3所述的一种碳化硅生长设备全量...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨凯，周立平，刘慧强，王琪，周环宇，徐志强，
申请(专利权)人：山西烁科晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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