一种有机硅低沸点合成高沸物重排反应方法技术

本发明专利技术属于化工领域，提供一种有机硅低沸点合成高沸物重排反应方法。主要涉及在在一定的温度、压力下，以甲基氯硅烷单体为溶剂、合成高沸物提供催化剂和以甲基氢二氯硅烷为激活剂，与氢气发生重排反应。本发明专利技术提供的低沸点合成高沸物重排反应方法，转化效率在85％以上，得到产物为甲基氢二氯硅烷单体，产品附加值高。值高。值高。

【技术实现步骤摘要】
一种有机硅低沸点合成高沸物重排反应方法


[0001]本专利技术属于化工领域，涉及一种有机硅单体合成单元产生的低沸点合成高沸物重排反应方法。

技术介绍

[0002]公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
[0003]有机硅单体合成单元产生的高沸物以Si—Si键、Si—C键以及Si—O键类化合物为主。其中硅元素电负性为1.8，碳元素电负性为2.5，氧元素电负性为3.5，查阅资料可知，Si—O键能最大为422.5kJ/mol，Si—C键能次之为334kJ/mol、Si—Si键能最小为188kJ/mol。故亚甲基硅(Si
‑
C键合化合物)、聚硅烷(Si
‑
O键合化合物)沸点较高，一般大于154℃。Si
‑
Si键化合物沸点较低，为112～154℃。
[0004]目前，低沸点合成高沸物的处理方法主要有水解法和Midland热裂解法。水解法是通过水解处理得到惰性、不粘附、易分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机硅低沸点合成高沸物重排反应方法，其特征在于，包括：将过滤后的合成高沸物与氯硅烷单体混合，再加入甲基氢二氯硅烷，混合均匀后，通入氢气，并加入低沸点的合成高沸物进行重排反应，得到甲基氢二氯硅烷单体。2.如权利要求1所述的有机硅低沸点合成高沸物重排反应方法，其特征在于，所述过滤后的合成高沸物、氯硅烷单体以及低沸点合成高沸物的质量比为0.6～1.3:0.6～1.3:0.6～1.3。3.如权利要求1所述的有机硅低沸点合成高沸物重排反应方法，其特征在于，甲基氢二氯硅烷的加入量为低沸点合成高沸物加入的量10％～20％。4.如权利要求1所述的有机硅低沸点合成高沸物重排反应方法，其特征在于，氢气的进料量为低沸点合成高沸物的1.1％～2...

【专利技术属性】
技术研发人员：安鲁伟，孟圆圆，刘立彬，刘飞，逯振飞，吴东，马树金，任慧敏，
申请(专利权)人：聊城市鲁西化工工程设计有限责任公司，
类型：发明
国别省市：