超小型页缓冲器制造技术

本申请涉及一种超小型页缓冲器。一种装置包含存储器阵列和感测放大器SA，所述SA与所述存储器阵列且与输入/输出I/O数据线耦合。所述SA将通过所述I/O数据线接收与编程操作相关联的数据位。数模转换器DAC与所述SA耦合，所述DAC将所述数据位转换为模拟电压值。模拟存储器元件与所述DAC耦合，所述模拟存储器元件将所述模拟电压值存储一时间段，直到所述数据位被编程到所述存储器阵列。被编程到所述存储器阵列。被编程到所述存储器阵列。

【技术实现步骤摘要】
超小型页缓冲器


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地，涉及存储器装置的超小型 页缓冲器。

技术介绍

[0002]存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易 失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存 储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]本公开的实施例提供一种装置，其包括：存储器阵列；感测放大器(SA)，其与所述 存储器阵列且与输入/输出(I/O)数据线耦合，其中所述SA将通过所述I/O数据线接收与 编程操作相关联的数据位；数模转换器(DAC)，其与所述SA耦合，所述DAC将所述数 据位转换为模拟电压值；以及模拟存储器元件，其与所述DAC耦合，所述模拟存储器 元件将所述模拟电压值存储一时间段，直到所述数据位被编程到所述存储器阵列。
[0004]本公开的另一实施例提供一种装置，其包括：存储器阵列；感测放大器(SA)，其与 所述存储器阵列且与输入/输出(I/O)数据线耦合，其中所述SA将响应于读取操作而从所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装置，其包括：存储器阵列；感测放大器SA，其与所述存储器阵列且与输入/输出I/O数据线耦合，其中所述SA将通过所述I/O数据线接收与编程操作相关联的数据位；数模转换器DAC，其与所述SA耦合，所述DAC将所述数据位转换为模拟电压值；以及模拟存储器元件，其与所述DAC耦合，所述模拟存储器元件将所述模拟电压值存储一时间段，直到所述数据位被编程到所述存储器阵列。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述数据位包括要存储在所述存储器阵列中的数据页。3.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括耦合在所述模拟存储器元件与所述SA之间的模数转换器ADC，其中所述ADC将在所述时间段后将所述模拟电压值转换为所述数据位，并且其中所述SA将所述数据位编程到所述存储器阵列。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述模拟存储器元件是电容器。5.根据权利要求4所述的装置，其中所述装置是集成电路装置，并且其中所述电容器位于所述集成电路装置的衬底内。6.根据权利要求4所述的装置，其中所述电容器的大小在7与9毫微微法拉之间。7.根据权利要求4所述的装置，其中所述电容器是第一电容器，所述装置进一步包括：预充电晶体管，其与电压电源和所述第一电容器耦合，所述预充电晶体管将所述第一电容器充电到初始电压电平；第二电容器，其与所述第一电容器并联耦合，并且比所述第一电容器小4到20倍；以及晶体管逻辑，其耦合在所述第一电容器与所述第二电容器之间，所述晶体管逻辑选择性地启用所述第二电容器以消耗来自所述第一电容器的电荷，直到所述第一电容器存储所述模拟电压值。8.根据权利要求7所述的装置，其中所述晶体管逻辑包括时钟启用晶体管和SA启用晶体管。9.根据权利要求7所述的装置，其中所述晶体管逻辑包括与所述第二电容器耦合的放电晶体管，以使所述第二电容器将从所述第一电容器消耗的电荷放电。10.一种装置，其包括：存储器阵列；感测放大器SA，其与所述存储器阵列且与输入/输出I/O数据线耦合，其中所述SA将响应于读取操作而从所述存储器阵列中检索数据位；数模转换器DAC，其与所述SA耦合，所述DAC将所述数据位转换为模拟电压值；以及模拟存储器元件，其与所述DAC耦合，所述模拟存储器元件将所述模拟电压值存储一时间段，直到所述数据位被传输到所述I/O数据线。...

【专利技术属性】
技术研发人员：V，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：