一种半导体器件制造技术

一种半导体器件(200)，包括基板(210)，以及相互绝缘的有源电路(220)和冗余电路(230)。其中该冗余电路(230)包括设置在基板(210)中的轻掺杂的P衬底(231)，设置在P衬底(231)中的重掺杂冗余源漏区(232)，设置在基板(210)表面的冗余金属层(235)，以及连接冗余源漏区(232)和冗余金属层(235)的金属柱(233)。上述重掺杂冗余源漏区(232)与轻掺杂的P衬底(231)形成无方向性的低阻抗电阻，使得金属导体上积累的电荷在垂直于基板(210)的方向上迅速转移，减小电荷对电路的损伤，从而提高了芯片的可靠性和良率。良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄子欣，许俊豪，张锐，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：