包括板载电流感测电阻器与管芯上电流传感器的功率管理电路制造技术

一种设备，包括印刷电路板(PCB)，其包括：感测电阻器；以及安装在PCB上的集成电路(IC)，其中IC的至少部分从功率轨吸取电流，其中感测电阻器耦合在功率轨和IC之间，其中感测电阻器配置为响应于由IC的至少部分吸取的电流产生感测电压，并且其中所述IC包括电流传感器，其被配置为基于所述感测电压生成指示由所述IC的所述至少部分吸取的电流的信号。的所述至少部分吸取的电流的信号。的所述至少部分吸取的电流的信号。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括板载电流感测电阻器与管芯上电流传感器的功率管理电路
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月3日在美国专利局提交的非临时申请序列号17/088,066以及于2019年12月8日在美国专利局提交的临时申请序列号62/945,188的申请日期权益，这些申请通过引用并入本文，如同下文对其全部内容和所有适用目的进行了充分阐述。


[0003]本公开的各个方面通常涉及集成电路(IC)，尤其是涉及包括印刷电路板(PCB)和集成电路(IC)的设备，例如片上系统(SOC)型IC，其中功率管理电路具有板上电流感测电阻器和管芯上电流传感器。

技术介绍

[0004]电路的功率或电流限制管理是维护电路安全可靠运行的关键。诸如片上系统(SOC)之类的集成电路(IC)可以包括一个或多个核心，例如信号处理核心，其在执行它的或它们的预期操作时可以从片外电源或电源电压轨吸取功率或电流。在某些情况下，由一个或多个核心吸取的功率或电流可能超过一个或多个安全限制。如果超过此类安全限制，则IC可以出现故障，甚至更糟的是，会出现无法修复的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，包括：集成电路(IC)，位于硅衬底上，其中所述IC包括电流传感器；以及感测电阻器，不位于所述硅衬底上，所述感测电阻器耦合到所述电流传感器的第一输入。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述感测电阻器被安装在印刷电路板(PCB)上。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述IC和所述感测电阻器被定位于IC封装内。4.根据权利要求1所述的设备，还包括：电压转换器，包括耦合到所述感测电阻器的输入和耦合到所述电流传感器的所述第一输入的输出。5.根据权利要求1所述的设备，还包括：温度传感器，耦合到所述电流传感器的第二输入。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述IC还包括电流限制管理器，所述电流限制管理器包括耦合到所述电流传感器的输出的输入。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述IC还包括：电流减小单元，包括耦合到所述电流限制管理器的输出的输入；和一个或多个核心，包括耦合到所述电流减小单元的输出的输入。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述IC还包括一个或多个核心，其中所述感测电阻器耦合在功率轨和所述一个或多个核心之间。9.根据权利要求8所述的设备，还包括：电压调节器(VR)，所述电压调节器与感测电阻器串联耦合，所述感测电阻器在所述功率轨与所述一个或多个核心之间。10.根据权利要求8所述的设备，还包括：功率管理集成电路(IC)，所述功率管理集成电路与所述感测电阻器串联耦合，所述感测电阻器在所述功率轨与所述一个或多个核心之间。11.一种设备，包括：印刷电路板(PCB)；感测电阻器，安装在所述PCB上；以及集成电路(IC)，安装在所述PCB上，其中所述IC的至少部分从功率轨吸取电流，其中所述感测电阻器耦合在所述功率轨和所述IC之间，其中所述感测电阻器被配置为响应于由所述IC的至少部分吸取的所述电流产生第一感测电压，并且其中所述IC包括电流传感器，所述电流传感器被配置为基于所述第一感测电压来生成指示由所述IC的至少部分吸取的所述电流的信号。12.根据权利要求11所述的设备，其中所述感测电阻器包括所述PCB的金属化迹线。13.根据权利要求11所述的设备，其中所述PCB还包括：电压转换器，所述电压转换器被配置为将所述第一感测电压转换为第二感测电压，其中所述电流传感器被配置为基于所述第二感测电压来生成指示由所述IC的至少部分吸取的所述电流的信号。14.根据权利要求13所述的设备，其中所述电压转换器包括差分放大器，所述差分放大器被配置为基于所述第一感测电压来产生所述第二感测电压。15.根据权利要求14所述的设备，其中所述差分放大器进一步被配置为基于用于设置所述第二感测电压的共模电压的参考电压来产生所述第二感测电压。16.根据权利要求11所述的设备，还包括：温度传感器，所述温度传感器被配置为生成
指示所述感测电阻器的操作温度的温度信号，其中所述电流传感器被配置为基于所述温度信号来生成指示由所述IC的至少部分吸取的所述电流的信号。17.根据权利要求11所述的设备，其中所述IC还包括：电流限制管理器，所述电流限制管理器被配置为生成限制违规信号，所述限制违规信号指示由所述IC的至少部分吸取的所述电流是否违反定义的一个或多个限制。18.根据权利要求17所述的设备，其中定义的所述一个或多个限制包括峰值电流限制、持续电流限制或电流转换率限制。19.根据权利要求17所述的设备，其中所述IC还包括：电流减小单元，所述电流减小单元被配置为减小由所述IC的至少部分响应于所述限制违规信号吸取的所述电流。20.根据权利要求19所述的设备，其中所述电流减小单元被配置为通过减小提供给所述IC的至少部分的时钟的频...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：