一种低介电常数、高耐候性、高抗冲击性的聚碳酸酯-聚酯共聚物制造技术

本发明专利技术涉及一种具有低介电常数、高耐候性、高抗冲击性的聚碳酸酯

【技术实现步骤摘要】
一种低介电常数、高耐候性、高抗冲击性的聚碳酸酯
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聚酯共聚物


[0001]本专利技术涉及一种聚碳酸酯
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聚酯共聚物，更具体的涉及一种低介电常数、高耐候性、高抗冲击性的聚碳酸酯
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聚酯共聚物。

技术介绍

[0002]聚碳酸酯作为一种工程塑料，具有质轻高强的特点，被广泛应用在电器制品外壳、电路材料和基板材料等领域。随着集成化电路的发展，需要在基板上铺设更多电路，这就对基板材料有一定要求。通常来说，具有低介电常数的材料能够降低集成电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，减少集成电路的发热量。更重要的是，应用低介电常数材料可以降低内层电容，并增加电源网络阻抗，有助于保持信号完整性。此外，随着户外电器的应用逐渐增多，对基板材料的耐候性提出了更高的要求，即需要电器整体具有明显的抗紫外性，能够在一定工作条件下长期使用。作为基板材料，还需要具有一定的抗冲击性，能够经受住日常的摔落。
[0003]中国专利CN1865315B描述了包含间苯二酚、间苯二甲酰氯/对苯二甲酰氯混合物和双酚A的高耐候嵌段共聚酯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚碳酸酯
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聚酯共聚物，包含如下结构：1)来源于式(I)表示的二羟基化合物的结构单元：其中，X1、X2分别独立的表示C1
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C10的亚烷基、C6
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C20的亚芳基或仅表示化学键，和：2)来源于式(II)表示的二羟基化合物的结构单元，选自(II
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1)、(II
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A)、(II
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B)：B)：其中W1表示C1
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C10的亚烷基，其中W2表示F、Cl、Br、I，和：3)来源于式(III)表示的二羧酸化合物的结构单元：其中，Y1、Y2分别独立的表示C1
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C2的亚烷基、C6
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C20的亚芳基或仅表示化学键。2.根据权利要求1所述的聚碳酸酯
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聚酯共聚物，其特征在于，所述式(I)表示的二羟基化合物的结构式为：
3.根据权利要求1或2所述的聚碳酸酯
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聚酯共聚物，其特征在于，所述式(II)表示的二羟基化合物的结构式选自间苯二酚、邻苯二酚、对苯二酚，优选为间苯二酚：。4.根据权利要求1
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3任一项所述的聚碳酸酯
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聚酯共聚物，其特征在于，所述式(II...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎雷，王磊，曾伟，王玉彬，魏志涛，赵欣，靳少华，李凤闯，隋东武，李强，张怀强，
申请(专利权)人：万华化学集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：