本实用新型专利技术提供了一种能够提高电流采样的精度和可靠性锰铜分流器，至少包括锰铜片本体，以及设置于所述锰铜片本体上的用于电流采样的第一插接引脚和第二插接引脚；所述第一插接引脚包括自锰铜片本体顶端引出的第一过渡段、自第一过渡段顶端平行于锰铜片本体顶部向第二插接引脚连接端方向延伸的第一延伸段和自第一延伸段末端向上延伸的第一插接段，所述第二插接引脚包括自锰铜片本体顶端引出的第二过渡段，连接第二过渡段并向第一过渡段方向延伸的第二延伸段和自第二延伸段末端向上延伸的第二插接段，其中，所述第二延伸段与第一插接段在空间上交叉设置，且第二延伸段的末端延伸超出第一过渡段。延伸超出第一过渡段。延伸超出第一过渡段。
【技术实现步骤摘要】
一种锰铜分流器及电能表总成
[0001]本技术涉及分流器
，具体涉及一种锰铜分流器及配置该锰铜分流器的电能表总成。
技术介绍
[0002]电子式电能表通常是采用锰铜等高稳定性材料制作电流采样元件即锰铜分流器。如附图1所示，现有的锰铜分流器包括两个纯铜片5、6和设置在所述两个纯铜片之间的锰铜片7，锰铜片一端的纯铜片用于连接继电器，另一端的纯铜片用于作为接入负载电流线的接入端。在锰铜片7上设有用于电流采样的两个刚性插接引脚71、72，其末端插接连接至电能表的印制板(线路板)上。当负载电流通过锰铜分流器时，在两个插接引脚之间的电阻上会产生电压降，形成采样信号，且不同大小的负载电流会产生不同的电压降。上述采用信号通过采样信号线传送至电能表，经滤波后接入计量芯片，换算出实际的负载电流，从而实现电能表的计量。
[0003]然而，由于外界施加和自身电流通断引起的交变磁场的作用，上述现有的锰铜分流器上的插接引脚会在变化磁场的作用下在其采样回路中形成额外的电动势，由此会影响到电流采样的精度。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种锰铜分流器及配置该锰铜分流器的电能表总成，旨在通过特定结构设计降低外界施加和自身电流通断引起的交变磁场的干扰，提高电流采样的精度和可靠性，并能可靠和高效的安装连接。具体采用的技术方案如下：
[0005]一种锰铜分流器，至少包括锰铜片本体，以及设置于所述锰铜片本体上的用于电流采样的第一插接引脚和第二插接引脚；所述第一插接引脚包括自锰铜片本体顶端引出的第一过渡段、自第一过渡段顶端平行于锰铜片本体顶部向第二插接引脚连接端方向延伸的第一延伸段和自第一延伸段末端向上延伸的第一插接段，所述第二插接引脚包括自锰铜片本体顶端引出的第二过渡段，连接第二过渡段并向第一过渡段方向延伸的第二延伸段和自第二延伸段末端向上延伸的第二插接段，其中，所述第二延伸段与第一插接段在空间上交叉设置，且第二延伸段的末端延伸超出第一过渡段。
[0006]进一步的，所述第二延伸段和第二插接段一体式设置，所述第二延伸段的一端通过铆接或焊接的方式固定于第二过渡段远离第一插接段的外侧面上。
[0007]进一步的，所述第二延伸段于延伸越过所述第一插接段后设有向第一插接段方向偏折的弯折部。
[0008]进一步的，所述第二延伸段的厚度为所述锰铜片本体厚度的1/3～1/2。
[0009]进一步的，所述第一插接段于靠近第一延伸段的一端设有对应于所述第二延伸段的让位槽。
[0010]进一步的，所述锰铜分流器还包括设置于所述锰铜片本体两侧的第一铜片和第二
铜片，所述第一铜片和第二铜片的其中一个铜片上设置有用于电压采样的第三插接引脚。
[0011]本技术还提供了一种电能表总成，包括：继电器、PCB板和如上所述的锰铜分流器，其中，所述锰铜分流器的第一插接引脚、第二插接引脚和第三插接引脚的插接段分别与所述PCB板插接连接。
[0012]本技术的有益效果如下：
[0013]1)本技术的锰铜分流器，通过两个电流采样引脚结构的独特交叉设计，可以在锰铜片长度方向及厚度方向两个方向上形成可相互抵消的感应电流回路，以降低外界施加或自身电流通断引起的交变磁场的干扰，有效提高了电流采样的精度和可靠性。
[0014]2)本技术的锰铜分流器，采用硬性材料的插脚设计，便于与PCB板安装连接，能够提升安装的可靠性和效率。
附图说明
[0015]图1为现有的锰铜分流器的结构示意图。
[0016]图2为本技术的锰铜分流器实施例的正面结构示意图。
[0017]图3为图2中实施例的背面结构示意图。
[0018]图4为图2中实施例的俯视结构示意图。
具体实施方式
[0019]为了进一步理解本技术，下面结合实施例对本技术优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本技术的特征和优点，而不是对本技术权利要求的限制。
[0020]本技术实施例提供了一种锰铜分流器，参见附图2
‑
4所示出的实施例，其包括锰铜片本体1，以及设置于锰铜片本体1两侧的第一铜片3和第二铜片 4。锰铜片本体1上设置有用于电流采样的第一插接引脚10和第二插接引脚20，第一铜片3上设置有用于电压采样的第三插接引脚30。
[0021]其中，第一插接引脚10与锰铜片本体1一体式设置，其包括自锰铜片本体 1顶端引出的第一过渡段101，自第一过渡段101顶端平行于锰铜片本体顶部向第二插接引脚连接端方向延伸的第一延伸段102和自第一延伸段102末端向上延伸的第一插接段103，第一插接段103的末端为插针。本示出实施例中，第一插接引脚10的第一过渡段101和第一延伸段102的厚度与锰铜片本体1的厚度相同。
[0022]第二插接引脚20包括自锰铜片本体1顶端引出的第二过渡段201，连接第二过渡段201并向第一过渡段方向延伸的第二延伸段202和自第二延伸段末端向上延伸的第二插接段203。其中，第二延伸段202与第一插接段103在空间上交叉设置，且第二延伸段202的末端延伸超出第一过渡段101。本示出实施例中，第二延伸段202和第二插接段203一体式设置，其厚度为锰铜片本体1厚度的 1/3～1/2。
[0023]作为优选实施方案，为了便于加工装配，第二延伸段202的一端通过铆接或焊接的方式固定于第二过渡201段远离第一插接段的外侧面上。
[0024]作为优选实施方案，第一插接段103于靠近第一延伸段102的一端设有对应于第二延伸段202的让位槽1031，使得整体结构更加紧凑，且能更好地达到抗电磁干扰的效果，其
原理将在后续说明。
[0025]作为进一步的优选实施方案，第二延伸段202延伸至越过第一插接段103 后，设有有向第一插接段103方向偏折的弯折部2021，之后继续平行于锰铜片本体顶部延伸至越过第一过渡段101后向上弯折形成第二插接段203。
[0026]采用上述结构，工作时，在锰铜片本体1所在的平面投影上，由锰铜片本体 1、第一过渡段101、第一延伸段102及第二过渡段201所在的区域A和第一插接段103、第二延伸段202及第二插接段203所在的区域B在交变磁场条件下所产生的电流将相互抵消，从而达到抗交变磁场干扰的效果。另一方面，参见附图4，第二延伸段202通过设置弯折部2021，使得其在弯折部2021前后的两部分在锰铜片本体1的厚度方向上的感应电流也能够相互抵消，进一步提高了抗干扰效果。
[0027]本技术还提供了一种电能表总成，包括：继电器、PCB板和如上述实施例所述的具有良好抗干扰效果的锰铜分流器。其中，所述锰铜分流器的第一插接引脚、第二插接引脚和第三插接引脚的插接段分别与所述PCB板插接连接。由于其通用结构已为本领域技术人员所熟知，在此不作具体说明。
[0028]以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想。应当指出，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种锰铜分流器，其特征在于，至少包括锰铜片本体(1)，以及设置于所述锰铜片本体(1)上的用于电流采样的第一插接引脚(10)和第二插接引脚(20)；所述第一插接引脚(10)包括自锰铜片本体(1)顶端引出的第一过渡段(101)、自第一过渡段(101)顶端平行于锰铜片本体顶部向第二插接引脚(20)连接端方向延伸的第一延伸段(102)和自第一延伸段(102)末端向上延伸的第一插接段(103)，所述第二插接引脚(20)包括自锰铜片本体(1)顶端引出的第二过渡段(201)，连接第二过渡段(201)并向第一过渡段(101)方向延伸的第二延伸段(202)和自第二延伸段(202)末端向上延伸的第二插接段(203)，其中，所述第二延伸段(202)与第一插接段(103)在空间上交叉设置，且第二延伸段(202)的末端延伸超出第一过渡段(101)。2.如权利要求1所述的锰铜分流器，其特征在于，所述第二延伸段(202)和第二插接段(203)一体式设置，所述第二延伸段(202)的一端通过铆接或焊接的方式固定于第二过渡段(201)远离第一插接段(103...
【专利技术属性】
技术研发人员：施耀，殷超，
申请(专利权)人：嘉兴华锦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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