一种同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法技术

本发明专利技术公开了一种同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法，包括如下步骤：将有机硅粗单体通入隔壁塔的隔板的一侧，隔壁塔的上部实现低沸物和一甲基三氯硅烷的分离，隔壁塔的下部实现高沸物和二甲基二氯硅烷的分离，隔板的另一侧实现一甲基三氯硅烷和二甲基二氯硅烷的采出。在达到同样分离纯度的前提下，本发明专利技术的方法比传统精馏节约能耗15％以上，能减少三台设备的投资及占地，设备投资降低5％以上，并能使流程简化。并能使流程简化。并能使流程简化。

【技术实现步骤摘要】
一种同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法


[0001]本专利技术属于有机硅纯化
，具体涉及一种同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法。

技术介绍

[0002]这里的陈述仅提供与本专利技术相关的
技术介绍
，而不必然地构成现有技术。
[0003]有机硅生产过程中的反应产物中除了一甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基一氯硅烷和一甲基氢氯硅烷等单体外，还有四甲基硅烷、氢氯硅烷等低沸物和乙基氯硅烷、烷基二硅烷等高沸物。传统分离工艺是先脱除高沸物，再脱除低沸物，然后逐次分离各单体。传统精馏工艺的脱高塔和脱低塔都将近70米，且能耗很高。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的是提供一种同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：
[0006]一种同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法，包括如下步骤：
[0007]将有机硅粗单体通入隔壁塔的隔板的一侧，隔壁塔的上部实现低沸物和一甲基三氯硅烷的分离，隔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法，其特征在于：包括如下步骤：将有机硅粗单体通入隔壁塔的隔板的一侧，隔壁塔的上部实现低沸物和一甲基三氯硅烷的分离，隔壁塔的下部实现高沸物和二甲基二氯硅烷的分离，隔板的另一侧实现一甲基三氯硅烷和二甲基二氯硅烷的采出。2.根据权利要求1所述的同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法，其特征在于：所述隔壁塔的内部分为四个区域，分别为上部连通区、下部连通区、进料区和出料区，上部连通区位于隔板的上方，下部连通区位于隔板的下方，进料区和出料区分别位于隔板的两侧。3.根据权利要求2所述的同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法，其特征在于：隔板与进料侧塔壁距离、隔板与出料侧塔壁距离之比为0.4
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0.7:1。4.根据权利要求2所述的同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法，其特征在于：进料口位于进料区高度的20％
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65％处。5.根据权利要求2所述的同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法，其特征在于：出料口位于出料区高度的60
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85％处。6.根据权利要求2所述的同时脱除有机硅粗单体中高沸物和低沸物的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：范芸珠，肖光，刘立彬，闫继勇，冯贵俊，李长猛，任慧敏，朱明华，
申请(专利权)人：聊城市鲁西化工工程设计有限责任公司，
类型：发明
国别省市：