多层电子组件制造技术

本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，所述介电层在第一方向上介于所述内电极之间；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，其中，所述内电极包括镍(Ni)和镝(Dy)，并且0.02at％≤C0≤5at％，其中，C0是通过将所述内电极中包括的Dy的原子数除以Ni和Dy的原子数之和而计算的原子百分比(at％)。之和而计算的原子百分比(at％)。之和而计算的原子百分比(at％)。

【技术实现步骤摘要】
多层电子组件
[0001]本申请要求于2020年12月11日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0173403号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种多层电子组件。

技术介绍

[0003]多层陶瓷电容器(MLCC)(一种多层电子组件)是安装在各种电子产品(诸如包括液晶显示器(LCD)和离子体显示面板(PDP)的显示装置、计算机、智能手机、移动电话等)的印刷电路板上以允许在其中充电和通过其放电的片式电容器。
[0004]MLCC的优点在于紧凑，确保高电容，便于安装，因此可用作各种类型的电子装置的组件。最近，随着电子装置的组件已经小型化，对具有较高电容的较小的多层陶瓷电容器的需求已经增加。
[0005]为了减小多层陶瓷电容器的尺寸并增大其电容，需要用于形成较薄的内电极和介电层的技术。
[0006]然而，随着内电极和介电层变薄，用于内电极和介电层的材料被原子化(atomized)，并且随着材料被原子化，其熔点本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层电子组件，包括：主体，包括介电层和内电极，所述介电层在第一方向上介于所述内电极之间；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，其中，所述内电极包括Ni和Dy，Ni和Dy的量满足下式：0.02at％≤C0≤5at％，其中，C0是通过将所述内电极中包括的Dy的原子数除以Ni和Dy的原子数之和而计算的原子百分比。2.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括Ni和Dy，Ni和Dy的量满足下式：C0<C1，其中，C1是通过将所述内电极的在所述第一方向上距所述内电极与所述介电层之间的界面的距离小于或等于2nm的区域中的Dy的原子数除以Ni和Dy的原子数之和而计算的原子百分比。3.如权利要求2所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括Ni和Dy，Ni和Dy的量满足下式：0.07at％≤C1≤7at％。4.如权利要求3所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括Ni和Dy，Ni和Dy的量满足下式：C2≤2.3at％且C2<C0<C1，其中，C2是通过将所述内电极的在所述第一方向上的中央处的Dy的原子数除以Ni和Dy的原子数之和而计算的原子百分比。5.如权利要求4所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括Ni和Dy，Ni和Dy的量满足下式：3.04≤C1/C2≤70。6.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括Ni和Dy，Ni和Dy的量满足下式：0.02at％≤C0≤1at％。7.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括Ni和Dy，Ni和Dy的量满足下式：0.05at％≤C0≤5at％。8.如权利要求7所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括Ni和Dy，Ni和Dy的量满足下式：0.7at％≤C1≤7at％且C0<C1，其中，C1是通过将所述内电极的在所述第一方向上距所述内电极与所述介电层之间的界面的距离小于或等于2nm的区域中的Dy的原子数除以Ni和Dy的原子数之和而计算的原子百分比。9.如权利要求8所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括Ni和Dy，Ni和Dy的量满足下式：0.05at％≤C2≤2.3at％且C2<C0<C1，其中，C2是所述内电极的在所述第一方向上的中央处的Dy含量与Ni和Dy含量之和的原子百分比。10.如权利要求9所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括Ni和Dy，Ni和Dy的量满足下式：3.04≤C1/C2≤14。11.如权利要求9所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括Ni和Dy，Ni和Dy的量满足下式：0.5at％≤C0≤5at％。12.如权利要求11所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括Dy的氧化物。13.如权利要求12所述的多层电子组件，其中，所述Dy的氧化物设置在所述内电极中的从所述内电极与所述介电层之间的界面到所述内电极的厚度的1/3的点的区域中。14.如权利要求13所述的多层电子组件，其中，所述Dy的氧化物是Dy2O3。15.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴辰琼，金东镇，郑善日，姜秀智，郑文成，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：