低励磁涌流、低操作过电压移相变压器制造技术

本实用新型专利技术提供一种与单元串联型多电平高压大功率变频器配套的输入移相变压器，内线圈为多层圆筒式线圈结构或轴向双分裂式的圆筒式线圈结构，内线圈设有双静电屏，静电屏可同时或单独接地、接高压线圈进线或出线端子。外线圈采用单饼式或多个单饼并联式或多层圆筒式。外线圈采用由金属瓦楞板形成的垂直气道，该变压器成本低，金属瓦楞气道散热好，是一种低励磁涌流、低操作过电压的新型移相变压器。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种与变频器配套的移相变压器，其特征在于：　　　　ａ．高压线圈为多层园筒式线圈结构，大容量采用轴向双分裂式的园筒式线圈结构；　　　　ｂ．高压线圈设置双静电屏结构，静电屏可以同时或单独接地、接高压线圈进线或出线端子；　　　　ｃ．低压线圈采用单饼式或多个单饼并联式。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘江，
申请(专利权)人：成都东方凯奇电气有限责任公司，刘江，
类型：实用新型
国别省市：90[中国|成都]