一种电源防反接电路及智能门锁制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电源防反接电路及智能门锁，涉及电子技术领域。本申请电源防反接电路包括相互电连接的电源输入单元、防反接单元以及电源管理单元，电源输入单元连接供电电池或者外接供电电源，所述防反接单元用于对电路进行保护，所述防反接单元包括第一开关电路，所述第一开关电路包括第一MOS管和第一三极管；所述电源管理单元，用于对整个电路系统的电源进行管理。本申请采用防反接单元能有效实现对电路的电源的防反接防护，且由于MOS管的导通内阻很小，故对电路的压降、功能损耗造成的损失都非常小，能有效降低整个电路的功耗损失，导通开关导通响应速度快，能极大提高用户使用体验感。户使用体验感。户使用体验感。

【技术实现步骤摘要】
一种电源防反接电路及智能门锁


[0001]本申请技术涉及电子
，特别涉及一种电源防反接电路及智能门锁。

技术介绍

[0002]在现有电子产品的电源输入部分，为了防止误操作将电源的正负极接反对电路造成损坏，一般会对其进行防反接的电路防护设计，如常规的防反接方法是利用二极管的单向导电性，在电源输入端正向串联开关二极管或肖特基二极管；然而现有的这种在使用串联二极管进行防反接设计时，因二极管的PN结在导通时，会存在一个小于或等于0.7V的压降，如此会对电路造成不必要的功耗损失，特别是一些需要经常开启的低功耗电子产品，比如智能门锁等低功耗要求的产品上时，由于其产品本身的功耗就要求小，所以此时二极管的功耗损失将会对整个产品的能耗造成不小的损失。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请技术实施例的目的在于提供一种电源防反接电路及智能门锁，能有效解决现有防反接的电路会产生较大功耗损失的问题。
[0004]本技术解决上述技术问题所采用的技术方案如下：
[0005]根据本技术实施例的一个方面提供一种电源防反接电路，包括相互电连接的电源输入单元、防反接单元以及电源管理单元，所述电源输入单元连接供电电池或者外接供电电源，所述防反接单元包括第一开关电路，所述第一开关电路包括第一MOS管Q2和第一三极管Q3，所述第一MOS管Q2的源极S连接所述电源输入单元和所述第一三极管Q3的发射极、所述第一MOS管Q2的栅极G连接所述第一三极管Q3的集电极，并通过一电阻R8接地；所述电源管理单元，用于对整个电路系统的电源进行管理。
[0006]其中，所述防反接单元还包括第二开关电路，所述第二开关电路与所述第一开关电路结构相同，并与所述第一开关电路反向对接。
[0007]其中，所述第二开关电路包括第二MOS管Q1和第二三极管Q4，所述第二MOS管Q1的源极S连接所述电源输入单元和所述第二三极管Q4的发射极，所述第二MOS管Q1的栅极G连接所述第二三极管Q4的集电极，并通过一电阻R9接地。
[0008]其中，所述第二MOS管Q1的漏极与所述第一MOS管Q2的漏极连接。
[0009]其中，所述第一MOS管为PMOS管，所述第二MOS管为PMOS管。
[0010]其中，进一步还包括第一应急电源单元，所述第一应急电源单元与所述第一开关电路和所述电源管理单元电连接。
[0011]其中，所述第一应急电源单元包括第一外接USB接口以及第一应急电源电路，所述第一应急电源电路包括分压电阻R5、分压电阻R7以及三极管Q5，分压电阻R7并联有一电容C2，所述分压电阻R5、分压电阻R7以及电容C2的一端均电连接所述三极管Q5的基极，所述分压电阻R7以及电容C2的另一端电连接所述三极管Q5的发射极，所述分压电阻R5的另一端连接所述第一外接USB接口；所述三极管Q5的集电极通过一电阻R3连接所述第一开关电路的
第一三极管Q3的基极，所述三极管Q5的集电极通过一电阻R1连接所述电源输入单元。
[0012]其中，进一步还包括第二应急电源单元，所述第二应急电源单元包括第二外接USB接口以及第二应急电源电路，所述第一开关电路和所述第二开关电路的两端分别对称的连接有所述第一应急电源电路和所述第二应急电源电路。
[0013]其中，所述第二应急电源电路包括分压电阻R6、分压电阻R10以及三极管Q6，分压电阻R10并联有一电容C3，所述分压电阻R6、分压电阻R10以及电容C3的一端均电连接所述三极管Q6的基极，所述分压电阻R10以及电容C3的另一端电连接所述三极管Q6的发射极，所述分压电阻R10的另一端连接所述第二外接USB接口；所述三极管Q6的集电极通过一电阻R4连接所述第二开关电路的第二三极管Q4的基极，所述三极管Q6的集电极通过一电阻R2连接所述电源输入单元。
[0014]本申请再一实施例还提供一种智能门锁，所述智能门锁包括上述所述的电源防反接电路。
[0015]本实施例所述电源防反接电路及智能门锁通过采用防反接单元能有效实现对电路的电源的防反接防护，能有效避免电源的正负极接反对电路造成损坏，且本申请的防反接单元采用MOS管作为导通的控制开关，由于MOS管的导通内阻很小，故对电路造成的压降以及功耗损失都非常小，甚至可以忽略不计，因此，本申请所述电源防反接电路能有效降低整个电路的功耗损失，且采用MOS管作为导通开关，其导通时间短，响应速度快，能极大提高用户使用体验感。
[0016]本申请所述电源防反接电路进一步还设置USB应急电源单元，当整个电路系统供电不足时，可以及时切换USB应急电源单元，再通过USB为整个电路系统供电，同时还可以防止电路供电电源的电流倒灌。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是本技术实施例NMOS管应用在电源防反接电路中的一电路原理图；
[0019]图2是本技术实施例PMOS管应用在电源防反接电路中的一电路原理图；
[0020]图3是本技术实施例PMOS管应用在电源防反接电路中的另一电路原理图；
[0021]图4是本技术实施例提供的电源防反接电路第一实施例的结构框图；
[0022]图5是本技术实施例提供的电源防反接电路第二实施例的结构框图；
[0023]图6是本技术实施例提供的电源防反接电路第三实施例的结构框图；
[0024]图7是本技术实施例提供的电源防反接电路第四实施例的结构框图；
[0025]图8是本技术实施例提供的电源防反接电路第四实施例的详细结构框图；
[0026]图9是本技术实施例提供的电源防反接电路一实施例的电路原理图。
具体实施方式
[0027]为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以
下结合附图和实施例，对本技术进行作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0028]MOS管应用于电源防反接电路中的原理介绍：
[0029]1、NMOS防护
[0030]如图1所示，其为NMOS管应用在电源防反接电路中示意图，电池组BAT1上电瞬间，NMOS管Q5内部的寄生二极管导通，系统形成回路，NMOS管Q5的源极S的电位Vs大约为0.6V，而栅极G的电位为Vbat，则NMOS管Q5的导通电压为：Vgs＝Vbat
‑
Vs，栅极G的电位Vgs表现为高电平，因此NMOS管Q5的漏极D
‑
源极S导通，寄生二极管被短路，系统通过NMOS管Q5的漏极D
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源极S接入形成回路，为电路中的负载P2供电。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源防反接电路，其特征在于，包括相互电连接的电源输入单元、防反接单元以及电源管理单元，所述电源输入单元连接供电电池或者外接供电电源，所述防反接单元包括第一开关电路，所述第一开关电路包括第一MOS管Q2和第一三极管Q3，所述第一MOS管Q2的源极S连接所述电源输入单元和所述第一三极管Q3的发射极、所述第一MOS管Q2的栅极G连接所述第一三极管Q3的集电极，并通过一电阻R8接地；所述电源管理单元，用于对整个电路系统的电源进行管理。2.如权利要求1所述的电源防反接电路，其特征在于，所述防反接单元还包括第二开关电路，所述第二开关电路与所述第一开关电路结构相同，并与所述第一开关电路反向对接。3.如权利要求2所述的电源防反接电路，其特征在于，所述第二开关电路包括第二MOS管Q1和第二三极管Q4，所述第二MOS管Q1的源极S连接所述电源输入单元和所述第二三极管Q4的发射极，所述第二MOS管Q1的栅极G连接所述第二三极管Q4的集电极，并通过一电阻R9接地。4.如权利要求3所述的电源防反接电路，其特征在于，所述第二MOS管Q1的漏极与所述第一MOS管Q2的漏极连接。5.如权利要求3所述的电源防反接电路，其特征在于，所述第一MOS管为PMOS管，所述第二MOS管为PMOS管。6.如权利要求2
‑
5任一项所述的电源防反接电路，其特征在于，进一步还包括第一应急电源单元，所述第一应急电源单元与所述第一开关电路和所述电源管理单元电连接。7.如权利要求6所述的电源防反接电路，其特征在于，所述第一应急电源单元包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄洪波，贺龙胜，路虎，
申请(专利权)人：深圳市欧瑞博科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：